公开(公告)号：CN101609792B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200910203257.6

申请日：2009-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/20 ,  H01L21/31 ,  C23F4/00 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32229 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

Abstract: 本发明提供一种抑制微波传输路径的变动的微波等离子处理装置以及微波的供给方法。微波等离子处理装置(10)利用自径向线缝隙天线(205)放出的微波的电场能量激发气体，等离子处理基板(G)。微波等离子处理装置(10)包括在内部进行等离子处理的处理容器(100)、输出微波的微波源(335)、对自微波源输出的微波进行传输的矩形波导管(305)、转换在矩形波导管中传输的微波的模式的同轴转换机(310)、可相对于同轴转换机滑动地与其连结的同轴波导管的内部导体(315)、与同轴转换机接合的、将上述同轴转换机与上述内部导体电连接的第1触点构件(330)、和吸收由热膨胀引起的径向线缝隙天线及其上部构件的位移的第1弹簧构件(375)。

公开(公告)号：CN1310303C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200410096922.3

申请日：2004-12-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  中山博之 ,  木村英利

IPC: H01L21/68 ,  B23Q3/15

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明涉及一种使用静电力吸附晶片W的静电吸盘(16)静电吸盘(16)具有与晶片W相接触的多个突起部(16C)，并且，由包含平均粒径为1～2μm的氧化铝结晶颗粒的陶瓷介电体(16A)构成突起部(16C)，同时，使突起部(16C)的与晶片W接触的接触面形成为依存于粒径的表面粗糙度Ra 0.2～0.3μm。由此，消除专利文献1中所记述的静电吸盘的由升降杆使晶片W跳起的顾虑。而且，解决专利文献2中所记述的静电吸盘的难以对晶片W面内温度均匀地进行控制的问题。

公开(公告)号：CN1310285C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200410038016.8

申请日：2004-05-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  樋熊政一 ,  武藤慎司 ,  藤原尚 ,  中山博之 ,  岛贯义纪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/38 ,  H01L21/30 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/68 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明提供一种处理装置，通过提高使静电夹头层和支承部粘接的接合层的热传导率，缩短基板稳定至规定温度所需的时间，还可抑制由等离子体产生的活性种引起的所述接合层的劣化。在利用由氧化铝制成的绝缘层覆盖钨制的夹头电极构成的烧结体形成的静电夹头层和用于支承所述静电夹头层的铝制支承部之间，设置用于使所述支承部和静电夹头层接合的接合层。通过将硅系粘接性树脂浸含至多孔陶瓷中，构成该接合层。另外，设置柔软的覆盖部件例如由PFA等氟树脂制成的热收缩管或橡胶等，以覆盖所述接合层的侧周面，使静电夹头层和支承部的侧周面与该覆盖部件密接。

公开(公告)号：CN1624892A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410096922.3

申请日：2004-12-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  中山博之 ,  木村英利

IPC: H01L21/68 ,  B23Q3/15

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明涉及一种使用静电力吸附晶片W的静电吸盘16，静电吸盘16具有与晶片W相接触的多个突起部16C，并且，由包含平均粒径为1～2μm的氧化铝结晶颗粒的陶瓷介电体16A构成突起部16，同时，使突起部16C的与晶片W接触的接触面形成为依存于粒径的表面粗糙度Ra 0.2～0.3μm。由此，消除专利文献1中所记述的静电吸盘的由升降杆使晶片W跳起的顾虑。而且，解决专利文献2中所记述的静电吸盘的难以对晶片W面内温度均匀地进行控制的问题。

公开(公告)号：CN102077320B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200980125367.3

申请日：2009-07-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32522 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置、等离子体处理方法和介电体窗的温度调节机构，能够对使用于等离子体处理的微波透过的介电体窗的温度进行更加精密地控制，实现更加良好的等离子体处理特性。等离子体处理装置(1)具有处理容器(2)、介电体窗(簇射极板)(3)、天线(4)、波导管(5)、冷却块(6)、基板保持台(7)、在处理容器(2)的上部装配的保持环(上板)(15)。通过保持环(15)将介电体窗(3)的周缘部卡定。在天线(4)之上设置内部具有能够流过热介质的冷却流路(6a)的冷却块(6)。在波导管(5)的周围设有温度传感器(16)，对天线(4)等的温度进行检测。在保持环(15)的内部具有灯加热器(151)。介电体窗(3)通过由控制机构控制的冷却块(6)的冷却机构和保持环(15)的加热机构而被控制为规定的温度分布。

