公开(公告)号：CN102637699B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201210109975.9

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社电装 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大槻浩 ,  坚田满孝 ,  能登宣彦 ,  竹野博 ,  吉田和彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603

Abstract: 提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。

公开(公告)号：CN102637699A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210109975.9

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社电装 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大槻浩 ,  坚田满孝 ,  能登宣彦 ,  竹野博 ,  吉田和彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。

公开(公告)号：CN101836281B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880112534.6

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社电装 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大槻浩 ,  坚田满孝 ,  能登宣彦 ,  竹野博 ,  吉田和彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603

Abstract: 提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。

公开(公告)号：CN101836281A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200880112534.6

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社电装 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大槻浩 ,  坚田满孝 ,  能登宣彦 ,  竹野博 ,  吉田和彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603

Abstract: 提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。

公开(公告)号：CN100559576C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200710166889.0

申请日：2007-10-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 葛原刚 ,  小邑笃 ,  坚田满孝 ,  成濑孝好

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/02166 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括衬底(2)、形成在衬底(2)中的元件(10、20、30)、形成在衬底(2)上的层间电介质膜(51、54、57、60)、布线层(52、55、58)和电极焊盘(62)。使布线层(52，55，58)形成为多层，并通过层间电介质膜(51、54、57、60)使其电连接到所述元件(10、20、30)。将电极焊盘(62)电耦合到布线层(52、55、58)的顶部布线层(58)。将顶部布线层(58)配置为兼作设置在电极焊盘(62)之下的电极层的顶部布线-电极层(58)。将顶部布线-电极层(58)的电极层设置在半导体元件(10、20、30)的正上方。使电极焊盘(62)和电极层形成为多层，以形成焊盘结构。

公开(公告)号：CN101170091A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710166889.0

申请日：2007-10-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 葛原刚 ,  小邑笃 ,  坚田满孝 ,  成濑孝好

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/02166 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括衬底(2)、形成在衬底(2)中的元件(10、20、30)、形成在衬底(2)上的层间电介质膜(51、54、57、60)、布线层(52、55、58)和电极焊盘(62)。使布线层(52，55，58)形成为多层，并通过层间电介质膜(51、54、57、60)使其电连接到所述元件(10、20、30)。将电极焊盘(62)电耦合到布线层(52、55、58)的顶部布线层(58)。将顶部布线层(58)配置为兼作设置在电极焊盘(62)之下的电极层的顶部布线-电极层(58)。将顶部布线-电极层(58)的电极层设置在半导体元件(10、20、30)的正上方。使电极焊盘(62)和电极层形成为多层，以形成焊盘结构。