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公开(公告)号：CN113541636B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202110864026.0
申请日：2021-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及其制备方法，所述声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，其中所述压电层包括贯通槽、边缘支撑结构、接合臂及N个有效压电结构；N个底电极，形成于N个所述有效压电结构和所述支撑衬底之间，并通过底电极连通结构相互连通；N个顶电极，形成于N个所述有效压电结构的上表面，并通过N个顶电极引出结构一一引出。其中，N为大于等于2的正整数。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法，解决了现有技术中横纵电场激发产生杂波的问题以及声波谐振器频率调节的问题。
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公开(公告)号：CN117518714A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311363532.7
申请日：2023-10-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于拉曼激光器的碳化硅光子器件制备方法，本发明方法可获得侧壁光滑、垂直度高的碳化硅直波导和微环谐振器，从而使得光被束缚在回音壁式微腔中，产生回音壁式拉曼激光。
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公开(公告)号：CN117153673A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311212465.9
申请日：2023-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种异质键合结构、半导体器件及其制备方法。方案包括获取器件晶片；朝向器件晶片的第一键合面进行第一离子注入形成预设深度的体积型缺陷；第一离子注入的离子是与器件晶片的材料元素相同的离子；朝向第一键合面进行第二离子注入，以在体积型缺陷处形成缺陷层；获取支撑衬底，支撑衬底具有第二键合面，通过第一键合面与第二键合面将器件晶片与支撑衬底键合，得到第一异质键合结构；将第一异质键合结构沿缺陷层剥离部分器件晶片，得到目标异质键合结构。本发明可控制第二离子注入的离子注入剂量不会过高；且第二离子注入的离子能够增大体积型缺陷内部的压强，提高异质键合结构中薄膜剥离转移的效率及质量。
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公开(公告)号：CN111416590B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202010244235.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种高频声波谐振器及其制备方法，该高频声波谐振器包括：高声速支撑衬底；绝缘介质层，绝缘介质层位于高声速支撑衬底的上表面；压电膜，压电膜位于绝缘介质层的上表面；叉指电极，叉指电极位于压电膜的上表面。通过在压电膜下方设置高声速支撑衬底可以增大压电膜中所激发传播的目标弹性波的声速，并可有效约束目标弹性波的传播，提高高频声波谐振器的谐振频率；通过在压电膜与高声速支撑衬底之间设置绝缘介质层，可以有效降低压电膜中电场能量的泄露，可增强高频声波谐振器的机电耦合系数；通过选择合适的绝缘介质层，可以对高频声波谐振器进行温度补偿，降低高频声波谐振器的温漂，提高高频声波谐振器的温度稳定性。
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公开(公告)号：CN116781033A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310678398.3
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；目标模式的声速小于支撑衬底的声速。基于异质集成衬底，在简化声波谐振器结构的同时，降低欧姆损耗，提高高阶模式的机电耦合系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116774469A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310737309.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及微电子器件领域，尤其涉及一种器件的制备方法及结构。方法包括：对第一碳化硅衬底进行离子注入，得到第一待键合结构；对第二碳化硅衬底进行修整处理；将第一待键合结构和第二碳化硅衬底进行键合，得到第一键合结构；基于第一键合结构进行碳化硅剥离，得到碳化硅外延基底；在碳化硅外延基底上制备碳化硅外延层，得到第二待键合结构；将第二待键合结构的碳化硅外延层和第三碳化硅衬底基于介质层进行键合，得到第二键合结构；将第二键合结构中的碳化硅外延基底去除，得到复合衬底；在复合衬底的待刻蚀区域制备调制器件结构，得到器件。本申请可以基于载流子色散的机制，实现碳化硅的高效光调制的解决方案。
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公开(公告)号：CN116741639A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310736843.7
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/683 , H01L29/78
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该方法通过在第一碳化硅衬底上同质外延一外延层；在外延层中形成的外延缺陷层制作掺杂阱区，并与第二碳化硅衬底进行键合；第一碳化硅衬底的衬底质量高于第二碳化硅衬底的衬底质量；沿外延缺陷层剥离包含第一碳化硅衬底在内的部分器件结构并对剥离表面进行后处理，暴露经剥离的外延层中的第二面；并将经导电处理后的第二面与硅衬底进行键合；去除第二碳化硅衬底，并激活键合界面以及制备栅氧层及金属层，形成半导体器件。从而解决了在硅衬底上外延碳化硅的难题，并且能充分发挥碳化硅材料自身的优异性能，提高半导体器件的性能，同时降低了对高质量碳化硅材料的依赖和器件成本。
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公开(公告)号：CN116487340A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310474680.X
申请日：2023-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/46 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供一种具有微流道的异质集成氧化镓场效应晶体管及制备方法，通过在氧化镓异质集成结构中直接制备嵌入式的微流道，可使得冷却介质直接靠近热源流过，从而实现高效的散热，降低场效应晶体管的沟道温度，优化器件的热性能。本发明的基于内嵌微流道和异质集成的氧化镓场效应晶体管，具有结构紧凑，传热效率高，冷却系统能耗低等优点。
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公开(公告)号：CN113904645B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111249926.0
申请日：2021-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及声波谐振器制备技术领域，特别涉及一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器。方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上形成碳化硅单晶薄膜层；对碳化硅单晶薄膜层减薄，以使碳化硅单晶薄膜层形成超薄碳化硅单晶薄膜层；在超薄碳化硅单晶薄膜层上制作氮化铝薄膜，以使超薄碳化硅单晶薄膜层与氮化铝薄膜形成复合压电器件层；在复合压电器件层上制作上电极，上电极设置在氮化铝薄膜上。在支撑衬底上通过离子束剥离和键合的方法形成碳化硅单晶薄膜层，得到与AlN更匹配的SiC作为外延模板，大大提高了外延AlN薄膜的晶体质量，从而提高器件性能与可靠性。
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