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公开(公告)号：CN117727625A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311785167.9
申请日：2023-12-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/311 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种晶体管中鳍及鳍式场效应晶体管的制作方法。一种晶体管中鳍的制作方法，其包括：在衬底上外延半导体层；利用侧墙转移技术将所述半导体层刻蚀成鳍状部；用臭氧氧化所述鳍状部的侧壁，在侧壁形成氧化膜；利用原子层刻蚀法刻蚀去除所述氧化膜。本发明能够降低Fin粗糙度和界面态密度，从而可以提升器件性能。
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公开(公告)号：CN117038437A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210466214.2
申请日：2022-04-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/311 , H10B12/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体有源区中非共形非晶硅膜的制备方法及得到的半导体结构。半导体有源区中非共形非晶硅膜的制备方法，包括：提供蚀刻有沟槽的半导体基底；在所述半导体基底表面沉积非晶硅，形成从沟槽底部到顶部的第一层硅膜；在所述第一层硅膜的表面进行氧化物间隙填充，再回刻至沟槽顶部露出，并且使沟槽底部保留部分氧化物；然后沉积非晶硅，形成从沟槽底部到顶部的第二层硅膜；再进行侧墙蚀刻除去沟槽底部的第二层硅膜；去除间隙填充的氧化物，可选择性地对沟槽表面剩余的硅膜减薄。本发明采用多次间隔沉积硅膜并去除氧化物的方法，获得非共形的非晶硅膜，具有台阶覆盖率可调的优点，并且获得的“非共形”效果好。
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公开(公告)号：CN114695265A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011568355.2
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及一种形成接触部的方法及制造位线结构和存储节点接触的方法。形成接触部的方法：所述半导体衬底上形成有接触孔；向接触孔中沉积多晶硅，然后选择性进行回刻，形成多晶硅层；在多晶硅层表面外延生长单晶硅层，然后回刻。制造位线结构的方法：利用上述方法形成接触部，在接触部形成阻挡层和导体层；在金属层上形成帽层；刻蚀帽层、导体层、阻挡层和接触部形成位线叠层；在位线叠层两侧形成位线侧墙。制造存储节点接触的方法：如上述方法形成接触部；在接触部上形成阻挡层和金属层；对阻挡层和金属层进行图案化以形成接触焊盘。本发明简化了去除多晶硅层缝隙/孔洞的工艺流程，提高了生产效率，并且采用同质膜，能够改善器件的导电特性。
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公开(公告)号：CN114628316A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011443097.5
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及一种接触孔内填充磷掺杂多晶硅的方法及位线接触孔插塞、存储节点接触孔插塞的制备方法。一种接触孔内填充磷掺杂多晶硅的方法，包括：在半导体衬底上形成接触孔；向所述接触孔内沉积多晶硅，并供应磷源进行同步磷掺杂；并且在所述沉积过程中，所述磷源浓度逐步减低。本发明采用多阶段沉积不同浓度磷掺杂的多晶硅，可以保证填充物的浅表层处磷浓度为最低点，从而避免过量磷生成的氧化磷对回刻形貌的不利影响。
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公开(公告)号：CN114628275A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011443033.5
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请属于半导体加工设备技术领域，具体涉及一种冷却装置及具有其的半导体扩散设备。所述冷却装置包括：壳体，所述壳体内形成有容纳扩散炉体的容纳空间，所述扩散炉体内容纳有晶圆；至少两个喷射口，至少两个所述喷射口沿所述扩散炉体的长度方向均匀设置在所述壳体上，至少两个所述喷射口与所述容纳空间连通，至少两个所述喷射口用于向所述扩散炉体喷射冷却介质。根据本发明的冷却装置，使冷却介质通过沿扩散炉体的长度方向设置的至少两个喷射口分别向扩散炉体喷射，以冷却介质通过不同的喷射口直接对扩散炉体进行冷却，从而保证扩散炉体的不同位置的冷却速度，至少两个喷射口均匀布置在壳体上，使扩散炉体及其内部的晶圆冷却均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111446309B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010206294.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/102 , H01L31/18 , G02B6/12 , G02B6/124 , G02B6/125
