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公开(公告)号：CN112094649A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011008793.3
申请日：2020-09-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料，该上转换发光材料的化学通式为Te1‑xLnxO2，其中，Ln为Nd、Sm、Ho中的任一种，0＜X≤0.10。本发明还公开了该材料的制备方法，包括：按照上述化学组成式的摩尔配比，以二氧化碲为基质材料，掺杂稀土氧化物，加无水乙醇将混合料研磨混匀，进行两次高温固相烧结，再经研磨、过筛即得稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料。本发明制备得到的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料具有化学稳定性好，结晶度高、均匀性好、发光性能稳定等特点，适用于工业化生产，可作为新一代LED的潜在应用材料，能有效改善LED的显色性及使用性能。
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公开(公告)号：CN111379025A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010321316.6
申请日：2020-04-22
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种卤化铯铅晶体的生长方法，包括以下步骤：原料的密封：将卤化铯和卤化铅粉末干燥后，置于石英安培瓶中抽真空进行密封；多晶料的制备：将石英安培瓶置于摇摆炉内进行分阶段升温至690～700℃后，保温，然后将炉温降至室温，得到多晶料；卤化铯铅晶体的制备：将装有多晶料的安培瓶置于区熔炉的顶部，将区熔炉的温度升至690～730℃，待温场稳定之后将安培瓶向下移动，完成晶锭的生长；最后进行退火处理。本发明制备方法简单，容易控制，生长周期较短，温度梯度可调。本发明制备的晶体无明显的杂质，具有良好的光学性能，可以用于作为闪烁晶体用于辐射探测等领域。
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公开(公告)号：CN111334859A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010262675.9
申请日：2020-04-06
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明申请属于晶体生长技术领域，具体公开了一种利用氧化铝助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，包括以下步骤：(1)将UO2-Al2O3原料按照设计的摩尔比配料混合均匀，然后压制成芯块；(2)将步骤(1)中的芯块装入钨坩埚并放置石墨坩埚中；(3)将步骤(2)中的石墨坩埚放置高频感应加热装置的感应线圈中间；(4)加热将原料充分熔融，缓慢冷却后得到二氧化铀晶锭；(5)将所得晶锭中助熔剂与晶体分离，得到二氧化铀单晶。本方案主要用于制备二氧化铀单晶，为研究单晶物理化学性能，进而解决核燃料棒在裂变过程中产生的裂变产物引起辐照肿胀导致燃料与包壳相互作用的问题，同时拓展其在半导体、太阳能以及热电领域的应用。
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公开(公告)号：CN110820045A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911268308.3
申请日：2019-12-11
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土石榴石单晶的制备方法，包括以下步骤：根据晶体分子式Y（2.9-x）RexBi0.1Fe5O12，其中x=0.2～0.4，准确称量原料、混合、烧结、研磨得到多晶料；向多晶料中加入PbO复合助熔剂，球磨、压块；清洗籽晶；晶体生长，将籽晶缓慢浸入接近过饱和的高温溶液，短暂生长，随后提离液面，完成初次生长；根据理论计算消耗量补充溶质，使其再次达到过饱和，重复上述步骤，进行晶体的二次生长；多次重复上述步骤得到目标晶体。本发明采用生长-补充溶质-再生长-再补充溶质多次循环的方式进行晶体生长，实现晶体生长与质量的精准控制，得到表面光滑、无开裂的稀土石榴石单晶；通过多层增厚法制备的稀土石榴石单晶厚度可达100μm以上，满足磁光、微波器件应用。
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公开(公告)号：CN110130096A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910460430.4
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: D06M11/28 , D06M11/50 , D06M15/37 , D06M15/233 , D06M15/61 , D06M15/227 , H01L35/24 , D06M101/06 , D06M101/10
