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公开(公告)号：CN100514574C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200480023355.7
申请日：2004-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/0212 , C23C16/26 , C23C16/56 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/3127
Abstract: 本发明的成膜方法，其特征在于，该方法包括使用含有C和F的原料气体形成添加F的碳膜的工序；通过游离基对形成的所述添加F的碳膜进行改性的工序和对所述添加F的碳膜进行改性的工序，所述原料气体分子中的F原子数与C原子数之比F/C大于1且小于2。
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公开(公告)号：CN101647110A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880010423.4
申请日：2008-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , C23C16/32 , H01L21/316 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/31144 , C23C16/26 , H01L21/02074 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/3127 , H01L21/76808 , H01L21/76883 , Y10S438/951
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)形成具有碳和氟的气体的等离子体，和使用等离子体在衬底上形成具有氟掺杂碳膜的内绝缘膜；(b)在所述内绝缘膜上形成金属膜；(c)根据图案蚀刻所述金属膜以形成硬掩模；(d)通过利用所述硬掩模来蚀刻所述氟掺杂碳膜以在所述氟掺杂碳膜中形成凹陷部分；(e)在所述衬底上形成配线材料膜，以利用所述配线材料填充所述凹陷部分；(f)将在所述氟掺杂碳膜上过量部分的所述配线材料和所述硬掩模移除，以暴露出所述氟掺杂碳膜的表面；和(g)移除在所述氟掺杂膜表面上形成的氧化物。
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公开(公告)号：CN100508134C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200480034324.1
申请日：2004-11-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/26 , C23C16/511
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/26 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/3244
Abstract: 从天线(7)的平面天线部件通过介质板(6)向处理容器(1)内放射微波，这样，可使从气体供给部件(3)供给至处理容器(1)内的C5F8气体等离子体化(活性化)，在半导体晶片(W)上形成一定厚度的添加氟的碳膜。当在每块晶片上进行成膜工序时，进行清洁工序和预涂层工序。在清洁工序中，利用氧气和氢气的等离子体来清洁处理容器内。在预涂层工序中，使C5F8气体等离子体化，形成比成膜工序形成的添加氟的碳膜薄的添加氟的碳的预涂层膜。
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公开(公告)号：CN1943021A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011029.9
申请日：2005-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314
CPC classification number: H01L21/3146 , H01L21/31058 , H01L21/312
Abstract: 本发明涉及半导体装置等电子装置用基板及其处理方法。在该基板的处理方法中，首先，准备电子装置用基板，在该基板的表面上形成由加氟碳(CF)构成的绝缘膜(I)。接着，通过使在例如氪(Kr)气的等离子体中生成的活性种(Kr+)与绝缘膜(I)的表面碰撞，使在绝缘膜(I)的表面上露出的氟(F)原子从该绝缘膜脱离。此时，至少从形成绝缘膜的工序之后直到使氟原子脱离的工序结束的期间，维持基板不与水分接触。
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公开(公告)号：CN1883037A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480034324.1
申请日：2004-11-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/26 , C23C16/511
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/26 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/3244
Abstract: 从天线(7)的平面天线部件通过介质板(6)向处理容器(1)内放射微波，这样，可使从气体供给部件(3)供给至处理容器(1)内的C5F8气体等离子体化(活性化)，在半导体晶片(W)上形成一定厚度的添加氟的碳膜。当在每块晶片上进行成膜工序时，进行清洁工序和预涂层工序。在清洁工序中，利用氧气和氢气的等离子体来清洁处理容器内。在预涂层工序中，使C5F8气体等离子体化，形成比成膜工序形成的添加氟的碳膜薄的添加氟的碳的预涂层膜。
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公开(公告)号：CN101556948B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN1868044B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200480030545.1
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/314
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN101647110B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200880010423.4
申请日：2008-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , C23C16/32 , H01L21/316 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/31144 , C23C16/26 , H01L21/02074 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/3127 , H01L21/76808 , H01L21/76883 , Y10S438/951
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)形成具有碳和氟的气体的等离子体，和使用等离子体在衬底上形成具有氟掺杂碳膜的内绝缘膜；(b)在所述内绝缘膜上形成金属膜；(c)根据图案蚀刻所述金属膜以形成硬掩模；(d)通过利用所述硬掩模来蚀刻所述氟掺杂碳膜以在所述氟掺杂碳膜中形成凹陷部分；(e)在所述衬底上形成配线材料膜，以利用所述配线材料填充所述凹陷部分；(f)将在所述氟掺杂碳膜上过量部分的所述配线材料和所述硬掩模移除，以暴露出所述氟掺杂碳膜的表面；和(g)移除在所述氟掺杂膜表面上形成的氧化物。
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公开(公告)号：CN101942648A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010226730.5
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: C23C16/32
CPC classification number: H01L21/3127 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3146
Abstract: 本发明涉及一种等离子CVD法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过1×10-3原子％且多于0原子％的氢原子。
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