Abstract: 本发明公开一种波导集成型光电探测器及其制作方法，涉及光电技术领域。所述波导集成型光电探测器包括衬底、至少一条光波导、以及光电转换结构。光波导形成在衬底上方。每条光波导包括导向部。导向部具有多个导向结构，多个导向结构中的至少两个沿着衬底的厚度方向分布，相邻两个导向结构在衬底上的正投影边缘接合。光电转换结构形成在光波导背离衬底的上方。本发明提供的波导集成型光电探测器中导向部包括呈台阶状分布的多个导向结构。多个导向结构可以对光线进行传输和导向，使得这些光线可以导入至光电转换结构，完成光电转换过程，从而实现由波导材料形成的光波导与光电转换结构的集成化，提高波导集成型光电探测器的单片集成度。
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公开(公告)号：CN114381807A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011142246.4
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C30B31/06 , C30B31/16 , H01L21/223
Abstract: 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种扩散炉。本申请的扩散炉包括炉体、多个气体导出口和至少一个排气口，炉体内限定出反应腔，多个气体导出口沿炉体的轴向方向间隔设于反应腔的侧壁上，多个气体导出口与至少一个排气口相连通。根据本申请的扩散炉，通过设置与排气口相连通的多个气体导出口，且使多个气体导出口沿炉体的轴向方向间隔设置，能够使扩散炉内未参与反应的气体通过多个气体导出口及时排出，保证扩散炉内反应气体的分布均匀，防止由于炉体内的未反应气体堆积导致晶圆的扩散厚度不一致，从而有效地提高晶圆的扩散质量。
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公开(公告)号：CN114334705A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011080439.1
申请日：2020-10-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种半导体晶片热处理设备的温度校准装置，该温度校准装置包括夹具和温度校准工具。夹具包括支座和支脚，支座上开有通孔，支脚固定于支座下表面。温度校准工具具有向外侧伸出的探头，该探头穿过支座上的通孔。其中，温度校准工具固定于夹具上。夹具可与温度校准工具形成固定连接结构或者一体成型而成。基于相互固定的夹具和温度校准工具，本公开能够在检测过程使温度检测工具的探头位置始终不变、不需手动调节，进而使温度检测工具得到准确的、可信度较高的温度检测结果。而且本公开还提供了可自旋转的探头，从而能够将自旋转过程中得到的最大温度值作为当前位置的检测结果，再以此检验结果对温度传感器进行校准。
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公开(公告)号：CN109725384A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910185469.X
申请日：2019-03-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种锗基光波导及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，在第一衬底上顺序形成第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层，第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层沿远离衬底的方向顺序层叠；S2，在第二氮化硅层中形成与锗籽晶层连通的第一凹槽，并在第一凹槽中填充锗材料以形成脊形波导芯层；S3，形成覆盖第二氮化硅层和脊形波导芯层的第三氮化硅层，第二氮化硅层与第三氮化硅层构成锗基光波导的上包层，第一氮化硅层为锗基光波导的下包层，脊形波导芯层位于上包层和下包层之间。上述结构能够实现锗基波导的透光波段延伸到红外波的7.5μm左右，使具有该锗基光波导的光子集成芯片的工作波长能够扩展至中红外波段。
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公开(公告)号：CN103390552A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210141445.2
申请日：2012-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/324
Abstract: 本发明实施例提供一种退火系统，包括混合气体源与退火炉，所述混合气体源通过炉外进气管与所述退火炉的后端相连，所述混合气体源与所述炉外进气管之间设置有阀门，所述阀门与所述炉外进气管之间设置有流量计；其中，所述退火炉包括炉体和炉盖，所述炉体为圆柱体型结构，所述炉盖设置在所述退火炉的前端；所述混合气体源用于向所述退火系统提供氮气与氢气的混合气体，其中，所述氮气与氢气的比例在90%：10%~95%：5%之间。采用用于向退火系统提供氮气与氢气的混合气体源，在退火过程中，向退火炉中通入一定比例的氮气与氢气的混合气体，避免了由于退火系统发生故障导致退火炉中氢气含量过高的危险，能够极大地提高退火系统的安全性。
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