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公开(公告)号：CN110117780B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201910208837.8
申请日：2019-03-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种二维材料层及制备方法，包括步骤：提供一衬底，于衬底上表面形成二维材料层；采用导电型针尖扫描所述二维材料层的上表面，所述导电型针尖具有激发电压。本发明的二维材料层及制备方法能很大程度降低界面的摩擦，从而延长器件的寿命，减少功耗，提高效率，还能节能环保，减少经济损失。
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公开(公告)号：CN109883950A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910129446.7
申请日：2019-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/01 , G01N21/84 , C01B32/184 , C01B32/186 , C23C16/26 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种二维材料生长的定位观测方法，包括如下步骤：1)获取标记石墨烯；2)提供生长衬底，并将标记石墨烯转移到生长衬底的上表面；3)于生长衬底的上表面生长二维材料；4)以标记石墨烯为标记对二维材料进行定位观测。本发明的二维材料生长的定位观测方法可以实现对二维材料的生长情况进行精确地定位观测；本发明中使用原子力显微镜定位观测二维材料的生长情况，对二维材料层的生长条件没有严格的要求，操作简单易行，测试成本较低；在生长衬底的上表面进行二维材料的多次生长时，二维材料每次生长的生长条件可以不同，可以实现对二维材料在不同生长条件下于同一区域的生长情况进行定位观测。
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公开(公告)号：CN109850877A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910130002.5
申请日：2019-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯纳米带的转移方法，包括如下步骤：提供一初始衬底；在所述初始衬底上形成石墨烯纳米带；在所述初始衬底及所述石墨烯纳米带的上方形成支撑层，所述支撑层包覆所述石墨烯纳米带；提供一目标衬底，将所述目标衬底与所述支撑层键合；去除所述初始衬底。本发明通过在初始衬底上形成支撑层，包覆石墨烯纳米带，并将所述支撑层与目标衬底键合，实现石墨烯纳米带的转移，避免了石墨烯纳米带在转移中容易出现有机物残留及结构损坏的问题，提高了制品良率。
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公开(公告)号：CN109824032A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910129693.7
申请日：2019-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明提供一种晶圆级石墨烯薄膜的转移方法,晶圆级石墨烯薄膜的转移方法包括如下步骤：提供生长衬底；于所述生长衬底的上表面形成石墨烯薄膜；至少于所述石墨烯薄膜的上表面形成缓冲保护层；提供目标衬底，将所述目标衬底与位于所述石墨烯薄膜的上表面的所述缓冲保护层键合；去除所述生长衬底。本发明的晶圆级石墨烯的转移方法中，在石墨烯薄膜的转移过程中不需使用PMMA等有机物，在石墨烯薄膜转移后不会有有机物残留，从而克服了有机物残留造成器件电子的散射的问题，进而确保石墨烯的载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN105428300B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201410472955.7
申请日：2014-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种吸附剥离制备绝缘体上材料的方法，包括以下步骤：提供一衬底，在其上依次外延掺杂单晶层、超晶格结构层及待转移层；然后进行离子注入，使离子注入到所述掺杂单晶层下表面以下预设深度；再提供一表面形成有绝缘层的基板，与待转移层键合形成键合片并进行退火处理，使掺杂层吸附离子形成微裂纹从下表面处剥离，得到绝缘体上材料。本发明利用掺杂层吸附剥离及键合来制备绝缘体上材料，其中，掺杂层由掺杂单晶层及非掺杂或低掺杂的超晶格结构层叠加而成；超晶格结构层可以增强掺杂单晶层的离子吸附能力，使得掺杂单晶层在低掺杂浓度下也可以发生吸附剥离，而低掺杂浓度可以降低掺杂离子扩散到待转移层中的几率，保证待转移层的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105060286B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510532088.6
