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公开(公告)号:CN109936339B
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN201910285268.7
申请日:2019-04-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种线性限幅器,包括至少两个限幅模块和至少一个分隔模块,所述分隔模块的个数小于所述限幅模块的个数;第一个限幅模块的第一端为所述线性限幅器的输入端,最后一个限幅模块的第一端为所述线性限幅器的输出端;所有的限幅模块的第二端接地;每个分隔模块均设置在两个相邻的限幅模块之间,其中,所述分隔模块的第一端与相邻的一个限幅模块的第一端连接,所述分隔模块的第二端与相邻的另一个限幅模块的第一端连接。通过在两个限幅模块之间设置分隔模块,使两个限幅模块之间的电长度增长,使线性限幅器在电压增加时,输出的电压更接近目标电压,提高了线性限幅器的线性度。
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公开(公告)号:CN114243839A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111565931.2
申请日:2021-12-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种光充电系统。包括可见光点光源、空心球体、第一透镜、第二透镜、第三透镜和光电探测器;可见光点光源设置在空心球体的球心位置;空心球体的内壁涂覆全反射材料;空心球体上设有出光口;第一透镜设置在出光口的内侧,第二透镜设置在出光口的外侧;第一透镜的光轴和第二透镜的光轴重合;光轴通过空心球体的球心位置;第二透镜的出射光照射在第三透镜上;光电探测器设置在第三透镜的焦点位置。本发明能够通过采用内壁全反射空心球体光源结构、聚光透镜提高了充电光的利用率,降低了充电光功率,提高了安全性;会聚后的充电光光束直径缩小,光束照射范围缩小,降低了安全风险;同时避免了采用激光光源带来的安全风险。
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公开(公告)号:CN114243288A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111527186.2
申请日:2021-12-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种微带天线与TR组件一体化结构及一体化方法,属于射频微波技术领域,包括TR组件和微带天线,TR组件包括盒体,盒体前端的天线射频接口端设有多通道绝缘子插针连接器;微带天线集成在天线射频接口端,微带天线设有与绝缘子插针连接器数量及位置一一对应的射频信号孔,绝缘子插针连接器穿过射频信号孔,并与微带天线烧结在一起。本发明提供的微带天线与TR组件一体化结构,微带天线具有剖面薄、体积小、重量轻、易共形、容易实现双极化、便于与TR组件进行集成设计的特点;将微带天线与TR组件集成为一体,能够提高雷达产品的信号接收分辨性能,降低器件连接后的尺寸,实现体积小型化及重量轻质化。
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公开(公告)号:CN111048492B
公开(公告)日:2021-10-15
申请号:CN201911401636.6
申请日:2019-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/07 , H01L23/60 , H01L23/498
Abstract: 本申请公开了一种限幅低噪声放大器芯片结构,涉及半导体技术领域。其中,上述限幅低噪声放大器芯片结构包括:限幅器芯片、位于限幅器芯片上表面的屏蔽芯片,以及位于屏蔽芯片上表面的低噪声放大器芯片;屏蔽芯片的下表面与限幅器芯片的上表面电性连接;低噪声放大器芯片的下表面与屏蔽芯片的上表面电性连接;低噪声放大器芯片与限幅器芯片电性连接。本申请中限幅低噪声放大器芯片为垂直堆叠结构,且限幅器芯片与低噪声放大器芯片之间通过屏蔽芯片进行信号屏蔽和隔离,有利于缩小限幅低噪声放大器的尺寸。
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公开(公告)号:CN111029266B
公开(公告)日:2021-10-15
申请号:CN201911154978.2
申请日:2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明适用于倒装芯片技术领域,提供了一种制备钉头凸点的方法及钉头凸点。其中,所述方法包括:在金属丝的尾端熔出第一金属球;将所述第一金属球焊接在载体上的预设位置,形成第一凸点;在所述金属丝与所述第一凸点的连接处熔出第二金属球,并将所述第二金属球焊接在所述第一凸点上,形成第二凸点;断开所述金属丝与所述第二凸点的连接,在所述载体上的预设位置处形成包含所述第一凸点和所述第二凸点的钉头凸点。通过本发明所提供的方法制备的钉头凸点具备一定的高度,使得钉头凸点在高频芯片3D堆叠集成方面也可以得到较好的应用,从而扩展了钉头凸点的应用范围。
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公开(公告)号:CN112687616A
