公开(公告)号：CN111763923A

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN202010622448.2

申请日：2020-06-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张波 ,  刘运启 ,  薛忠营 ,  郭旺

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/26 ,  C23C16/01

Abstract: 本发明涉及一种二维材料层制备后转移方法，包括：在衬底表面形成二维材料层，在该二维材料层上旋凃高分子涂层；将衬底腐蚀掉，再将腐蚀掉衬底的二维材料层放置于目标基体上，然后置于加热板上加热，除去高分子涂层。该方法可以简单、高效、稳定地将大尺寸石墨烯完整地转移到目标基体上。

公开(公告)号：CN109824032A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910129693.7

申请日：2019-02-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  李攀林 ,  刘运启 ,  王天波 ,  薛忠营 ,  狄增峰

IPC: C01B32/184

Abstract: 本发明提供一种晶圆级石墨烯薄膜的转移方法,晶圆级石墨烯薄膜的转移方法包括如下步骤：提供生长衬底；于所述生长衬底的上表面形成石墨烯薄膜；至少于所述石墨烯薄膜的上表面形成缓冲保护层；提供目标衬底，将所述目标衬底与位于所述石墨烯薄膜的上表面的所述缓冲保护层键合；去除所述生长衬底。本发明的晶圆级石墨烯的转移方法中，在石墨烯薄膜的转移过程中不需使用PMMA等有机物，在石墨烯薄膜转移后不会有有机物残留，从而克服了有机物残留造成器件电子的散射的问题，进而确保石墨烯的载流子迁移率。