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公开(公告)号：CN111755329A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010200967.X
申请日：2020-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，具体来说，[课题]防止蚀刻气体通过多孔膜的孔部而使蚀刻非对象膜被蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对基板供给蚀刻气体，对设置于该基板的含硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括如下工序：胺气体供给工序，对依次相邻地设有前述含硅膜、多孔膜、对前述蚀刻气体具有被蚀刻性的蚀刻非对象膜的基板供给胺气体，使胺吸附于前述多孔膜的形成孔部的孔壁；和，蚀刻气体供给工序，对前述孔壁上吸附有胺的基板供给用于对前述含硅膜进行蚀刻的蚀刻气体。
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公开(公告)号：CN105845562A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610077423.2
申请日：2016-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32135 , H01L21/3065 , H01L21/67017 , H01L21/67069
Abstract: 提供在SiGe和Si共存的被处理基板中，能够使用相同的气体体系在同一装置内进行相对于Si选择性蚀刻SiGe、以及相对于SiGe选择性蚀刻Si的蚀刻方法。通过将具有硅和硅锗的被处理基板配置于腔室内，将蚀刻气体的气体体系设为F2气体和NH3气体，并改变F2气体与NH3气体的比率，从而进行相对于硅选择性蚀刻硅锗、以及相对于硅锗选择性蚀刻硅。
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公开(公告)号：CN119678245A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202480003637.8
申请日：2024-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 本公开的蚀刻方法是对形成于基板的硅锗膜进行蚀刻的方法，所述蚀刻方法包括以下工序：第一工序，向所述基板供给第一时间的第一蚀刻气体，所述第一蚀刻气体是含氟气体；以及第二工序，在所述第一工序后，向所述基板供给比所述第一时间短的第二时间的第二蚀刻气体，所述第二蚀刻气体是种类与所述第一蚀刻气体的种类不同的含氟气体。
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公开(公告)号：CN119654703A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380058142.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 提供一种去除含锗的硅膜的蚀刻残留部来形成期望的蚀刻形状的技术。对形成有硅膜和含锗的硅膜的基板供给含锗的硅用的蚀刻气体来对所述含锗的硅膜进行蚀刻，接着，向所述基板供给包含第一处理气体和第二处理气体的吹扫气体来从所述基板吹扫所述蚀刻气体，并且去除所述含锗的硅膜的蚀刻残留部，所述第一处理气体含有氟，所述第二处理气体含有氨和胺中的至少一者。
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公开(公告)号：CN109979815B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201811610534.0
申请日：2018-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在向沿着横向按照含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的顺序相邻地设置有含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的基板供给蚀刻气体而将含硅膜去除时，防止非蚀刻对象膜的蚀刻。实施如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，供给成膜气体(21、22)，在多孔质膜(15)的孔部(16)成膜穿过防止膜(23)，该穿过防止膜(23)用于防止对含硅膜(14)进行蚀刻的蚀刻气体(24)穿过该孔部(16)而向非蚀刻对象膜(11)供给；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，在形成有穿过防止膜(23)的状态下，供给蚀刻气体(24)而对含硅膜(14)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN115244661A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180020371.4
申请日：2021-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种基板的处理方法，是交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理方法，所述基板的处理方法包括以下工序：使用被利用远程等离子体自由基化后的、包含氟和氧的气体，选择性地将所述硅锗层的露出面的表层氧化来形成氧化膜；以及去除所形成的所述氧化膜。
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公开(公告)号：CN109979815A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811610534.0
申请日：2018-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在向沿着横向按照含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的顺序相邻地设置有含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的基板供给蚀刻气体而将含硅膜去除时，防止非蚀刻对象膜的蚀刻。实施如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，供给成膜气体(21、22)，在多孔质膜(15)的孔部(16)成膜穿过防止膜(23)，该穿过防止膜(23)用于防止对含硅膜(14)进行蚀刻的蚀刻气体(24)穿过该孔部(16)而向非蚀刻对象膜(11)供给；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，在形成有穿过防止膜(23)的状态下，供给蚀刻气体(24)而对含硅膜(14)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN106796881A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580054412.6
申请日：2015-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 蚀刻方法包括以下工序：将具有硅和硅锗的被处理基板配置在腔室内；将由H2气体和Ar气体组成的处理气体以激励后的状态向腔室内供给；以及利用激励后的状态的处理气体来相对于硅锗选择性地对硅进行蚀刻。由此，能够相对于硅锗以高选择比对硅进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN100585372C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200480029726.2
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67303 , G01N1/32 , H01L21/67288 , H01L21/67326
Abstract: 本发明提供一种检测辅助装置(3)，其用于，使半导体处理装置的石英制棒状部件(21)的检测对象部分接触由蚀刻液组成的处理液，然后分析处理液，测定在检测对象部分中含有的金属杂质的检测。棒状部件(21)具有位于夹持检测对象部分的一对凹部(22)。检测辅助装置(3)具有，与一对凹部结合的一对端板(32)、连接一对端板的框架(30)和在一对端板间设置的液体接受部(31)。液体接受部(31)贮留处理液，并具有使检测对象部分与处理液接触的尺寸。
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公开(公告)号：CN110071040B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910054586.2
申请日：2019-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够以高选择比对Ge浓度互不相同的SiGe系材料中的一者相对于另一者进行蚀刻的蚀刻方法。向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，利用第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的直到由所述蚀刻气体进行的蚀刻开始为止的培育时间之差，而对第1SiGe系材料和第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻。
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