公开(公告)号：CN114203507A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111046522.1

申请日：2021-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中康基 ,  永井龙 ,  大类贵俊 ,  须田隆太郎

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明所公开的蚀刻方法包括在腔室内的表面上形成保护膜的工序(a)。蚀刻方法进一步包括在腔室内使用氟化氢对基板的蚀刻膜进行蚀刻的工序(b)。基板包括蚀刻膜及设置于该蚀刻膜上的掩模。保护膜由与掩模的材料相同种类的材料形成。

公开(公告)号：CN119256390A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202380042176.0

申请日：2023-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木凛 ,  细谷正德 ,  千叶祐毅 ,  伊藤骏 ,  西出大亮 ,  大类贵俊 ,  斋藤悠人

IPC: H01L21/3065

Abstract: 所公开的蚀刻方法包括：工序(a)，在腔室内准备基板；工序(b)，在基板上形成沉积物；工序(c)，通过从由处理气体生成的等离子体向沉积物供给离子，对沉积物进行改性；及工序(d)，在工序(c)之后，使用等离子体对电介质膜进行蚀刻。基板包括电介质膜和掩模。沉积物从由处理气体生成的等离子体被供给，该处理气体包含含有氟及碳的气体成分。工序(c)中的源高频电力的功率水平为工序(b)中的源高频电力的功率水平以下。工序(c)中的电偏压的水平高于工序(b)中的电偏压的水平，或者在工序(b)中不供给电偏压。工序(d)中的电偏压的水平高于工序(c)中的电偏压的水平。

公开(公告)号：CN118613901A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380019266.8

申请日：2023-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 蔡宇浩 ,  张度 ,  王明美 ,  大类贵俊 ,  高桥基 ,  横井雅彦 ,  田中康基 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/311

Abstract: 一种处理衬底的方法包括对介电层上的掩模进行图案化以及在该介电层中蚀刻开口。该介电层布置在该衬底上。该蚀刻包括使蚀刻剂、极性或含H气体和卤化磷气体流动。该方法可以进一步包括通过用导电材料填充这些开口来形成触点。

公开(公告)号：CN116805579A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310255900.X

申请日：2023-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 向山广记 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  高桥笃史 ,  大类贵俊

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，抑制蚀刻的形状异常。在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法包括：工序(a)，提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，对含硅膜进行蚀刻，其中，工序(b)包括：工序(b‑1)，使用从包含氟化氢气体和含钨气体的第一处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻；以及工序(b‑2)，使用从包含氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻，第二处理气体不包含含钨气体、或者以比第一处理气体中的含钨气体的流量比小的流量比包含含钨气体。

公开(公告)号：CN115312383A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210470922.3

申请日：2022-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  须田隆太郎 ,  木原嘉英 ,  户村幕树 ,  熊谷圭惠

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，控制在等离子体蚀刻中形成的开口的形状。本公开所涉及的基板处理方法包括以下工序：准备具有含硅电介质膜的基板到基板支承器上；以及由包含含氢和氟的气体的处理气体生成等离子体，来蚀刻所述含硅电介质膜，所述蚀刻的工序包括以下工序：向腔室内供给所述处理气体；向所述基板支承器或所述上部电极供给用于生成所述等离子体的第一高频信号的电力供给工序；以及向上部电极施加第一电偏压。