公开(公告)号：CN111129113A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911346297.6

申请日：2019-12-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  王雅斓 ,  李攀林 ,  薛忠营 ,  狄增峰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329 ,  H01L29/86

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯纳米带器件阵列及其制备方法，涉及微电子技术领域。本发明首先通过在具有10°偏角(100)晶面的锗衬底上生长一层石墨烯薄膜，并依次经过曝出点阵阵列、覆盖掩膜层、剥离并保留点阵孔洞里的掩膜、等离子体进行刻蚀掩膜层外的石墨烯、腐蚀掉保护层、退火并生长石墨烯纳米带阵列、曝出电极区域、制备电极，最终完成直接在半导体衬底上制备石墨烯纳米带器件阵列。相比于现有技术，本发明避免了掩膜刻蚀法制备石墨烯纳米带阵列带来的石墨烯载流子迁移率降低的问题，同时打开了石墨烯的带隙；而且，本发明采用的制备工艺与目前成熟的半导体工艺兼容，为石墨烯微电子器件的实际运用和大规模生产提供了可能。

公开(公告)号：CN111129113B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911346297.6

申请日：2019-12-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  王雅斓 ,  李攀林 ,  薛忠营 ,  狄增峰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329 ,  H01L29/86

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯纳米带器件阵列及其制备方法，涉及微电子技术领域。本发明首先通过在具有10°偏角(100)晶面的锗衬底上生长一层石墨烯薄膜，并依次经过曝出点阵阵列、覆盖掩膜层、剥离并保留点阵孔洞里的掩膜、等离子体进行刻蚀掩膜层外的石墨烯、腐蚀掉保护层、退火并生长石墨烯纳米带阵列、曝出电极区域、制备电极，最终完成直接在半导体衬底上制备石墨烯纳米带器件阵列。相比于现有技术，本发明避免了掩膜刻蚀法制备石墨烯纳米带阵列带来的石墨烯载流子迁移率降低的问题，同时打开了石墨烯的带隙；而且，本发明采用的制备工艺与目前成熟的半导体工艺兼容，为石墨烯微电子器件的实际运用和大规模生产提供了可能。

公开(公告)号：CN109883950A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910129446.7

申请日：2019-02-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  李攀林 ,  王天波 ,  薛忠营 ,  张苗

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/84 ,  C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  C23C16/26 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种二维材料生长的定位观测方法，包括如下步骤：1)获取标记石墨烯；2)提供生长衬底，并将标记石墨烯转移到生长衬底的上表面；3)于生长衬底的上表面生长二维材料；4)以标记石墨烯为标记对二维材料进行定位观测。本发明的二维材料生长的定位观测方法可以实现对二维材料的生长情况进行精确地定位观测；本发明中使用原子力显微镜定位观测二维材料的生长情况，对二维材料层的生长条件没有严格的要求，操作简单易行，测试成本较低；在生长衬底的上表面进行二维材料的多次生长时，二维材料每次生长的生长条件可以不同，可以实现对二维材料在不同生长条件下于同一区域的生长情况进行定位观测。

公开(公告)号：CN109850877A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910130002.5

申请日：2019-02-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 张苗 ,  王雅斓 ,  李攀林 ,  狄增峰 ,  薛忠营

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明提供了一种石墨烯纳米带的转移方法，包括如下步骤：提供一初始衬底；在所述初始衬底上形成石墨烯纳米带；在所述初始衬底及所述石墨烯纳米带的上方形成支撑层，所述支撑层包覆所述石墨烯纳米带；提供一目标衬底，将所述目标衬底与所述支撑层键合；去除所述初始衬底。本发明通过在初始衬底上形成支撑层，包覆石墨烯纳米带，并将所述支撑层与目标衬底键合，实现石墨烯纳米带的转移，避免了石墨烯纳米带在转移中容易出现有机物残留及结构损坏的问题，提高了制品良率。

公开(公告)号：CN109824032A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910129693.7

申请日：2019-02-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  李攀林 ,  刘运启 ,  王天波 ,  薛忠营 ,  狄增峰

IPC: C01B32/184

Abstract: 本发明提供一种晶圆级石墨烯薄膜的转移方法,晶圆级石墨烯薄膜的转移方法包括如下步骤：提供生长衬底；于所述生长衬底的上表面形成石墨烯薄膜；至少于所述石墨烯薄膜的上表面形成缓冲保护层；提供目标衬底，将所述目标衬底与位于所述石墨烯薄膜的上表面的所述缓冲保护层键合；去除所述生长衬底。本发明的晶圆级石墨烯的转移方法中，在石墨烯薄膜的转移过程中不需使用PMMA等有机物，在石墨烯薄膜转移后不会有有机物残留，从而克服了有机物残留造成器件电子的散射的问题，进而确保石墨烯的载流子迁移率。