公开(公告)号：CN102084727A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980126063.9

申请日：2009-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32724

Abstract: 所提供的是一种温度调节构造，通过精确高速地控制温度可以保持与温度调节构造相连接的部分的温度偏差是小的。也可以提供一种使用这种温度调节构造的半导体制造装置。一冷却套(6)具有一冷却渠(61)和热通道(62)。该热通道(62)具有一热吸收部分(63)和一散热部分(64)，以及密封在一交替来回折叠于热吸收部分和散热部分之间的环形窄管中的两相可冷凝工作液(以下简称工作液)。该散热部分(64)是被冷却渠(61)冷却的一部分，该热吸收部分(63)是一个比散热部分(64)的温度更高的部分。在热接收部分(63)中，吸收热量，工作液通过泡核沸腾得到自我激化，并且当循环时工作液传输显热。此外，在热吸收部分(63)中，液相吸收热量并且转变成气相，并且在散热部分(64)中，气相散热并得以冷却和液化，气相转变成液相，而且潜热通过气相的转变而被传输。热是在热吸收部分(63)和散热部分(64)之间传输，并且温度在短时间内得以均匀化。

公开(公告)号：CN101981669A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980110451.8

申请日：2009-03-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511

Abstract: 簇射极板(300)包括第一平板(301)，第二平板(302)和第三平板(303)。传热介质流于其中的流道(303a)形成在第三平板(303)的表面中，面向第二平板(302)。一种网格约以90°相互交叉的点阵形成在第三平板(303)的中心区域，并且该流道(303a)约以90°弯曲，其相当于网格相互交叉的角度。通过以这种方式弯曲流道(303a)，大量的流道(303a)可以设置在，特别是加热到很高温度的中心区域，从而可以充分地冷却簇射极板。

公开(公告)号：CN101499411B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910001993.3

申请日：2009-02-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  野泽俊久 ,  西本伸也 ,  河本慎二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68728 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明可提供一种容易将载置台的上表面加工为平滑的形状，还可防止基板周缘部温度发生下降的等离子体处理装置。一种等离子体处理装置，其通过使供给到处理容器内的处理气体等离子化，在处理容器内对基板进行处理，其中，在处理容器内，设有其上表面载置有基板的载置台，在载置台的上表面的多个部位，突出设置有用于定位基板周缘的定位销，并将定位销插入到形成于载置台上表面上的凹部中。可在定位销被卸下的状态下将载置台的上表面加工为平滑的形状。另外，在载置于载置台上表面上的基板的周缘附近只存在定位销，因此，可以防止基板周缘部温度发生下降。

公开(公告)号：CN101599408A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910202907.5

申请日：2009-05-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  坂田一成

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192

Abstract: 本发明提供一种微波等离子处理装置。防止构成微波等离子处理装置的微波天线的缝隙板的热变形，抑制作为目标的微波的传播的变动，提高上述装置的稳定性及可靠性，并且也提高上述微波天线的冷却效率。在构成微波等离子处理装置的微波天线中，利用一对金属体从上下夹持缝隙板的端部地进行支承及固定。

公开(公告)号：CN100477091C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200680001198.9

申请日：2006-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  汤浅珠树

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供了一种处理装置的改良后处理容器的构造，该处理装置在金属制的筒体状处理容器内采用处理气体对被加热的半导体晶片等被处理体进行处理。处理容器(34)由在上下方向层积并相互连结的多个块体(80、82、84)而构成。邻接块体之间设置有真空隔热层(86、88)。由此，能够抑制各个块体间的热传导，并且能够对各个块体的温度进行分别控制，提高能量效率。