Abstract: 本发明属于材料科学领域，涉及一种柔性纤维织物复合热电材料的制备方法。将柔性纤维织物浸泡于氧化剂溶液中，浸泡充分后取出柔性织物，悬挂于容器上方，在容器中加入适量的导电聚合物单体进行加热，导电聚合物单体气化接触容器上方的纤维织物进行反应，反应结束后，依次使用去离子水和无水乙醇对产物进行反复洗涤和干燥，最后用导电高分子溶液对干燥的产物进行处理，处理完全后再次进行干燥，得到柔性纤维织物复合热电材料。本发明具有工艺简单、易于操作、可重复性高的特点，在智能可穿戴热电领域具有广阔前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106948006A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710112231.5
申请日：2017-02-28
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明提供了一种高光输出硅酸铋闪烁晶体，在硅酸铋晶体中掺有Ta5+，Ta5+以Ta2O5的形式掺入，掺杂量为0.2～4mol%/mol。本发明还提供了上述高光输出硅酸铋闪烁晶体的制备方法，通过固相烧结法合成掺杂硅酸铋多晶粉料，将合成的掺杂硅酸铋多晶料压成致密圆柱状料块；将籽晶固定在坩埚底部的种井部位，然后将多晶料块装入坩埚并封好，置于晶体生长炉内并控制温度在1050‑1200℃，晶体生长速度为0.2‑0.6mm/h。由于Ta5+的掺入，使所得BSO晶体光输出大幅提高。本发明实现了高光输出以及高质量硅酸铋单晶的生长，同时工艺设备简单，可同时生长多根晶体，极大提高了硅酸铋闪烁晶体的生长效率及应用。
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公开(公告)号：CN118064977A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410342398.0
申请日：2024-03-25
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种铈镨掺杂硼酸钇锂晶体的制备方法，涉及晶体生长技术领域。该掺杂硼酸钇锂晶体的化学式为Li6CexPryY1‑x‑yB3O9，其中x的取值范围是0＜x≤0.05，y的取值范围是0＜y≤0.05；其制备方法为：首先将高纯氧化物原料进行合成，再置于坩埚下降法生长炉内进行晶体的生长。本发明的制备方法通过较小的温度梯度和可控的下降速率有效解决了晶体易开裂的问题；通过选用合适的坩埚，可避免熔体组分挥发，成品率高，其生长工艺简单且可程序化操作，节约时间成本、极大提高生长效率并可实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN117568934A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311375349.9
申请日：2023-10-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸、具有结晶取向的Cs3Cu2X5单晶的快速生长方法，该方法利用极性有机溶剂与无机酸的混合良性溶液作为晶体生长溶液，通过CsX与CuX反应，利用抗溶剂扩散到良性溶液中，通过合适的溶液配比，在没有籽晶的情况下，能够快速生长出大尺寸，具有晶面取向的高质量Cs3Cu2X5单晶。本发明所述方法具有易操作、低成本、周期短、环境友好等特点，合成的晶体不仅具有结晶取向，同时晶体尺寸达到厘米级。
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公开(公告)号：CN117535796A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311487213.7
申请日：2023-11-09
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种铅碲钒氧双折射光学晶体及其制备方法和用途。铅碲钒氧的化学式为Pb2TeV2O10，分子量803.88。所述双折射光学晶体属正交晶系，空间群Pbca，晶胞参数为： α＝90°，β＝90°，γ＝90°， Z＝4。制备方法采用固相反应法合成化合物，采用高温溶液法生长晶体。该晶体的透过范围为439‑10000nm；双折射为0.275(@532nm)；晶体在空气中稳定，不易潮解；可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜，在光学和通讯领域有重要应用。
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公开(公告)号：CN116285991A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310252155.3
申请日：2023-03-15
Applicant: 上海应用技术大学 , 上海鼎晖科技股份有限公司
IPC: C09K11/86
Abstract: 本发明公开了一种紫外激发的Eu3+掺杂氟基磷灰石结构红色荧光材料，所述Eu3+掺杂氟基磷灰石结构荧光材料的化学通式为Ca2(Y1‑xEux)8(BO4)2(SiO4)4F2(0＜x≤15at％)，发光中心为稀土离子Eu3+。还公开了其制备方法，首先按照化学计量比将原料进行混合、研磨均匀后得到初始料，随后装入刚玉坩埚，在马弗炉中升温进行预烧结，保温；将预烧结的样品取出，置于研钵中研磨均匀后，再放入马弗炉中进行高温固相烧结，最后得到Eu3+掺杂的氟基磷灰石结构红色荧光材料。氟离子掺杂对磷灰石结构荧光材料发光性能有所改善，且该荧光材料在紫外LED芯片393nm激发下发出红光，发射中心位于614nm，具有高显色指数和量子效率，有效适用于紫外激发暖白光LED照明和显示等领域，是一类有潜质的新型发光材料。
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