公开(公告)号：CN118829349A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410734705.X

申请日：2024-06-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘萍 ,  向宇月 ,  普勇

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种室温多阻态器件的制备方法，属于阻态器件的制备技术领域，包括：在干净的硅片上旋涂光刻胶，进行曝光；将被曝光区域的光刻胶清除，然后马上将硅片进行干燥，得到电极；在电极上依次镀钛和活性金属；将Fe3GaTe2单晶剥离成纳米级厚度的Fe3GaTe2薄片，选取两块厚度不一样的Fe3GaTe2薄片转移至电极上形成Fe3GaTe2/Fe3GaTe2同质结，然后将氮化硼转移到Fe3GaTe2/Fe3GaTe2同质结上将其完全覆盖，得到室温多阻态器件；本发明制备工艺简单，能实现室温下的多阻态，即1，0，‑1态。

公开(公告)号：CN118660615A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410729396.7

申请日：2024-06-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘萍 ,  朱汉鹏 ,  李勇德 ,  普勇

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种垂直忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域，方法包括在干净的硅片上依次旋涂甲基丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯酸甲酯两层光刻胶、写入底电极图案、显影定影，得到预处理硅片；在预处理硅片上镀上黏附层，再镀上第二金属，然后剥离出多余的金属，得到底电极；将预先制备的二维材料转移到底电极上；在二维材料上制备顶电极，再镀上第三金属，得到垂直忆阻器；本发明采用预制备的新型的二维材料作为阻变功能层材料，经过测试，表现出优异的非易失阻变性能，开关比高达到105，开启电压低至0.5 V（功耗低），器件具有良好的循环耐久性（可达60次）以及很好的时间保持特性（达105 s）。