公开(公告)号：CN103794502A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201210424681.5

申请日：2012-10-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王桂磊 ,  杨涛 ,  徐强 ,  闫江 ,  李俊峰 ,  赵超

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66568

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成伪栅极堆叠结构；在衬底中伪栅极堆叠结构两侧形成源漏区，并且在衬底上伪栅极堆叠结构两侧形成栅极侧墙；去除伪栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中依次形成界面层、栅极绝缘层、盖帽层、栅极导电层、阻挡盖帽层；采用ALD法，在阻挡盖帽层上形成金属钨层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，采用ALD法在金属栅极顶部沉积W层，有效改善了金属栅极薄膜台阶覆盖性，提升了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN105374682A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410433485.3

申请日：2014-08-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 徐强 ,  熊文娟 ,  张永奎 ,  殷华湘

IPC: H01L21/336

Abstract: 本申请公开一种控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法。该方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍片Fin；对所述Fin的关键尺寸进行测量；根据所述Fin的关键尺寸与Fin的规格要求的差异，查找预先获得的不同退火工艺对硅的消耗量，确定对所述衬底上的Fin的退火工艺；按照确定的退火工艺对所述衬底上的Fin进行退火。该方法避免了因Fin尺寸不符合规格要求而产生的重复光刻或产品报废问题，能够高效的修正或控制Fin的尺寸，避免了浪费。

公开(公告)号：CN104944366A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410116990.5

申请日：2014-03-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨涛 ,  徐强 ,  洪培真 ,  李俊峰 ,  赵超

IPC: B81C99/00

Abstract: 本发明提供一种硅深孔工艺的监测方法，包括：提供硅深孔填充后的质量目标值以及其容差范围；在硅深孔填充后，获得量产晶圆的质量；判断量产晶圆质量是否在质量目标值的容差范围内。通过测量硅深孔填充后的质量，来间接监测硅深孔填充工艺的是否达到要求，该方法直观、快速并对晶圆没有损伤，适用于量产时对硅深孔填充制程的有效监测。

公开(公告)号：CN104253049A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201310269697.8

申请日：2013-06-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 秦长亮 ,  徐强 ,  洪培真 ,  殷华湘 ,  尹海洲 ,  李俊峰 ,  赵超

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8238 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件制造方法，在CMOS后栅工艺的双应变应力层的集成工艺中，在打开虚设栅极之后、形成栅极凹槽之前，采用氮等离子体，对暴露的部分张应力层进行处理，使得张应力层在随后的腐蚀工艺中不被去除，避免了器件性能降低甚至失效。氮等离子处理工艺与常规工艺兼容，在未明显增加工艺复杂性的情况下，提高了器件良率。

公开(公告)号：CN105336784B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201410397828.5

申请日：2014-08-13

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王桂磊 ,  赵超 ,  徐强

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极沟槽；在栅极沟槽中依次形成栅极绝缘层、栅极导电层；在栅极导电层上形成TiN或者WN材质的阻挡层；采用ALD法淀积金属W层，进一步包括：步骤a1，交替通入SiH4气体、与WF6气体，反应形成不含B的第一类型W层；步骤a2，交替通入B2H6和SiH4的混合气体、与WF6气体，反应形成含有B的第二类型W层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在ALD法沉积W之时预先通入使用SiH4气体，再通入B2H6和SiH4混合气体交替反应方式形成ALD W薄膜，在保证了ALD W薄膜的填孔性能的同时，又避免了硼元素在阻挡层的界面富集以及穿透到高k材料中，并同时提升了W薄膜和阻挡层薄膜的粘附性，增大了W CMP工艺的窗口以及器件的可靠性。

公开(公告)号：CN104916538B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201410089112.9

申请日：2014-03-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王桂磊 ,  赵超 ,  徐强 ,  杨涛

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成栅介质层以及其上的金属栅极层；在金属栅极层表面上形成扩散阻挡层；采用ALD工艺，在扩散阻挡层上形成填满栅沟槽的钨层，所述扩散阻挡层阻挡形成钨层过程中的前驱物中离子的扩散。扩散阻挡层阻挡ALD形成钨层时前驱物中离子的扩散，有效提高了器件的性能以及可靠性。

公开(公告)号：CN105448762A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410433072.5

申请日：2014-08-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 徐强 ,  杨涛 ,  贺晓彬

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请公开一种衬底翘曲度的调整方法。该方法包括：获得衬底的翘曲度，其中，所述衬底的第一表面上形成有第一薄膜；判断所述衬底的翘曲度的绝对值是否大于或等于翘曲度阈值；若是，则在所述衬底的第二表面上形成调整薄膜，使所述衬底的翘曲度小于所述翘曲度阈值，其中，所述调整薄膜的膨胀系数与所述第一薄膜的膨胀系数均小于所述衬底的膨胀系数，或者，所述调整薄膜的膨胀系数与所述第一薄膜的膨胀系数均大于所述衬底的膨胀系数；所述第一表面的法线方向与所述第二表面的法线方向相反。该方法能够在不影响原有衬底加工工艺的情况下，高效的对衬底的翘曲度进行可控调整，保证了产品的性能，并能够使得薄膜沉积之后的光刻工艺等顺利进行。

公开(公告)号：CN104766792A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201410003202.1

申请日：2014-01-03

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 徐强 ,  赵超 ,  罗军 ,  王桂磊 ,  杨涛 ,  李俊峰

IPC: H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/66545 ,  H01L21/28506

Abstract: 本发明公开了一种沉积钨(W)层的方法。该方法可以包括：对衬底进行预处理，以在衬底的表面上沉积SiH4源W膜；以及在经预处理的表面上沉积B2H6源W层。通过该方法，一方面可以实现优异的填充性能；另一方面，可以改善粘附性能。

公开(公告)号：CN104465389A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310446229.3

申请日：2013-09-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘金彪 ,  徐强 ,  熊文娟 ,  李春龙 ,  李俊峰 ,  刘青 ,  王垚

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/265 ,  H01L29/0847

Abstract: 本发明提供了一种FinFet器件源漏区的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍；在鳍的源漏区域进行离子注入；覆盖鳍的源漏区域以形成界面层，鳍顶部的界面层的厚度大于鳍侧面的界面层的厚度；进行热退火；去除界面层。由于杂质在鳍与界面层的分凝作用，杂质会向界面层扩散，并且在界面层越厚地方析出更多的杂质，通过去除鳍表面析出的杂质，实现均匀的共型掺杂。