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公开(公告)号：CN112668180B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202011579036.1
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种以存代算在线学习预测芯片及方法，通过在物联网前端利用较低的计算资源进行数据处理，从而减少数据传输和云中心计算压力，实现在前端设备进行在线学习并实时性数据更新的数据预测方案。使用以存储方式代替复杂计算的技术方式，构建存算单元阵列和单元间互连线。单元互连线连接各个存算单元，各个单元通过互连线连通协同工作解决复杂问题，存算单元内部包括：I/O访问、数据比对、误差统计、分辨聚类、任务管理、任务分发、预测收集及管理、模型输出等系统模块。本发明能够减少数据传输和云中心计算压力。
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公开(公告)号：CN116645992A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310540163.8
申请日：2023-05-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种三维相变存储器亚阈值数据读出电路和方法，其中，读出电路包括：灵敏放大器电路，用于比较位线电流和参考位线电流，并输出数据读出电压信号；钳位电压生成电路，用于向所述灵敏放大器电路提供钳位电压，通过所述钳位电压对所述相变存储阵列的位线的电压进行钳位；字线半偏置电压生成电路，用于向所述相变存储阵列提供字线半偏置电压；电流复制电路，用于抵消所述相变存储阵列产生的泄漏电流；单元参考电流生成电路，用于生成单个单元参考电流。本发明解决了三维相变存储器亚阈值读操作时因读窗口裕度小限制了存储阵列大小的问题。
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公开(公告)号：CN112582371B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202011465265.0
申请日：2020-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种三维智能微系统芯片，主要包括第一芯片、第二芯片和第三芯片；其中，第一芯片包括传感层。针对传统传感器(如MEMS)难以与CMOS集成的痛点，本发明将传感器、处理器、存储器通过晶圆级的集成封装可实现更高的集成密度，更好的鲁棒性，降低电气连接中的寄生电容，降低测试成本，是大阵列传感器实现的前提，数据在内部传输也降低了数据被窃取的风险；同时保持了多芯片方案更好的材料兼容性和更快的产品开发周期的优点。
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公开(公告)号：CN110890122B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201911099112.6
申请日：2019-11-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种1S1R单元读控制电路，至少包括：选中单元读控制电路、阵列控制电路、第一低压差线性稳压器、第二低压差线性稳压器、灵敏放大器和1S1R阵列；阵列控制电路、第一低压差线性稳压器和灵敏放大器均与选中单元读控制电路连接；第二低压差线性稳压器和1S1R阵列均与阵列控制电路连接。实现了对选通器件不同状态的不同电压控制，保证了1S1R单元能被正确读取；在选通器件导通时，避免了存储器件两端的高电压，避免了读干扰，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN111463346B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010225621.5
申请日：2020-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明涉及微纳电子技术领域，特别涉及一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器，所述OTS选通材料包括GeSe组分、As3Se4组分及掺杂元素(M)，所述OTS选通材料的化学通式为(GeSe)x(As3Se4)yMz，其中M为Ta、Si、Ge、Te、C、W、N、O、P中的一种或多种，x、y、z满足4
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115036417A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210480717.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种低功耗相变存储器的制备方法。该制备方法包括：(1)在衬底上生长第一介质层，并形成圆柱状底电极；(2)在第一介质层上形成第二介质层，光刻和刻蚀形成纵向的沟槽1，(3)在沟槽1内形成“倒几字”型相变材料层，回刻蚀；(4)在形成的侧壁相变结构上生长第三电介质层，然后生长第四电介质层并填满沟槽1，抛光；(5)生长导电薄膜层，并通过光刻和刻蚀形成纵向条状导电线条；(6)生长第五电介质层，然后生长第六电介质层并填满导电线条之间的沟槽2，抛光；(7)圆孔1光刻和刻蚀，孔内填充导电材料，然后抛光，形成顶电极。该方法制备的相变材料层以片状形式存在，大大减小了相变材料的体积有利于功耗的降低。
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公开(公告)号：CN114944452A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210158712.0
申请日：2022-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种阈值选通材料、阈值选通器件单元及其制备方法，所述阈值选通材料的化学通式为(InxTey)aM1‑a，其中0.1≤x/y≤1，0＜x＜100，0＜y＜100，x+y＝100，0＜a≤0.2，M为包括至少一种第六主族元素的阈值开关材料。本发明的阈值选通器件单元具有漏电流低、阈值电压低、选通比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。
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公开(公告)号：CN112285519B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011156695.4
申请日：2020-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法，采用测试设备测量二极管选通阵列中待测二极管在正向偏压下的电流得到I‑V曲线，通过I‑V曲线上大电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的串联电阻，通过I‑V曲线上截止区外小电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的理想因子。本发明在不使用高精度的测试设备下能够较为准确的测出串联电阻及理想因子。
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公开(公告)号：CN111384238B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201811623426.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种选通管材料、选通管单元及存储器件结构，选通管材料为至少包括Ge及S的化合物，所述选通管材料的化学通式为(GexS1‑x)1‑yMy，其中，M包括掺杂材料，且0.1≤x≤0.9、0≤y≤0.5。本发明的选通管材料选用GexS1‑x材料，该材料用于选通管单元时具有开通电流大、漏电流小、热稳定性好、材料简单及无毒性等优点；本发明的选通管材料通过在GexS1‑x材料中掺入掺杂材料，可以调节和优化该选通材料制作的选通管单元的阈值电压、开通电流及疲劳特性等性能；可以提高该选通材料制作的选通管单元的热稳定性、降低该选通材料制作的选通管单元的漏电流、增强该选通管材料制作的选通管单元的可重复性。
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