公开(公告)号：CN113299785B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202110367441.5

申请日：2021-04-06

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  翟琼华 ,  丁明正 ,  傅剑宇 ,  孙朋 ,  殷华湘 ,  颜刚平 ,  田国良

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种硅基探测器及其制作方法，该硅基探测器包括衬底以及设置在所述衬底上的器件结构层，所述器件结构层包括沿垂直所述衬底平面方向向上依次设置的吸收层、增益层、第一电荷层、第二电荷层和接触层；所述器件结构层还包括环状结区，所述环状结区位于所述吸收层上方，且套设在所述增益层、所述第一电荷层、所述第二电荷层和所述接触层的边缘外侧；所述环状结区与所述吸收层、第一电荷层和第二电荷层的掺杂类型均不同。该硅基探测器通过引入第二电荷层可以有效增加增益区的深度，提高器件的耗尽电压与击穿电压，获得合适的增益与较高的时间分辨，同时能够减少探测器对高能离子注入等极端工艺和设备的依赖。

公开(公告)号：CN113192891A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110466171.3

申请日：2021-04-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  殷华湘 ,  徐秋霞 ,  田国良 ,  颜刚平 ,  翟琼华 ,  丁明正

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及制备方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底已形成有P阱、N阱及隔离结构；在所述衬底上依次形成高K栅介质层、金属栅电极层和功函数调节层，其中，所述P阱和所述N阱上方的所述金属栅电极层为同一材料；向所述高K栅介质层、所述金属栅电极层及所述功函数调节层掺杂，以获得P型器件与N型器件栅极的不相同的预设功函数；形成栅极堆叠，并制备源漏区。

公开(公告)号：CN113178477A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110262011.7

申请日：2021-03-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 田国良 ,  许高博 ,  殷华湘 ,  项金娟

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种HfO2基铁电薄膜及其沉积方法。一种HfO2基铁电薄膜的沉积方法包括：在半导体载体表面形成一层羟基；然后依次沉积铪的氮氧化物薄膜、其他元素的氮氧化物薄膜，或者沉积依次其他元素的氮氧化物薄膜、铪的氮氧化物薄膜；沉积顶电极；退火；其中，所述铪的氮氧化物薄膜由铪前驱体与NH3、氧化剂反应生成；所述其他元素的氮氧化物薄膜由其他元素的前驱体与NH3、氧化剂反应生成，并且其他元素选自Al、Zr、La、Gd和Si中至少一种。本发明能够有效地减少氧化铪基铁电薄膜中的氧空位缺陷，从而提升其可靠性。

公开(公告)号：CN113178478B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202110275040.7

申请日：2021-03-15

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 田国良 ,  许高博 ,  殷华湘 ,  刘金彪

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/02 ,  H10B51/00 ,  H10N50/01 ,  H10N50/85 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种铁电薄膜及其沉积方法。一种铁电薄膜的沉积方法，包括：在半导体载体沉积HfO2基薄膜；在所述HfO2基薄膜上沉积顶电极；向所述顶电极注入离子；退火。或者，一种铁电薄膜的沉积方法，包括：向半导体载体注入离子；沉积HfO2基薄膜；在所述HfO2基薄膜上沉积顶电极；退火。本发明能够有效地减少氧化铪基铁电薄膜中的氧空位缺陷，从而提升其可靠性。

公开(公告)号：CN115763428A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211277435.1

申请日：2022-10-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 殷华湘 ,  田国良 ,  许高博 ,  吴振华

IPC: H01L23/538 ,  G11C11/22 ,  G11C11/36 ,  G11C11/40 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种单片3D异质集成的多级缓存电路单元结构与制造方法。其包括由下至上堆叠的四个功能层：SRAM缓存层、无电容DRAM层、铁电场效应晶体管存储层和铁电二极管层，以及穿过各层的垂直接触孔；SRAM缓存层以硅为衬底；且无电容DRAM层、铁电场效应晶体管存储层均没有衬底，直接设置于其下方的功能层表面；且铁电二极管层与铁电场效应晶体管存储层之间设有金属互连层；垂直接触孔内填充导电插塞，导电插塞与金属互联层以及SRAM缓存层中的漏极、无电容DRAM层中的漏极、铁电场效应晶体管存储层中的漏极均互连。本发明解决了现有缓存架构中各级缓存间的互联通道较长导致延迟较高的问题。

公开(公告)号：CN113675296A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110796275.0

申请日：2021-07-14

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 丁明正 ,  许高博 ,  翟琼华 ,  傅剑宇 ,  孙朋 ,  殷华湘 ,  颜刚平 ,  田国良 ,  李琳 ,  张琦辉 ,  贺晓彬

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明提供了一种硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置，该制造方法包括：提供经流片完成后的探测器晶圆；将所述探测器晶圆进行真空加热处理。该制造方法通过增加真空加热处理工艺，对经流片完成后的探测器晶圆进行热处理，因而能够降低探测器晶圆的暗电流，并提高其击穿电压，提高了器件性能。

公开(公告)号：CN113178478A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110275040.7

申请日：2021-03-15

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 田国良 ,  许高博 ,  殷华湘 ,  刘金彪

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/02 ,  H01L27/11585 ,  H01L29/78 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及一种铁电薄膜及其沉积方法。一种铁电薄膜的沉积方法，包括：在半导体载体沉积HfO2基薄膜；在所述HfO2基薄膜上沉积顶电极；向所述顶电极注入离子；退火。或者，一种铁电薄膜的沉积方法，包括：向半导体载体注入离子；沉积HfO2基薄膜；在所述HfO2基薄膜上沉积顶电极；退火。本发明能够有效地减少氧化铪基铁电薄膜中的氧空位缺陷，从而提升其可靠性。