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公开(公告)号：CN116381439A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310214741.9
申请日：2023-03-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种利用态密度曲线评估有机场效应晶体管退化性能的方法，涉及有机半导体器件技术领域。态密度曲线是在器件的传输特性曲线的基础上通过使用有效迁移率以及接触电阻亚阈值斜率等传统参数进行处理后绘制得到的，使用态密度曲线评估器件能够更直观的观察到薄膜层陷阱在能量上的分布，载流子从深陷阱中释放大致需要的能量，器件性能的退化可以通过态密度曲线有效表现出来，因而利用态密度曲线评估器件退化性能是具有较强的可行性与通用性的。
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公开(公告)号：CN116322071A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310214218.6
申请日：2023-03-08
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体器件物理领域，公开了一种由垂直有机晶体管构成的反相器，该反相器包括串联的垂直结构的PMOS和垂直结构的NMOS，垂直结构的PMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层DPPT‑TT+N2200和蒸镀的源极和漏极Au，垂直结构的NMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层N2200+DPPT‑TT和蒸镀的源极和漏极Au，DPPT‑TT+N2200和N2200+DPPT‑TT通过提拉方式形成膜。本发明相比于传统水平结构的反相器，有更低的工作电压。
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公开(公告)号：CN114665020A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210299035.4
申请日：2022-03-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法，所述的晶体管器件包括：衬底、绝缘层、半导体层和源漏电极，所述的制备方法首先以蒸镀的方式在绝缘层上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层；当选用IDT‑BT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为20‑30nm，当选用DPPT‑TT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为40‑50nm。本发明的发明人经过大量实验，发现通过固定半导体层的厚度，并调整源漏电极的厚度，会影响底栅底接触聚合物场效应晶体管的性能，发明人通过使用蒸镀仪蒸镀了不同厚度的源漏电极，在将不同电极厚度下器件的性能参数对比之后，发现了源漏电极的最佳厚度，此时能获得电学性能最优的有机薄膜晶体管器件。
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公开(公告)号：CN114665019B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210292904.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁控溅射的聚合物场效应晶体管的制备方法以及基于该制备方法的P型聚合物晶体管，所述P型聚合物场效应晶体管具有底栅顶接触结构。首先在硅晶圆表面氧化生长一层二氧化硅作为绝缘层，再在二氧化硅表面旋涂有机半导体有源层，接着在有源层的上方通过掩模版使用磁控溅射的方法制备一层银作为源极和漏极，最后对硅片上的每一个晶体管进行隔离并且使用铜箔和导电银胶进行栅极处理。该方法制备的接触电极相较于传统使用热蒸镀来制备电极的方法，其载流子迁移率和输出电流都有所提升，器件的阈值电压明显降低。本发明提升了这种底栅顶接触聚合物场效应晶体管的电学性能，具有工艺简单，操作便捷的特点。
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公开(公告)号：CN116504815B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310762255.0
申请日：2023-06-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种高功率a‑IGZO薄膜晶体管及其制备方法，包括基底、支撑层、栅电极层、栅介质层、a‑IGZO有源层、变掺杂区、源电极层和漏电极层，支撑层设于基底上表面；栅电极层设于支撑层上表面中部；栅介质层覆盖于所述栅电极层和所述支撑层上；a‑IGZO有源层设于栅介质层上表面，变掺杂区为a‑IGZO有源层右端经处理后形成的变掺杂区；源电极层设于a‑IGZO有源层上表面的左侧，漏电极层设于变掺杂区上表面的右侧。本发明提供的漂移区变掺杂结构通过调制漂移区中的电场分布，能够有效提升器件击穿电压，降低漂移区电阻，优化器件导通电阻，显著提升薄膜晶体管的Baliga优值，可以用以提升晶体管的耐压性能和输出电流能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114665019A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210292904.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁控溅射的聚合物场效应晶体管的制备方法以及基于该制备方法的P型聚合物晶体管，所述P型聚合物场效应晶体管具有底栅顶接触结构。首先在硅晶圆表面氧化生长一层二氧化硅作为绝缘层，再在二氧化硅表面旋涂有机半导体有源层，接着在有源层的上方通过掩模版使用磁控溅射的方法制备一层银作为源极和漏极，最后对硅片上的每一个晶体管进行隔离并且使用铜箔和导电银胶进行栅极处理。该方法制备的接触电极相较于传统使用热蒸镀来制备电极的方法，其载流子迁移率和输出电流都有所提升，器件的阈值电压明显降低。本发明提升了这种底栅顶接触聚合物场效应晶体管的电学性能，具有工艺简单，操作便捷的特点。
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公开(公告)号：CN114597310A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210232053.0
申请日：2022-03-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种垂直有机晶体管的制备方法，所述的方法利用表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底制备垂直有机晶体管，具体步骤如下：使用掩模版与表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底精确对准，使用蒸镀仪通过掩模版淀积源极金属，旋涂双极性有机物D‑A型有机物DPPT‑TT，设置DPPT‑TT溶液的浓度为10mg/ml，设置旋涂仪的参数先以500rpm的转速匀胶5s，再以1500rpm转速匀胶30s，DPPT‑TT薄膜的厚度为50 nm，继续使用掩模版与表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底精确对准，使用蒸镀仪通过掩模版来淀积漏极金属。本发明通过控制旋涂仪旋转的速度来控制沟道的长度。本发明结构不要借助光刻机即可制造出nm级别的超短沟道，通过控制旋涂仪的转速可以获得nm级别的沟道长度。
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公开(公告)号：CN114512612A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210137601.1
申请日：2022-02-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法。首先将四氯化铪（HfCl4）溶于去离子水（DI），并将其旋涂于P+掺杂的硅片上，以低温热退火的工艺形成氧化铪（HfO2）薄膜；之后将聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）溶于乙酸丁酯（NBA），旋涂在HfO2薄膜表面，以低温热退火的方式形成很薄的PMMA薄膜，来对HfO2的表面进行钝化，从而减小有机场效应晶体管（OFETs）的回滞，提高OFETs的场效应迁移率。该HfO2薄膜的溶液相工艺操作简单，可在大气环境下进行处理，制备成本低，可适用于大规模的成产，对柔性、可便携电子设备的应用有很好的前景。
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公开(公告)号：CN118102738A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410325403.7
申请日：2024-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种PIN有机半导体光电探测器，包括自下而上依次设置的透明衬底、下电极、电子传输层、N型有机半导体层、本征半导体I层、P型有机半导体层、空穴传输层和上电极；其中，N型有机半导体层旋涂于电子传输层的上表面；本征半导体I层通过射频磁控溅射设置于N型有机半导体层的上表面；P型有机半导体层旋涂于本征半导体I层的上表面。具有暗电流低、易于实施、响应速度快等优点。同时，本发明所制备的有机PIN光电探测器在365nm的紫外环境以及850nm的短红外环境均能快速响应。
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