存储器读写结构、方法及FFT处理器

    公开(公告)号:CN119007768A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202410990952.6

    申请日:2024-07-23

    Abstract: 本发明提供一种存储器读写结构、方法及FFT处理器,涉及半导体集成电路技术领域。该方法包括:在上一帧流水线数据以第一顺序写入存储器的情况下,将当前帧流水线数据以第二顺序写入所述存储器;在当前帧流水线数据以第二顺序写入所述存储器的过程中,当写入所述当前帧流水线数据中的预设位数时,以第一顺序读出当前帧流水线数据;在第一顺序为正序时,第二顺序为倒序;在第一顺序为倒序时,第二顺序为正序。本发明通过控制流水线数据的写入顺序和读出顺序进行正序和倒序循环,并控制当前帧流水线数据写入至预设位数时开始读出,实现了同一个存储器中读写的同步进行,提高了存储器的数据吞吐率,减少了存储器数量,节约了硬件芯片面积。

    电流复用低噪声放大器及集成电路

    公开(公告)号:CN116404988A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310224502.1

    申请日:2023-03-09

    Abstract: 本申请适用于半导体技术领域,提供了一种电流复用低噪声放大器及集成电路。该电流复用低噪声放大器包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一偏置电路、第二偏置电路、电流复用电路、输入匹配电路、第一级间匹配电路、第二级间匹配电路和输出匹配电路;第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管三级级联;第一偏置电路、第二偏置电路和电流复用电路共同用于使第一晶体管和第二晶体管复用第三晶体管的电流。输入匹配电路、第一偏置电路、第二偏置电路、第一级间匹配电路和第二级间匹配电路共同实现噪声匹配和阻抗匹配。本申请提供的电流复用低噪声放大器具有高输出功率、高线性度、低噪声和高增益,具备高通用性,可以应用于更多系统中。

    多通道幅相控制芯片
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111123208B

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN201911372578.9

    申请日:2019-12-27

    Abstract: 本发明适用于集成电路技术领域,提供了一种多通道幅相控制芯片,包括上层芯片和下层芯片;所述上层芯片上设有第一控制端、译码电路以及至少一个通道的控制电路;所述下层芯片上设有第二控制端、功分器和至少一个通道的射频电路;所述上层芯片与所述下层芯片采用倒装焊工艺将上层芯片焊盘与下层芯片焊盘通过金凸点焊接。本申请通过芯片三维集成工艺技术,使上层芯片叠加在下层芯片之上。实现控制电路与射频电路的高度集成。同时,利用芯片倒装焊工艺和金凸点的阵列排布,实现多通道、高集成的幅相控制芯片电路设计,缩小芯片的体积,提高芯片的集成度。

    相控体制的多通道微波发生装置及其可编程频率源芯片

    公开(公告)号:CN113573432A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202110712637.3

    申请日:2021-06-25

    Abstract: 本申请适用于微波技术领域,提供了一种相控体制的多通道微波发生装置及其可编程频率源芯片。该可编程频率源芯片包括微处理器和至少两个频率源通道,每个频率源通道包括信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元;信号产生单元用于产生预设频率的第一功率信号,第一衰减单元用于对第一功率信号进行第一衰减处理得到第二功率信号,移相单元用于对接收到的信号进行移相处理,第二衰减单元用于对接收到的信号进行第二衰减处理;微处理器用于控制每个频率源通道的信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元以控制每个频率源通道输出信号的频率、相位和功率。本申请实施例能够对可编程频率源芯片的输出功率进行较为精确的控制。

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