公开(公告)号：CN115867509A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202180046661.6

申请日：2021-05-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚 ,  竹野博

IPC: B82Y40/00

Abstract: 本发明是一种量子计算机用半导体装置的制造方法，量子计算机用半导体装置具备：半导体基板、在所述半导体基板上形成的量子计算机用元件、以及在所述半导体基板上形成且连接于所述量子计算机用元件的周边电路，量子计算机用半导体装置作为量子计算机使用，量子计算机用半导体装置的制造方法的特征在于，包含以下工序：在所述半导体基板上形成所述量子计算机用元件以及所述周边电路；通过向所述半导体基板中的至少量子计算机用元件形成部以及周边电路形成部照射粒子束，从而使半导体基板中的载流子惰性化。由此，提供一种能够制造3HD特性优异的量子计算机用半导体装置的、量子计算机用半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN112334608B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201980039589.7

申请日：2019-05-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: C30B33/04 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法，其中进行准备单晶硅基板的准备工序、粒子束照射工序及粒子束照射工序后的热处理工序，所述控制方法的特征在于，在进行准备工序之前，具有预先对试验用单晶硅基板照射粒子束后进行热处理并测定产生的缺陷密度的测定工序、以及取得所测定的缺陷密度与氮浓度的相关关系的相关关系取得工序，并基于已取得的相关关系，以使热处理工序后的单晶硅基板中的缺陷密度成为目标值的方式调节准备的单晶硅基板的氮浓度。由此提供一种在利用粒子束照射与热处理控制缺陷密度的器件的制造工序中，能够减小起因于单晶硅基板的缺陷密度的偏差，以高精度控制缺陷密度的单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法。

公开(公告)号：CN102637699B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201210109975.9

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社电装 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大槻浩 ,  坚田满孝 ,  能登宣彦 ,  竹野博 ,  吉田和彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603

Abstract: 提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。

公开(公告)号：CN115280472A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180021156.6

申请日：2021-02-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明是一种单晶硅基板中的施主浓度的控制方法，具有：第一质子照射工序，在进行第二质子照射工序之前对试验用单晶硅基板照射质子；氢浓度测量工序，测量第一质子照射工序后的试验用单晶硅基板中的氢浓度的深度方向分布；第一热处理工序，对试验用单晶硅基板实施与第二热处理工序相同条件的热处理；施主浓度测量工序，测量在第一热处理工序之后在试验用单晶硅基板中产生的施主增加量的深度方向分布；以及相关关系获取工序，根据氢浓度的深度方向分布、和施主增加量的深度方向分布，而获取试验用单晶硅基板中的氢浓度、与施主增加量的相关关系，基于相关关系，调整在第二质子照射工序中照射的质子的剂量，以使控制第二热处理工序后的施主浓度的单晶硅基板中的施主增加量成为目标值。

公开(公告)号：CN112334608A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201980039589.7

申请日：2019-05-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: C30B33/04 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法，其中进行准备单晶硅基板的准备工序、粒子束照射工序及粒子束照射工序后的热处理工序，所述控制方法的特征在于，在进行准备工序之前，具有预先对试验用单晶硅基板照射粒子束后进行热处理并测定产生的缺陷密度的测定工序、以及取得所测定的缺陷密度与氮浓度的相关关系的相关关系取得工序，并基于已取得的相关关系，以使热处理工序后的单晶硅基板中的缺陷密度成为目标值的方式调节准备的单晶硅基板的氮浓度。由此提供一种在利用粒子束照射与热处理控制缺陷密度的器件的制造工序中，能够减小起因于单晶硅基板的缺陷密度的偏差，以高精度控制缺陷密度的单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法。

公开(公告)号：CN111512421A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201880084042.4

