公开(公告)号：CN102637699B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201210109975.9

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社电装 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大槻浩 ,  坚田满孝 ,  能登宣彦 ,  竹野博 ,  吉田和彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603

Abstract: 提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。

公开(公告)号：CN102637699A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210109975.9

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社电装 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大槻浩 ,  坚田满孝 ,  能登宣彦 ,  竹野博 ,  吉田和彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。

公开(公告)号：CN101836281B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880112534.6

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社电装 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大槻浩 ,  坚田满孝 ,  能登宣彦 ,  竹野博 ,  吉田和彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603

Abstract: 提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。

公开(公告)号：CN101836281A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200880112534.6

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社电装 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大槻浩 ,  坚田满孝 ,  能登宣彦 ,  竹野博 ,  吉田和彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603

Abstract: 提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。

公开(公告)号：CN103875061B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201280050352.7

申请日：2012-08-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石塚徹 ,  大久保裕司 ,  佐佐木拓也 ,  荒木亮 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02032 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种剥离晶片的再生加工方法，该方法对于制作贴合晶片时所副产的剥离晶片进行再生研磨，而能够再次作为键合晶片或衬底晶片利用，上述剥离晶片的再生加工方法在上述再生研磨中，在上述剥离晶片的剥离面上未形成有氧化膜且在与上述剥离面相反的背面上形成有氧化膜的状态下，利用双面研磨机研磨该剥离晶片。由此，提供一种剥离晶片的再生加工方法，该方法以较少的加工余量对于通过离子注入剥离法制造贴合晶片时所副产的剥离晶片进行能够足以提高平坦度等品质的再生研磨，从而能够做成高品质的再利用晶片。

公开(公告)号：CN103875061A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280050352.7

申请日：2012-08-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石塚徹 ,  大久保裕司 ,  佐佐木拓也 ,  荒木亮 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02032 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种剥离晶片的再生加工方法，该方法对于制作贴合晶片时所副产的剥离晶片进行再生研磨，而能够再次作为键合晶片或衬底晶片利用，上述剥离晶片的再生加工方法在上述再生研磨中，在上述剥离晶片的剥离面上未形成有氧化膜且在与上述剥离面相反的背面上形成有氧化膜的状态下，利用双面研磨机研磨该剥离晶片。由此，提供一种剥离晶片的再生加工方法，该方法以较少的加工余量对于通过离子注入剥离法制造贴合晶片时所副产的剥离晶片进行能够足以提高平坦度等品质的再生研磨，从而能够做成高品质的再利用晶片。