公开(公告)号：CN108695207B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201810292181.8

申请日：2018-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坂田一成

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供一种能够维持基片的处理能力并减小基片处理装置的设置面积基片处理装置。本发明的基片处理装置，其包括：在真空气氛下处理基片的基片处理部；与上述基片处理部连接的、在大气气氛下运送上述基片的基片运送部；和配置在上述基片处理部与上述基片运送部之间的、能够在大气气氛与真空气氛切换的负载锁定部，上述负载锁定部的至少一部分被配置在上述基片运送部的内部。

公开(公告)号：CN108695207A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810292181.8

申请日：2018-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坂田一成

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67201 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67769

Abstract: 本发明提供一种能够维持基片的处理能力并减小基片处理装置的设置面积基片处理装置。本发明的基片处理装置，其包括：在真空气氛下处理基片的基片处理部；与上述基片处理部连接的、在大气气氛下运送上述基片的基片运送部；和配置在上述基片处理部与上述基片运送部之间的、能够在大气气氛与真空气氛切换的负载锁定部，上述负载锁定部的至少一部分被配置在上述基片运送部的内部。

公开(公告)号：CN101599408A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910202907.5

申请日：2009-05-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  坂田一成

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192

Abstract: 本发明提供一种微波等离子处理装置。防止构成微波等离子处理装置的微波天线的缝隙板的热变形，抑制作为目标的微波的传播的变动，提高上述装置的稳定性及可靠性，并且也提高上述微波天线的冷却效率。在构成微波等离子处理装置的微波天线中，利用一对金属体从上下夹持缝隙板的端部地进行支承及固定。