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公开(公告)号：CN110562910A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910793427.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：S1、制作衬底层：在双抛硅片上制作出填充好绝缘介质的环形槽，形成硅垂直引线，并刻蚀出深腔作为MEMS可动结构的活动空间；S2、制作结构层；S3、制作盖帽层：在双抛硅片正面制作出真空腔室和真空缓冲腔室，然后制作Ti/Au金硅键合键合环，最后在真空腔室和真空缓冲腔室中制备吸气剂层；S4、真空封装：将制备好的盖帽和结构层进行金硅键合工艺，完成MEMS圆片级真空封装，最后制备金焊点用于引线键合；通过真空腔室与真空缓冲腔室提高MEMS器件的真空度，并吸气剂吸除多余的气体，使真空度能够长期保持。
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公开(公告)号：CN114132891B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202111479847.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种微光机电的制备方法，包括以下步骤：在第一SOI硅片的顶层硅上形成图形化的高反膜和顶层硅电极以及检测电极；图形化的第二SOI硅片顶层硅与高反射薄膜共同形成可动滤光结构，图形化的金属支撑柱下方与顶层硅连接；将S3制备好的可动滤光结构层晶圆对准键合于S2制备好的固定滤光结构层晶圆上方，可动滤光结构中的金属支撑柱与固定滤光结构中的金属支撑柱键合形成支撑柱；取两面抛光后的标准晶圆作为盖帽层，在盖帽正面制备有金属Pad点与垂直导电引线连接；本发明的有益效果是：该制备方法兼容光学与MEMS制备工艺，可批量制造，采用该方法制备得到的微光机电系统具有集成度高、光学占空比大、静电驱动力大、易与探测器集成等优点。
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公开(公告)号：CN118641036A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410825950.1
申请日：2024-06-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种集成偏振光谱滤波器及其测试方法，包括：滤波器阵列芯片与封装外壳；其中，滤波器阵列芯片包含：可调谐法布里‑珀罗滤光阵列结构与微偏振片阵列结构；法布里‑珀罗滤光阵列结构由M×N个独立的滤波器组成；每个光滤波器由两个平行的镜面构成法布里‑珀罗腔，其中一个镜面为固定镜，另一个镜面为可动镜；在相邻的4个滤波器的可动镜上分别设有4个0°、45°、90°以及135°不同方向的微偏振像素单元，将4个不同方向的微偏振像素单元按预设规律排列；4个不同方向的微偏振像素单元构成一个超像素单元结构。采用本发明的技术方案，以解决以往滤波器不能同时具备目标光谱信息探测能力及偏振信息探测能力的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113790835B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111110194.7
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明提供一种岛膜结构的硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：它包括以下步骤1)选取第一硅片(1)；2）背腔和硅岛制作；3）衬底片制作；4）晶圆级键合；5）底层硅和埋氧层去除；6)压阻制作；7）接触孔制作；8）引线制作。本发明具有操作方便、步骤清晰，可以使得硅岛膜结构一次成型，硅岛的高度可以精确控制，并且兼容湿法腐蚀工艺。
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公开(公告)号：CN114132891A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479847.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种微光机电的制备方法，包括以下步骤：在第一SOI硅片的顶层硅上形成图形化的高反膜和顶层硅电极以及检测电极；图形化的第二SOI硅片顶层硅与高反射薄膜共同形成可动滤光结构，图形化的金属支撑柱下方与顶层硅连接；将S3制备好的可动滤光结构层晶圆对准键合于S2制备好的固定滤光结构层晶圆上方，可动滤光结构中的金属支撑柱与固定滤光结构中的金属支撑柱键合形成支撑柱；取两面抛光后的标准晶圆作为盖帽层，在盖帽正面制备有金属Pad点与垂直导电引线连接；本发明的有益效果是：该制备方法兼容光学与MEMS制备工艺，可批量制造，采用该方法制备得到的微光机电系统具有集成度高、光学占空比大、静电驱动力大、易与探测器集成等优点。
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公开(公告)号：CN110702332A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910793433.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种评价MEMS真空封装性能的方法，包括以下步骤：S1、在真空探针台中对未封装时的MEMS产品测量在目标封装真空度P1下的Q值，记为Q11；S2、计算MEMS产品在目标气体泄漏速率下放置10年后真空腔室的真空度P2，测量在真空度P2下的Q值，记为Q21；S3、将MEMS产品真空封装，测量MEMS产品的Q值，记为Q12；S4、对比Q11与Q12，若Q12小于80%的Q11，则MEMS真空封装未达到目标真空度；S5、将真空封装的MEMS产品进行氩气加压实验，然后测量MEMS产品的Q值，记为Q22；S6、对比Q21与Q22，若Q22小于80%的Q21，则真空封装气体泄漏速率不合格。
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公开(公告)号：CN110568220A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910793469.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种抗干扰耐过载MEMS加速度计，包括依次键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽，感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极，可动敏感结构层包含第一可动敏感结构中心锚点、第一实心可动敏感结构与第一空心可动敏感结构；感应电极底部设有硅支撑柱，硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与衬底层相连；第一可动敏感结构中心锚点、第一实心可动敏感结构与第一空心可动敏感结构上方分别对称键合有第二可动敏感结构中心锚点、第二实心可动敏感结构与第二空心可动敏感结构，第一空心可动敏感结构与第二空心可动敏感结构之间形成闭合的空腔；本加速度计能够降低外界环境对器件性能影响，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN221326381U
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202323311984.9
申请日：2023-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01N23/2204 , G01N23/2251
Abstract: 本实用新型提供了一种MEMS晶圆微结构取样装置，包括框架、水平定距位移台、三轴位移台、晶圆托盘、晶圆、显微镜筒、取样杆和扫描电镜样品台；其中，框架包括底座和横梁；水平定距位移台安装在底座上，可往返移动于显微镜筒与取样杆的正下方位置之间；三轴位移台安装在水平定距位移台上部，用于实现三个方向轴上的平移；晶圆托盘安装在三轴位移台上部，用于容置晶圆；显微镜筒安装于横梁，用于观察晶圆微结构；取样杆安装于横梁，且与显微镜筒的安装位置位于同一水平线；扫描电镜样品台安装于取样杆底部，底端设有导电胶带。本实用新型装置取样简单、定位准确，同时符合规范，不易引入沾污。
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