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种褶皱状石墨烯的制备方法，包括：提供一催化基底，将所述催化基底放入生长腔室，往所述生长腔室通入碳源，并将所述催化基底加热至预设温度，在所述催化基底表面生长得到石墨烯；在非氧化性保护气氛下，调节降温速率，使所述石墨烯表面出现预设高度、宽度及密度的褶皱。本发明以催化基底例如半导体材料锗（体锗、绝缘体上锗、体硅上外延锗、三五族上外延锗等）为催化剂，通过气态或固态碳源在催化基底表面制备石墨烯，在非氧化性气氛保护下，调节降温速率(200℃/min‑1℃/min)，可以方便高效的控制制备的石墨烯表面褶皱的形貌（高度、宽度）及密度，制得的褶皱状石墨烯在传感器、柔性电子器件、生物等领域具有重要应用。
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公开(公告)号：CN104752308B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201310732416.8
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法，包括以下步骤：S1：提供一Si衬底，在所述Si衬底表面外延生长掺杂单晶薄膜；S2：接着再外延生长一待转移层；S3：从所述待转移层正面进行离子注入，使离子注入到所述掺杂单晶薄膜与所述Si衬底的界面以下预设深度；S4：提供表面具有绝缘层的基板与所述待转移层键合形成键合片，并在第一预设温度下退火并保持第一预设时间，以使所述掺杂单晶薄膜吸附离子并形成微裂纹；S5：再将所述键合片在第二预设温度下退火并保持第二预设时间，剥离得到绝缘体上材料；所述第一预设温度高于所述第二预设温度，所述第一预设时间小于所述第二预设时间。本发明可以减小制备周期，降低成本，且无需经过后续CMP处理。
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公开(公告)号：CN106904599A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510952653.4
申请日：2015-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02527 , C01P2002/82
Abstract: 本发明提供一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）采用光刻刻蚀工艺于锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；以及步骤3）以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，图形锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的图形石墨烯。本发明通过在绝缘衬底上制备锗薄膜，并光刻刻蚀所述锗薄膜形成所需图形后，催化生长石墨烯，并在生长的同时将锗薄膜蒸发去除，获得绝缘体上图形石墨烯，克服了采用光刻刻蚀工艺对石墨烯进行刻蚀所带来的光刻胶等污染，提高了绝缘体上图形石墨烯材料的质量及性能。采用本发明的方法可以获得质量很高的图形石墨烯。
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公开(公告)号：CN106711019A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510792045.1
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属-半导体合金的方法，包括以下步骤：1）提供半导体衬底；2）在半导体衬底表面形成石墨烯；3）对石墨烯进行离子注入，以得到密度可控的缺陷石墨烯；4）在缺陷石墨烯表面形成金属层；5）对步骤4）得到的结构进行退火处理，形成金属-半导体合金层。通过在半导体衬底与金属层之间形成石墨烯插入层，可以有效地改善半导体衬底与金属-半导体合金层的界面的接触特性，外延得到的金属-半导体合金层质量更好、性能更加稳定；石墨烯插入层具有较高的电子迁移率，可以有效地降低外延生长的金属-半导体合金层电阻及半导体衬底与金属-半导体合金层的接触电阻，从而提高其电学性能。
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公开(公告)号：CN103633010B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210310581.X
申请日：2012-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/30604 , H01L21/30625
Abstract: 本发明提供一种利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法。该方法首先在第一衬底上依次外延生长超薄掺杂单晶薄膜和超薄顶层薄膜，并通过离子注入和键合工艺，制备出高质量的超薄绝缘体上材料。所制备的超薄绝缘体上材料的厚度范围为5~50 nm。本发明利用超薄掺杂单晶薄膜对其下注入离子的吸附作用，形成微裂纹以致剥离，剥离后绝缘体上材料表面粗糙度小。此外，杂质原子增强了超薄单晶薄膜对离子的吸附能力，得以降低制备过程中的离子注入剂量和退火温度，有效减轻了顶层薄膜中注入的损伤，达到了提高生产效率和降低生产成本的目的。
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