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公开(公告)号：CN108364883A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810168891.X
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种验证热反射测温设备准确性的装置、制备方法及验证方法，该装置包括：衬底；所述衬底的上表面覆盖绝缘层；所述绝缘层的上表面设有图形结构，所述图形结构包括金属电阻和两个金属焊盘，其中一个所述金属焊盘与所述金属电阻的一端相连，另一个所述金属焊盘与所述金属电阻的另一端相连。本发明通过成熟的半导体工艺制备验证热反射测温设备准确性的装置，并基于该装置配合使用温控平台实现验证热反射测温设备的准确性。该装置制备方法简单，验证结果准确，并且能够准确的反应热反射测温设备高空间分辨力下的准确性。
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公开(公告)号：CN108051456A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711203341.9
申请日：2017-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种X‑CT系统用测量夹具，属于测试夹具领域。所述测量夹具包括：样品台，底面设置与扫描转台匹配的定位凹台；载片柱，下部与所述样品台固定连接，且所述载片柱的旋转轴与所述样品台的旋转轴平行，中部为柱体，上部为设置在所述柱体顶面上、与所述柱体成一体结构的透明薄板；胶片，用于粘结待测器件，设置在所述透明薄板的表面。上述技术方案中，透明薄板不会相对样品台产生相对位移，进而微小器件也不会发生位移，测量结果准确、可靠，同时透明薄板减小了对X射线的衰减，实现了用X‑CT高准确度地测量微小器件的结构，填补了微小器件测试夹具的空白。
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公开(公告)号：CN106526322A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610956483.1
申请日：2016-10-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R27/02
CPC classification number: G01R27/025
Abstract: 本发明公开了一种可溯源的在片高值电阻测量系统，属于测试和测量技术领域。可溯源的在片高值电阻测量系统包括高值电阻测量仪器、探针系统，高值电阻测量仪器和探针系统通过线缆连接，探针系统包括探针一组和探针二组，所述高值电阻测量仪器与探针一组连接或与探针二组连接。其溯源方法为，高值电阻测量仪器通过线缆与探针一组连接，标准高值电阻通过线缆与探针二组连接；在片直通对接线连接探针一组和探针二组。本发明的测量系统能够提供可溯源的在片高值电阻参数测试数据，使得在片高值电阻测试数据的准确性可验证，不同系统的测试数据之间可比较。其溯源方法可以实现参数溯源并提供关于测试数据的不确定度信息。
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公开(公告)号：CN104713651A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510100045.0
申请日：2015-03-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种高空间分辨力及高时间分辨力的红外热成像测温方法，涉及半导体器件温度测试领域；（a）通过调整瞬态红外设备的聚焦区域，用瞬态红外设备测量被测件两个温度明显不同区域的温度，得到两条温度随时间变化的曲线；（b）分析两条温度变化曲线，判断被测件进入准稳态的时间点；（c）用瞬态红外设备测量目标区域的温度，得到目标区域的温度变化曲线；（d）用显微红外热像仪测量目标区域的温度，得到目标区域的温度分布图像；（e）得到目标区域任意时刻，任意位置的准确温度值。（f）得到任意时间点整个区域的温度分布图像，也可以得到任意位置整个时间区域内的温度变化曲线。本发明能满足高时间分辨力和高空间分辨力的温度检测。
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公开(公告)号：CN115657264A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211324332.6
申请日：2022-10-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G02B7/36 , G03B30/00 , G01J5/48 , G01J5/0806
Abstract: 本发明提供一种热反射显微热成像系统的跟焦方法、装置及电子设备。该方法包括：获取初始图像、第一图像、第二图像。分别计算初始图像、各第一图像和各第二图像的图像清晰度。若第一平均清晰度大于第二平均清晰度，将物距调整至初始物距减预设步长。若第一平均清晰度小于等于第二平均清晰度，将物距调整至初始物距加预设步长。将调整后的物距作为初始物距。本发明通过按预设步长交替调整物距、采集图像，对比两个相邻物距下的平均图像清晰度，按预设步长调整物距后，再次以调整后的物距为基准继续交替调整物距采集图像和调整物距。可在热反射显微热成像系统测试温度过程中，循环执行，实时调整物距，持续保持图像清晰，实现连续实时跟焦。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115200721A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210633557.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种热反射显微热成像膨胀补偿方法、装置及电子设备。该方法包括：获取被测器件在当前环境条件下的初始图像。计算初始图像相对于被测器件标准图像的缩放系数，其中标准图像是显微系统在像距为成像透镜焦距、物距为物镜焦距的条件下获取的图像。根据缩放系数确定与当前环境条件相匹配的目标像距与目标物距。设置显微系统的像距为目标像距、物距为目标物距，获得被测器件膨胀补偿后的热反射显微热成像图像。本发明能够根据被测器件热膨胀前后图像的缩放系数，调整显微系统的像距与物距，实现放大倍率等于初始放大倍率除以缩放系数，对应调整被测器件热成像的图像尺寸，实现了热成像膨胀补偿，降低了被测器件热膨胀引起的热成像测温误差。
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公开(公告)号：CN114089144A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111173028.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种二极管结参数测量方法及测量系统，上述方法包括：分别对待测二极管施加三个脉冲电流，并分别测试得到待测二极管在三个脉冲电流下正向导通电压；根据预设温度、三个脉冲电流的值及三个正向导通电压，确定待测二极管在预设温度下的结参数。其中，三个脉冲电流的值呈等差数列分布。本发明对待测二极管施加脉冲电流，降低自热对二极管参数结参数的影响，同时三个脉冲电流等差数列分布，无需绘制I‑V曲线，简化了计算过程。
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公开(公告)号：CN113624358A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110803448.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种用于光热反射显微热成像的三维位移补偿方法及控制装置。该方法包括：获取被测件位于待补偿位置时的采集图像，及被测件位于参考位置时的参考图像；根据参考图像计算得到第一傅里叶变换，根据采集图像计算得到第二傅里叶变换；根据第一傅里叶变换和第二傅里叶变换，确定光热反射显微热成像装置中光学子系统的点扩散函数的峰值点坐标和拟合直径；根据峰值点坐标、拟合直径和光热反射显微热成像装置中光学子系统的成像参数，计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，以对被测件进行三维位移补偿。本发明能够同时计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，进而提高位移补偿的工作效率。
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公开(公告)号：CN110298834B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910584994.9
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像；当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向移动，直到所述不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数相同，从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的像素级位置变化引起的边缘效应得到修正，从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正，可以提高的热反射测温准确度。
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公开(公告)号：CN112485517A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011040038.3
申请日：2020-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R23/02
Abstract: 本发明适用于微波频率源及测试测量技术领域，提供了一种测量锁相频率源频率跳变时间的方法及终端设备，该方法包括：获取被测信号；根据被测信号的频率和信号稳定精度需求，确定计时时间段；分别测量每个计时时间段对应的实际频率，当测量的连续预设个数的实际频率均等于被测信号的频率时，则确定频率稳定时间为连续预设个数的实际频率中第一个实际频率对应的计时时间段；根据频率稳定时间和跳频触发信号开始时间，确定锁相频率源频率的跳变时间，从而可以得到准确的跳变时间，适用于批量情况下锁相源产品的跳频时间指标测量，可大幅度提高测试效率。
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