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公开(公告)号：CN119451191A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411396937.5
申请日：2024-10-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，半导体器件包括衬底、沟道层堆栈部、栅极绝缘层、环绕式栅极和源漏功能部，沟道层堆栈部形成于衬底一侧，包括沿衬底的厚度方向间隔排列的多个功能层组，功能层组包括沿衬底的厚度方向层叠设置的沟道层和至少一层保护层，功能层组的长度方向垂直于衬底的厚度方向，功能层组包括沿长度方向排列的第一区、中间区和第二区，保护层至少位于中间区，沟道层位于第一区、中间区和第二区；栅极绝缘层沿围绕功能层组的长度方向的方向环绕中间区；环绕式栅极沿围绕功能层组的长度方向的方向环绕栅极绝缘层。本申请提供的半导体器件的性能得到显著提升。
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公开(公告)号：CN119709203A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411605471.5
申请日：2024-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种蚀刻液和半导体器件的制备方法，该蚀刻液用于刻蚀氮化硅，该蚀刻液包括磷酸溶液和有机溶剂，有机溶剂包括烯丙基三甲氧基硅烷有机溶剂和乙烯基三甲氧基硅烷有机溶剂中的一者。应用本申请提供的蚀刻液制备的半导体器件的良率和性能得到显著提升。
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公开(公告)号：CN118888585A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410814335.0
申请日：2024-06-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种堆叠纳米片环绕栅极场效应晶体管及其制备方法。该堆叠纳米片环绕栅极场效应晶体管，包括：衬底；位于所述衬底上的第一源漏极和第二源漏极；栅极，位于所述衬底上，位于所述第一源漏极和所述第二源漏极之间，且与所述第一源漏极和所述第二源漏极之间均形成有一空气侧墙；多个硅材料纳米片层，互相间隔地设置于所述栅极中，每一所述硅材料纳米片层分别连接所述第一源漏极和所述第二源漏极，每一所述硅材料纳米片层平行于所述衬底的上表面。本申请实施例的堆叠纳米片环绕栅极场效应晶体管，结构简单，寄生电容较小，工作速率较高。
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公开(公告)号：CN118553774A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410749434.5
申请日：2024-06-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/775 , H01L21/335 , H01L29/417 , H01L29/06
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，该半导体器件包括衬底、沟道层堆栈部、环绕式栅极、源漏功能部和第一侧墙，沟道层堆栈部形成于衬底一侧，包括多个沟道层，沟道层的长度方向垂直于衬底的厚度方向，沟道层包括沿长度方向排列的第一端、中间段和第二端；环绕式栅极沿围绕沟道层的长度方向环绕中间段；第一侧墙位于源漏功能部与环绕式栅极之间，且位于相邻沟道层的第一端之间以及相邻沟道层的第二端之间，第一侧墙包括沿长度方向排列的第一部分和第二部分，第一部分与环绕式栅极接触，第二部分与源漏功能部接触，第一部分和第二部分的材质不同。本申请提供的半导体器件内膜层间位错较小，从而有助于提升半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN118888445A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410814338.4
申请日：2024-06-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种堆叠纳米片围栅场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管。该制备方法包括：在衬底上沉积形成叠层，叠层包括交替层叠设置的多个硅材料纳米片层与多个硅合金层；刻蚀硅合金层形成第一回缩腔，第一回缩腔位于相邻两个硅材料纳米片层之间；在第一回缩腔中制备覆盖第一回缩腔内侧表面的保护层，保护层凹陷形成第二回缩腔；基于第二回缩腔制备位于衬底上的栅极和两个源漏极，栅极与任一源漏极之间均形成有一空气侧墙；去除第一空间内的第一介电常数介质，第一空间为空气侧墙内由最高层的硅材料纳米片层上表面、栅极、以及任一源漏极所围成的空间，制备的晶体管结构较为简单，大幅降低了寄生电容，能够提高晶体管所在电路的工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117995903A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311786481.9
