-
公开(公告)号：CN114623862B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202011453148.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体量测技术领域，具体涉及一种半导体量测设备及其清洁方法，所述半导体量测设备包括：晶圆装载端口，所述晶圆装载端口用于存放晶圆；晶圆量测装置，所述晶圆量测装置用于测量所述晶圆的参数；EFEM模块，所述晶圆转送装置用于将晶圆在所述量测设备各个模块之间传送；清洁模块，所述清洁模块用于在所述半导体量测设备运行时清洁所述晶圆装载端口、EFEM模块和晶圆量测装置。根据本申请的半导体量测设备，通过在半导体量测设备中设置清洁模块，使半导体量测设备在不停机的状态下，即可对晶圆装载端口、EFEM模块和晶圆量测装置等进行周期性清洁，从而提高半导体量测设备的生产效率。
-
公开(公告)号：CN116666251A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210148601.1
申请日：2022-02-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种半导体干燥装置，半导体干燥装置，包括：支撑摆臂；旋转驱动机构，与所述支撑摆臂驱动连接，所述旋转机构用于驱动所述支撑摆臂摆动；第一喷嘴，设置在所述支撑摆臂上，能沿所述支撑摆臂直线运动；所述第一喷嘴用于喷洒第一流体；第二喷嘴，设置在所述支撑摆臂上，能沿所述支撑摆臂直线运动；所述第二喷嘴用于喷洒第二流体。本发明提供的半导体干燥装置，能够避免两个喷头之间的碰撞，缩小干燥单元所占空间，提高干燥能力。
-
公开(公告)号：CN116666250A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210147283.7
申请日：2022-02-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种晶圆加工处理设备，其包括：机箱、处理仓、去除仓和传送件；所述处理仓和所述去除仓均与所述机箱连通，所述传送件位于所述机箱内；所述处理仓用于为晶圆进行加工处理提供空间；所述去除仓用于为晶圆去除残留物提供密闭的空间；所述传送件用于将晶圆在所述处理仓和去除仓之间进行传递；所述去除仓固定连接有输气管，所述输气管用于向所述去除仓内充入稳定气体，以吹除晶圆上的残留物。本发明能够在晶圆进行加工处理前和/或加工处理后，快速的去除晶圆上的残留物。
-
公开(公告)号：CN116661264A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210148380.8
申请日：2022-02-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/42 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种光刻胶去除装置和光刻胶去除方法，其中，光刻胶去除装置包括：清洗腔、卡盘和喷头；所述卡盘和所述喷头均位于所述清洗腔内；所述卡盘用于支撑晶圆；所述喷头用于喷洒去胶液；所述卡盘内固定设置有加热件；所述加热件用于对所述卡盘所支撑的晶圆进行加热。本发明能够提高去除光刻胶的效率，减少去胶液的用量，减少工艺时间，降低去除光刻胶的工艺成本。
-
公开(公告)号：CN111554574B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010426605.2
申请日：2020-05-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , H10B12/00
Abstract: 本发明公开一种平坦化方法、半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，以解决在去除蒸镀栅电极材料产生的晶界时，出现高度差异的问题。所述平坦化方法包括：提供一衬底；在衬底上形成材料层；对材料层进行改性，使得改性后材料层的表面粗糙度小于改性前材料层的表面粗糙度；去除材料层的上部，使得材料层平坦化。本发明提供的平坦化方法用于形成半导体器件。所述半导体器件的制作方法用于制作半导体器件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111653568B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202010486026.7
申请日：2020-06-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制造方法、DRAM和半导体芯片，属于半导体技术领域，解决了现有技术中有源接触件与位线侧墙的拖尾部位接触而导致的导体间的短路的问题。一种半导体结构包括：半导体衬底；位线，位于所述半导体衬底上；以及位线侧墙，位于所述位线两侧，所述位线侧墙包括从内向外的第一氮化物侧墙层、氧化物侧墙层和第二氮化物侧墙层，其中，所述氧化物侧墙层的底部高于所述第一氮化物侧墙层和所述第二氮化物侧墙层的底部。通过氧化物侧墙层的底部高于第一氮化物侧墙层和第二氮化物侧墙层的底部能够避免位线与有源接触件短路。
-
公开(公告)号：CN114952625A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110195143.2
申请日：2021-02-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B24B57/02
Abstract: 本发明提供一种研磨液供应喷头，包括：研磨液过滤器，入口与研磨液供应单元连通；研磨液喷嘴，与所述过滤器出口连通。还提供一种研磨液供应系统，包括：研磨液供应模块，用于提供研磨液；如上述任意一项所述的研磨液供应喷头，所述研磨液供应喷头与所述研磨液供应模块通过管道连通。还提供一种研磨设备，包括：旋转平台；研磨垫，设置在所述研磨平台上表面；如上述任意一项所述的研磨液供应系统，所述研磨液供应喷嘴设置在所述研磨垫的上方。本发明能够对大颗粒的聚集物进行过滤，避免出现大颗粒的聚集物对半导体器件的表面形成划痕。
-
公开(公告)号：CN114678289A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011555153.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种清洗液供给装置及半导体清洗设备，该清洗液供给装置包括储液腔、补液管。在储液腔内设置有换热管。且换热管至少部分浸泡储液腔内的清洗液中。通过在储液腔内设置与补液管连通的换热管，且换热管至少部分浸泡在储液腔内的清洗液中，在通过补液管向储液腔补充清洗液时，补液管中的清洗液从换热管中流到储液腔内。且清洗液在换热管中流动时，换热管中的清洗液与储液腔中的清洗液在存在温差时，相互之间会进行热交换，从而使从换热管中流入到储液腔中的清洗液的温度可以在较短的时间内和原来储液腔中的温度达成一致，以保证补充到储液腔中的清洗液的温度为恒温。只需一个储液腔即可，简化结构，减少浪费。
-
公开(公告)号：CN114664652A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011548032.7
申请日：2020-12-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/3105
Abstract: 本发明涉及一种改善虚拟图案碟陷的方法，属于半导体制造工艺技术领域，解决了现有技术中CMP中在停止层图形密度低的区域，研磨速率高的薄膜被研磨，产生碟陷缺陷的问题。本发明的改善虚拟图案碟陷的方法，包括：提供形成有衬底图案的半导体衬底，衬底图案之间是过渡区；形成仅位于衬底图案的上第一停止层；在衬底上形成沉积膜层，沉积膜层在过渡区形成向衬底方向的沟槽，沟槽上的沉积膜层的顶面与衬底图案的顶面齐平；在沉积膜层上方形成第二停止层，使第二停止层在沟槽上方底面与衬底图案顶面齐平，第二停止层在沟槽上方顶面与第一停止层顶面齐平；第一停止层和第二停止层的研磨速率小于沉积膜层。实现了制作虚拟图形时无碟陷的完全平坦化处理。
-
公开(公告)号：CN114653651A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011555813.9
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B08B3/02 , B08B3/08 , B08B13/00 , H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种晶圆清洗装置及清洗方法，其中晶圆清洗装置包括：至少一个输液管；所述至少一个输液管沿长度方向上设置有多个喷嘴；所述至少一个输液管开设有多个进液口，其中，所述多个进液口中的两个进液口分别位于所述输液管的两端。本发明能够保证同一输液管上的所有喷嘴对晶圆的清洗效果，提高晶圆清洗装置内不同晶圆间的腐蚀均匀性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
170
records
(took 0.038 seconds)