申请日：2018-12-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: H01L21/322 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种复合寿命的控制方法，其通过进行由利用FZ法培养的掺氮硅单晶准备硅单晶基板的工序；实施热处理的热处理工序A；对硅单晶基板照射粒子束的粒子束照射工序；及对硅单晶基板进行热处理的热处理工序B，从而控制硅单晶基板的载流子的复合寿命，该方法的特征在于，在热处理工序A中，根据在准备工序中准备的硅单晶基板的氧浓度Co，使硅单晶基板中的氮向外扩散，从而调节硅单晶基板的氮浓度Cn，然后，进行粒子束照射工序。由此，能够确实地减小起因于掺氮FZ硅单晶基板的复合寿命的偏差，能够以高精度控制复合寿命。

公开(公告)号：CN111386593A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201880075449.0

申请日：2018-10-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: H01L21/322 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  C30B31/22 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明是一种控制载流子的复合寿命的单晶硅基板的分选方法，其特征在于，具有：准备工序，由利用悬浮区熔法生长的单晶硅锭制作并准备作为单晶硅基板的候补的单晶硅基板；粒子束照射工序，向准备的单晶硅基板照射粒子束；测量工序，在粒子束照射工序后的单晶硅基板中，注入过剩载流子，并测量过剩载流子浓度相对于注入了过剩载流子后的经过时间的衰减曲线；判定工序，在测量的过剩载流子衰减曲线中，求出该衰减曲线中的去除衰减速度快的前半部分的尾部中剩余过剩载流子浓度衰减到注入时的过剩载流子浓度的规定比例的衰减时间，在该衰减时间的值为预先确定的判定值以下的情况下，判定单晶硅基板合格；以及分选工序，将由与制作出通过判定而判定为合格的单晶硅基板的单晶硅锭相同的单晶硅锭制作的单晶硅基板分选为控制载流子的复合寿命的单晶硅基板。由此，提供一种单晶硅基板的分选方法，该方法为了抑制微弱的尾电流，而在通过控制载流子的复合寿命来抑制尾电流的功率器件中分选低浓度的过剩载流子的衰减变快的单晶硅基板。

公开(公告)号：CN111033709A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880053627.X

申请日：2018-08-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: H01L21/66 ,  C30B13/10 ,  C30B29/06 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明为一种复合寿命的控制方法，其通过进行准备控制载流子的复合寿命的硅基板的准备工序；粒子束照射工序；及热处理工序，控制所述硅基板的载流子的复合寿命，所述控制方法的特征在于，在进行所述准备工序之前，预先取得测定的复合寿命与氮浓度的相互关系，基于该相互关系，以使所述硅基板的所述热处理工序后的复合寿命成为目标值的方式，在所述准备工序中调节氮浓度。由此提供一种在控制载流子的复合寿命的的制造工序中，能够减小复合寿命的偏差，能够以高精度控制复合寿命的复合寿命的控制方法。

公开(公告)号：CN104871302B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201380068161.8

申请日：2013-12-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明是在于提供一种以高精度评价硅基板制造工艺或装置制造工艺中的金属污染或结晶缺陷的硅基板的再结合寿命测定方法。本发明是在对硅基板的表面进行化学钝化处理之后，测定再结合寿命的方法，从所述化学钝化处理到所述再结合寿命的测定结束的期间，至少进行防护所述硅基板不受紫外线照射的紫外线防护处理。

公开(公告)号：CN106104756A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580013050.6

申请日：2015-02-23

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚 ,  竹野博

IPC: H01L21/265 ,  G01N23/225 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L22/24 ,  G01N23/2254 ,  G01N2223/3106 ,  G01N2223/6116 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的评价方法，其是对具有结晶缺陷的半导体基板实施用于修复所述结晶缺陷的缺陷修复热处理的半导体基板的评价方法，其特征在于，以闪光灯退火进行所述缺陷修复热处理，并具有：通过控制所述闪光灯退火的处理条件，对修复途中的半导体基板的结晶缺陷进行测量的工序；以及基于该测量的结果对所述结晶缺陷的修复机制进行解析的工序。由此，提供一种能够对结晶缺陷的修复过程进行评价的半导体基板的评价方法。