公开(公告)号：CN114746985A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080084270.9

申请日：2020-10-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  新藤尚树 ,  立花光博 ,  林春菜 ,  杨元

IPC: H01L21/302 ,  C23F1/12

Abstract: 蚀刻方法具有如下工序：将至少具有钼膜或钨膜以及含硅物且钼膜或钨膜露出的状态的基板设置于腔室内；向腔室内供给氧化气体和作为蚀刻气体的六氟化物气体来相对于含硅物选择性地蚀刻钼膜或钨膜。

公开(公告)号：CN105023863B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201510217206.4

申请日：2015-04-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井户泰幸 ,  新藤尚树 ,  折居武彦 ,  江头佳祐 ,  八谷洋介 ,  大石幸太郎 ,  河野央 ,  下村伸一郎

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。

公开(公告)号：CN100472730C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200580045165.X

申请日：2005-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盖尔·格伦 ,  广田良浩 ,  村木雄介 ,  中村源志 ,  栉引理人 ,  新藤尚树 ,  清水昭贵 ,  芦垣繁雄 ,  加藤良裕

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述积层体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。