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公开(公告)号：CN114746985A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080084270.9
申请日：2020-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , C23F1/12
Abstract: 蚀刻方法具有如下工序：将至少具有钼膜或钨膜以及含硅物且钼膜或钨膜露出的状态的基板设置于腔室内；向腔室内供给氧化气体和作为蚀刻气体的六氟化物气体来相对于含硅物选择性地蚀刻钼膜或钨膜。
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