公开(公告)号：CN113206149A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110488620.4

申请日：2021-05-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 普勇 ,  韩伟博 ,  杨家驹 ,  郭欣蕾 ,  钮伟 ,  魏陆军

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供一种铁电二维场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括由下至上依次为底部金电极层、铁电衬底层、沟道层、钛层、顶部金电极层和包覆层，所述底部金电极层用作底栅，所述顶部金电极层用作源极、漏极和顶栅，所述包覆层用于防止器件氧化，所述铁电衬底层用于施加门电压改变沟道层电子掺杂浓度。本发明利用铁电衬底层和沟道层的界面效应，通过加门电压的方式，使得铁电衬底层产生极化，通过不同极化方向来调控沟道的电子掺杂浓度，从而改变沟道层的电阻大小，可使铁电场效应晶体管实现‘导通’和‘断开’的两种状态，对应于器件的低电阻态和高电阻态。由于铁电衬底极化具有非易失性，这种器件存在记忆性，可以实现新型非易失铁电二维存储器。