申请日：2023-12-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/16 , H01L23/373 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种纳米片环栅晶体管及其制备方法。一种纳米片环栅晶体管，其包括：表面具有浅沟槽隔离结构的衬底；设置于衬底上方的纳米片堆栈部，其中，纳米片堆栈部包括多个纳米片形成的叠层，纳米片形成的叠层构成多个导电沟道，纳米片为石墨烯纳米片；环绕式栅极，其环绕纳米片堆栈部；源漏区，位于纳米片堆栈部的相对的两侧，源漏区与环绕式栅极之间设置有侧墙。发明选用石墨烯作为纳米片环栅晶体管的纳米片沟道可以大幅提高器件的电子传输速度。
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公开(公告)号：CN118571928A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410749518.9
申请日：2024-06-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/775 , H01L21/335 , H01L29/417 , H01L29/06
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，该半导体器件包括衬底、沟道层堆栈部、环绕式栅极、源漏功能部和侧墙结构，沟道层堆栈部形成于衬底一侧，包括沿衬底的厚度方向排列的多个沟道层，沟道层的长度方向垂直于衬底的厚度方向，沟道层包括沿长度方向排列的第一端、中间段和第二端；环绕式栅极环绕中间段；侧墙结构，包括第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙位于相邻沟道层的第一端之间以及相邻沟道层的第二端之间，第一侧墙包括空腔；第二侧墙位于沟道层堆栈部背离衬底一侧，且沿长度方向位于环绕式栅极两侧，第一侧墙的材质的介电常数高于第二侧墙的材质的介电常数。本申请提供的半导体器件可实现寄生电容与驱动性能的兼顾。
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公开(公告)号：CN117727625A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311785167.9
申请日：2023-12-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/311 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种晶体管中鳍及鳍式场效应晶体管的制作方法。一种晶体管中鳍的制作方法，其包括：在衬底上外延半导体层；利用侧墙转移技术将所述半导体层刻蚀成鳍状部；用臭氧氧化所述鳍状部的侧壁，在侧壁形成氧化膜；利用原子层刻蚀法刻蚀去除所述氧化膜。本发明能够降低Fin粗糙度和界面态密度，从而可以提升器件性能。
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公开(公告)号：CN117594447A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311406795.1
申请日：2023-10-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/15
Abstract: 本发明涉及一种高空穴迁移率沟道的围栅堆叠纳米片器件及其制备方法。制备方法，其包括：提供衬底；在衬底表面形成硅层和石墨烯层交替层叠的超晶格叠层；刻蚀超晶格叠层以及衬底的部分厚度，形成鳍；在衬底上形成第一介质层，作为鳍之间的浅沟槽隔离层；在鳍上形成假栅，在假栅的侧壁上形成第一侧墙；刻蚀鳍中的超晶格叠层，释放出待形成源漏的凹槽；在鳍中的超晶格叠层的侧壁形成第二侧墙；在凹槽外延半导体材料，形成源漏；去除假栅；刻蚀掉超晶格叠层中的石墨烯层，实现纳米片沟道释放，纳米片形成的叠层构成多个导电沟道；形成环绕式栅极，其环绕纳米片形成的叠层。本发明提高了P管的空穴迁移率，克服P管性能退化的问题。
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公开(公告)号：CN117542738A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311666039.2
申请日：2023-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/56 , H01L29/78 , H01L23/31
Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制造方法，方法包括：利用氢源、氧源和硅源在第二半导体层的表面形成界面层并对界面层和第二半导体层之间的界面进行钝化，形成界面层的工艺温度小于温度阈值，这样可以一方面通过控制工艺温度从而降低去钝化效果，另一方面通过利用氢源、氧源和硅源同时达到形成界面层，对界面层以及第二半导体层之间的界面进行钝化处理的效果，即实现同时形成界面层且降低界面层和第二半导体层之间的界面态密度的效果。这样通过利用工艺温度较低的界面层形成工艺以及钝化工艺，从而降低去钝化的效果，提高钝化效果，从而降低界面态密度，降低亚阈值摆幅，降低负偏压温度不稳定性，提高器件性能。
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