公开(公告)号：CN109883950A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910129446.7

申请日：2019-02-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  李攀林 ,  王天波 ,  薛忠营 ,  张苗

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/84 ,  C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  C23C16/26 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种二维材料生长的定位观测方法，包括如下步骤：1)获取标记石墨烯；2)提供生长衬底，并将标记石墨烯转移到生长衬底的上表面；3)于生长衬底的上表面生长二维材料；4)以标记石墨烯为标记对二维材料进行定位观测。本发明的二维材料生长的定位观测方法可以实现对二维材料的生长情况进行精确地定位观测；本发明中使用原子力显微镜定位观测二维材料的生长情况，对二维材料层的生长条件没有严格的要求，操作简单易行，测试成本较低；在生长衬底的上表面进行二维材料的多次生长时，二维材料每次生长的生长条件可以不同，可以实现对二维材料在不同生长条件下于同一区域的生长情况进行定位观测。

公开(公告)号：CN109824032A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910129693.7

申请日：2019-02-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  李攀林 ,  刘运启 ,  王天波 ,  薛忠营 ,  狄增峰

IPC: C01B32/184

Abstract: 本发明提供一种晶圆级石墨烯薄膜的转移方法,晶圆级石墨烯薄膜的转移方法包括如下步骤：提供生长衬底；于所述生长衬底的上表面形成石墨烯薄膜；至少于所述石墨烯薄膜的上表面形成缓冲保护层；提供目标衬底，将所述目标衬底与位于所述石墨烯薄膜的上表面的所述缓冲保护层键合；去除所述生长衬底。本发明的晶圆级石墨烯的转移方法中，在石墨烯薄膜的转移过程中不需使用PMMA等有机物，在石墨烯薄膜转移后不会有有机物残留，从而克服了有机物残留造成器件电子的散射的问题，进而确保石墨烯的载流子迁移率。

公开(公告)号：CN107887319A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201711139470.6

申请日：2017-11-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 薛忠营 ,  王天波 ,  贾鹏飞 ,  狄增峰 ,  张苗

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L2221/68363

Abstract: 本发明提供一种绝缘体上石墨烯的制备方法，包括：提供一牺牲衬底；于牺牲衬底表面形成一层石墨烯层；于石墨烯层表面形成一层介质层；提供一支撑衬底，并将上述得到的结构键合于支撑衬底的上表面，介质层与支撑衬底上表面相接触；通过氧化工艺去除牺牲衬底，以得到转移的绝缘体上石墨烯。通过上述方案，本发明采用干法转移技术，并提供锗衬底作为牺牲衬底，最终采用低温氧化的工艺去除牺牲衬底，在保留完成石墨烯薄膜的情况下有效去除锗衬底，避免了有机物去除等过程中引起的沾污，同时，也不会存在如金属等引入的沾污，并且该工艺与微电子工艺完全兼容，对推动石墨烯材料在微电子领域的应用具有重要意义。