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公开(公告)号：CN108933183B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810715873.9
申请日：2018-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学 , 复旦大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/028
Abstract: 本发明提供的基于硅‑石墨烯的光电探测器的制备方法，采用柔软的固定层作为光电探测器的衬底，提高了器件的柔性；另外采用SOI衬底作为制备探测器的前驱，使用SOI衬底的顶层硅以及石墨烯作为异质结，石墨烯只有一个原子厚度，同时顶层硅的厚度也很小，所以释放后，探测器的柔性效果更佳，进一步提高了整个器件的柔性，扩大了探测器的使用场景，使探测器可以应用到未来的可穿戴设备中；最后，SOI衬底的图形化加工及第一金属电极及第二金属电极的形成均与CMOS工艺兼容，从而大大简化了制备过程，降低成本。
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公开(公告)号：CN108793146A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810714966.X
申请日：2018-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: C01B32/194
CPC classification number: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种转移石墨烯的方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上生长石墨烯，形成石墨烯/衬底结构；在所述石墨烯上涂敷派瑞林，形成派瑞林/石墨烯/衬底结构；利用腐蚀液去除所述派瑞林/石墨烯/衬底结构中的所述衬底，形成派瑞林/石墨烯结构；将所述派瑞林/石墨烯结构翻转，形成石墨烯/派瑞林结构，完成所述石墨烯的转移。本发明采用派瑞林作为石墨烯的转移介质及支撑层，仅经过一次腐蚀液去除衬底后进行翻转，即可获得高质量、大面积、无损、洁净的石墨烯。
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公开(公告)号：CN105977145B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201610457787.3
申请日：2016-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种应变量子点的制备方法及应变量子点。所述制备方法包括以下步骤：在标的材料上形成光刻胶，在所述光刻胶上形成多个注入窗口，进行H+离子或He离子注入，去除所述光刻胶，进行退火处理，使所述标的材料中的H+离子或He离子聚集成H2或He产生气泡凸起，从而得到标的材料的应变量子点。本发明的方法新颖，制备过程简单，可操作性强，应变量可观、可调；制备过程可控性强，注入窗口的大小、形状、间距，H+离子或He离子注入的能量、剂量，退火温度、时间等工艺参数均可调；且方法可用范围广，晶体材料均可使用该方法制备应变量子点。
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公开(公告)号：CN108933183A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810715873.9
申请日：2018-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学 , 复旦大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/028
Abstract: 本发明提供的基于硅-石墨烯的光电探测器的制备方法，采用柔软的固定层作为光电探测器的衬底，提高了器件的柔性；另外采用SOI衬底作为制备探测器的前驱，使用SOI衬底的顶层硅以及石墨烯作为异质结，石墨烯只有一个原子厚度，同时顶层硅的厚度也很小，所以释放后，探测器的柔性效果更佳，进一步提高了整个器件的柔性，扩大了探测器的使用场景，使探测器可以应用到未来的可穿戴设备中；最后，SOI衬底的图形化加工及第一金属电极及第二金属电极的形成均与CMOS工艺兼容，从而大大简化了制备过程，降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108862252A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810736450.5
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种利用离子注入制备掺杂石墨烯的方法，所述方法包括，提供一衬底，于所述衬底上使用CVD工艺进行石墨烯生长，形成石墨烯层；于所述石墨烯层上形成一保护层，所述保护层完全覆盖所述石墨烯层；使用离子注入技术通过所述保护层向所述石墨烯层中注入掺杂元素；除去所述保护层，裸露出所述石墨烯层；使用CVD工艺对裸露出的所述石墨烯层进行石墨烯修复生长，以修复所述石墨烯中由于离子注入引起的缺陷，进而形成掺杂石墨烯层。利用本发明的技术方案，可制备可控掺杂量的n型或p型的高质量石墨烯，可通过控制注入区域，制备图案化掺杂的石墨烯；本发明的技术方案可适用于使用CVD工艺在衬底X上生长的石墨烯的掺杂，应用范围广。
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公开(公告)号：CN109850877A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910130002.5
申请日：2019-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯纳米带的转移方法，包括如下步骤：提供一初始衬底；在所述初始衬底上形成石墨烯纳米带；在所述初始衬底及所述石墨烯纳米带的上方形成支撑层，所述支撑层包覆所述石墨烯纳米带；提供一目标衬底，将所述目标衬底与所述支撑层键合；去除所述初始衬底。本发明通过在初始衬底上形成支撑层，包覆石墨烯纳米带，并将所述支撑层与目标衬底键合，实现石墨烯纳米带的转移，避免了石墨烯纳米带在转移中容易出现有机物残留及结构损坏的问题，提高了制品良率。
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公开(公告)号：CN117712203A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311723009.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 宁波大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 南方科技大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C16/515 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种光电探测器、制备方法及应用，依次包括层状设置的零维石墨烯、三维石墨烯、二维石墨烯和衬底层。本发明在零维石墨烯和二维石墨烯的配合作用下，有效提升了三维石墨烯的光电性能，由此本发明提供了一种有效提升三维石墨烯光电性能的手段。
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公开(公告)号：CN113078053A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110331144.5
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种顶栅结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、栅介质层、至少一栅电极层及支撑层；将由栅介质层、栅电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，栅介质层与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使由栅介质层及栅电极层组成的顶栅结构留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作顶栅结构，利用石墨烯与栅介质材料间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意顶栅结构的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了顶栅结构的可应用范围，减少了顶栅结构制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低顶栅结构的制作成本。
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公开(公告)号：CN113078044A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110320623.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种介电材料的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一介电材料层及支撑层；将由介电材料层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，介电材料与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使介电材料层留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作介电材料层，利用石墨烯与介电材料层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意介电材料层的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了介电材料层的可应用范围，减少了介电材料层制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低介电材料层的制作成本。
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