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN202011551749.7
申请日:2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明适用于微波组件技术领域,提供了一种射频管壳的制备方法及射频管壳,包括:在基板上溅射多层金属得到第一种子层,在第一种子层上第一区域和第二区域上电镀金分别制备金导体层;去除金导体层区域外的第一种子层,在第一区域与第二区域之间制备薄膜电阻,得到第一样品;对第一样品采用第一预设温度烘烤并空气退火,得到第二样品;在第二样品的表面溅射多层金属得到第二种子层,在第二种子层上电镀铜制备铜导体层;在第三区域中的第四区域上再次电镀铜,加高铜导体层;去除铜导体层区域外的第二种子层。本发明完成高精度金导体层制备,从而实现高密度布线,通过制备铜导体层叠加金导体层的叠加结构,防止电迁移,保证器件长期稳定性。
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公开(公告)号:CN111128908A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201911155674.8
申请日:2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/64
Abstract: 本发明提供了一种三维堆叠电路结构及其制备方法,属于微电子封装领域,电路基板上设有第一过孔构件,封装底板上设有第二过孔构件,相邻电路基板之间设有第一焊球,第一过孔构件之间通过第一焊球导电连接,底层电路基板上的第一过孔构件与第二过孔构件导电连接;第一焊球呈预设阵列分布,配合电路基板接地层形成虚拟金属腔体。本发明提供的三维堆叠电路结构及其制备方法,信号路径短,有效降低上层电路基板的接地寄生效应;虚拟金属腔体使各个信号链路通道之间实现高隔离度抑制,在高集成度条件下实现高频信号传输和处理,可调整虚拟金属腔谐振频率,避免微波链路信号在虚拟金属腔体内发生谐振造成电路性能恶化。
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公开(公告)号:CN111123208A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201911372578.9
申请日:2019-12-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01S7/02
Abstract: 本发明适用于集成电路技术领域,提供了一种多通道幅相控制芯片,包括上层芯片和下层芯片;所述上层芯片上设有第一控制端、译码电路以及至少一个通道的控制电路;所述下层芯片上设有第二控制端、功分器和至少一个通道的射频电路;所述上层芯片与所述下层芯片采用倒装焊工艺将上层芯片焊盘与下层芯片焊盘通过金凸点焊接。本申请通过芯片三维集成工艺技术,使上层芯片叠加在下层芯片之上。实现控制电路与射频电路的高度集成。同时,利用芯片倒装焊工艺和金凸点的阵列排布,实现多通道、高集成的幅相控制芯片电路设计,缩小芯片的体积,提高芯片的集成度。
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公开(公告)号:CN111029266A
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201911154978.2
申请日:2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明适用于倒装芯片技术领域,提供了一种制备钉头凸点的方法及钉头凸点。其中,所述方法包括:在金属丝的尾端熔出第一金属球;将所述第一金属球焊接在载体上的预设位置,形成第一凸点;在所述金属丝与所述第一凸点的连接处熔出第二金属球,并将所述第二金属球焊接在所述第一凸点上,形成第二凸点;断开所述金属丝与所述第二凸点的连接,在所述载体上的预设位置处形成包含所述第一凸点和所述第二凸点的钉头凸点。通过本发明所提供的方法制备的钉头凸点具备一定的高度,使得钉头凸点在高频芯片3D堆叠集成方面也可以得到较好的应用,从而扩展了钉头凸点的应用范围。
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公开(公告)号:CN110961903A
公开(公告)日:2020-04-07
申请号:CN201911374308.1
申请日:2019-12-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: B23P19/06
Abstract: 本发明提供了自动锁螺钉系统及方法,属于螺钉安装技术领域,自动锁螺钉系统包括安装柜、输送轨道、供料轨道、电批装置和控制系统。安装柜上固定设置有抓取装置,输送轨道安装在安装柜上,用于输送工件,供料装置安装在安装柜上,用于提供不同型号的螺钉,电批装置与抓取装置末端接口连接,用于吸取供料装置上的螺钉并将螺钉安装到输送轨道的工件上,抓取装置上设置有视觉定位装置,视觉定位装置用于识别定位工件上的螺纹孔,控制系统控制电批装置完成螺钉锁付的操作。自动锁螺钉的方法用于实现自动锁螺钉。本发明提供的自动锁螺钉系统及方法可对工件自动安装螺钉,且可实现对螺纹孔的精准定位。
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