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公开(公告)号：CN118660615A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410729396.7
申请日：2024-06-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域，方法包括在干净的硅片上依次旋涂甲基丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯酸甲酯两层光刻胶、写入底电极图案、显影定影，得到预处理硅片；在预处理硅片上镀上黏附层，再镀上第二金属，然后剥离出多余的金属，得到底电极；将预先制备的二维材料转移到底电极上；在二维材料上制备顶电极，再镀上第三金属，得到垂直忆阻器；本发明采用预制备的新型的二维材料作为阻变功能层材料，经过测试，表现出优异的非易失阻变性能，开关比高达到105，开启电压低至0.5 V（功耗低），器件具有良好的循环耐久性（可达60次）以及很好的时间保持特性（达105 s）。
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