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公开(公告)号:CN119007768A
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202410990952.6
申请日:2024-07-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种存储器读写结构、方法及FFT处理器,涉及半导体集成电路技术领域。该方法包括:在上一帧流水线数据以第一顺序写入存储器的情况下,将当前帧流水线数据以第二顺序写入所述存储器;在当前帧流水线数据以第二顺序写入所述存储器的过程中,当写入所述当前帧流水线数据中的预设位数时,以第一顺序读出当前帧流水线数据;在第一顺序为正序时,第二顺序为倒序;在第一顺序为倒序时,第二顺序为正序。本发明通过控制流水线数据的写入顺序和读出顺序进行正序和倒序循环,并控制当前帧流水线数据写入至预设位数时开始读出,实现了同一个存储器中读写的同步进行,提高了存储器的数据吞吐率,减少了存储器数量,节约了硬件芯片面积。
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公开(公告)号:CN110993279B
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN201911182167.3
申请日:2019-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于开关电源技术领域,提供了一种平面变压器及开关电源,所述平面变压器包括:至少两圈初级线圈串联连接组成的初级绕组和两个次级绕组;各初级线圈分别包括至少两层PCB板,且每层PCB板并联连接;各次级绕组分别包括至少一圈次级线圈,且每圈次级线圈包括一层PCB板,每圈次级线圈串联连接。本申请采用PCB板组成的平面变压器优化了变压器结构,能够减小磁元件体积,同时其PCB板间的连接方式能够有效减小变压器漏感,减小电路寄生参数,使应用该平面变压器的开关电源在兆赫兹频率下次级整流管关断时的漏极电压尖峰和振荡得到有效控制,从而解决DC/DC电源的开关频率提高而造成的开关损耗增加的问题。
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公开(公告)号:CN110993279A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201911182167.3
申请日:2019-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于开关电源技术领域,提供了一种平面变压器及开关电源,所述平面变压器包括:至少两圈初级线圈串联连接组成的初级绕组和两个次级绕组;各初级线圈分别包括至少两层PCB板,且每层PCB板并联连接;各次级绕组分别包括至少一圈次级线圈,且每圈次级线圈包括一层PCB板,每圈次级线圈串联连接。本申请采用PCB板组成的平面变压器优化了变压器结构,能够减小磁元件体积,同时其PCB板间的连接方式能够有效减小变压器漏感,减小电路寄生参数,使应用该平面变压器的开关电源在兆赫兹频率下次级整流管关断时的漏极电压尖峰和振荡得到有效控制,从而解决DC/DC电源的开关频率提高而造成的开关损耗增加的问题。
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