公开(公告)号：CN106328502A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201510355810.3

申请日：2015-06-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张波 ,  孟骁然 ,  俞文杰 ,  狄增峰 ,  张苗

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  C30B29/10

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/3245

Abstract: 本发明提供一种SiGeSn材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底包含SiGe层；向所述SiGe层内注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体；将注入后的所述衬底进行退火处理。本发明的SiGeSn材料及其制备方法相较于现有技术具有成本低廉、工艺简单、质量更好、更利于大规模生产的优点。

公开(公告)号：CN106711019B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201510792045.1

申请日：2015-11-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张波 ,  孟骁然 ,  俞文杰 ,  狄增峰 ,  张苗

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属‑半导体合金的方法，包括以下步骤：1）提供半导体衬底；2）在半导体衬底表面形成石墨烯；3）对石墨烯进行离子注入，以得到密度可控的缺陷石墨烯；4）在缺陷石墨烯表面形成金属层；5）对步骤4）得到的结构进行退火处理，形成金属‑半导体合金层。通过在半导体衬底与金属层之间形成石墨烯插入层，可以有效地改善半导体衬底与金属‑半导体合金层的界面的接触特性，外延得到的金属‑半导体合金层质量更好、性能更加稳定；石墨烯插入层具有较高的电子迁移率，可以有效地降低外延生长的金属‑半导体合金层电阻及半导体衬底与金属‑半导体合金层的接触电阻，从而提高其电学性能。

公开(公告)号：CN106328502B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201510355810.3

申请日：2015-06-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张波 ,  孟骁然 ,  俞文杰 ,  狄增峰 ,  张苗

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  C30B29/10

Abstract: 本发明提供一种SiGeSn材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底包含SiGe层；向所述SiGe层内注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体；将注入后的所述衬底进行退火处理。本发明的SiGeSn材料及其制备方法相较于现有技术具有成本低廉、工艺简单、质量更好、更利于大规模生产的优点。

公开(公告)号：CN106711019A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201510792045.1

申请日：2015-11-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张波 ,  孟骁然 ,  俞文杰 ,  狄增峰 ,  张苗

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属-半导体合金的方法，包括以下步骤：1）提供半导体衬底；2）在半导体衬底表面形成石墨烯；3）对石墨烯进行离子注入，以得到密度可控的缺陷石墨烯；4）在缺陷石墨烯表面形成金属层；5）对步骤4）得到的结构进行退火处理，形成金属-半导体合金层。通过在半导体衬底与金属层之间形成石墨烯插入层，可以有效地改善半导体衬底与金属-半导体合金层的界面的接触特性，外延得到的金属-半导体合金层质量更好、性能更加稳定；石墨烯插入层具有较高的电子迁移率，可以有效地降低外延生长的金属-半导体合金层电阻及半导体衬底与金属-半导体合金层的接触电阻，从而提高其电学性能。

公开(公告)号：CN105448690B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201410415714.9

申请日：2014-08-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张波 ,  侯春雷 ,  孟骁然 ,  狄增峰 ,  张苗

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成石墨烯薄膜；2)在所述石墨烯薄膜表面沉积一层金属层；3)进行快速退火，使所述半导体衬底表层的一部分原子穿过所述石墨烯薄膜与所述金属层发生反应，形成金属/半导体材料层。本发明通过采用坚硬的石墨烯薄膜作为插入层，快速退火阶段半导体材料的原子在插入层中的扩散速度较为缓慢，使材料整体的反应更加平衡，从而获得均匀平整且稳定的金属/半导体材料，改善界面的接触特性。

公开(公告)号：CN105448690A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410415714.9

申请日：2014-08-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张波 ,  侯春雷 ,  孟骁然 ,  狄增峰 ,  张苗

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成石墨烯薄膜；2)在所述石墨烯薄膜表面沉积一层金属层；3)进行快速退火，使所述半导体衬底表层的一部分原子穿过所述石墨烯薄膜与所述金属层发生反应，形成金属/半导体材料层。本发明通过采用坚硬的石墨烯薄膜作为插入层，快速退火阶段半导体材料的原子在插入层中的扩散速度较为缓慢，使材料整体的反应更加平衡，从而获得均匀平整且稳定的金属/半导体材料，改善界面的接触特性。