公开(公告)号：CN118064977A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410342398.0

申请日：2024-03-25

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  任伊扬 ,  申慧 ,  刘莉莉 ,  周鼎 ,  田甜 ,  马云峰

IPC: C30B29/22 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明公开了一种铈镨掺杂硼酸钇锂晶体的制备方法，涉及晶体生长技术领域。该掺杂硼酸钇锂晶体的化学式为Li6CexPryY1‑x‑yB3O9，其中x的取值范围是0＜x≤0.05，y的取值范围是0＜y≤0.05；其制备方法为：首先将高纯氧化物原料进行合成，再置于坩埚下降法生长炉内进行晶体的生长。本发明的制备方法通过较小的温度梯度和可控的下降速率有效解决了晶体易开裂的问题；通过选用合适的坩埚，可避免熔体组分挥发，成品率高，其生长工艺简单且可程序化操作，节约时间成本、极大提高生长效率并可实现工业化生产。

公开(公告)号：CN117568934A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311375349.9

申请日：2023-10-23

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 申慧 ,  李亚胜 ,  徐家跃 ,  顾炎恺 ,  田甜 ,  赵家豪 ,  任伊扬 ,  李杨

IPC: C30B29/52 ,  C30B7/00

Abstract: 本发明公开了一种大尺寸、具有结晶取向的Cs3Cu2X5单晶的快速生长方法，该方法利用极性有机溶剂与无机酸的混合良性溶液作为晶体生长溶液，通过CsX与CuX反应，利用抗溶剂扩散到良性溶液中，通过合适的溶液配比，在没有籽晶的情况下，能够快速生长出大尺寸，具有晶面取向的高质量Cs3Cu2X5单晶。本发明所述方法具有易操作、低成本、周期短、环境友好等特点，合成的晶体不仅具有结晶取向，同时晶体尺寸达到厘米级。

公开(公告)号：CN117070026A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310853819.1

申请日：2023-07-12

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 刘可 ,  任伊扬 ,  梁千盛 ,  李永胜

IPC: C08L23/16 ,  C08L1/02 ,  C08K9/12 ,  C08K9/04 ,  C08K3/08

Abstract: 本发明涉及一种无卤阻燃三元乙丙橡胶的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：向双螺杆挤出机中加入三元乙丙橡胶100份，改性金属‑气凝胶组合物20‑60份，60‑100℃下混炼5‑30分钟，接着在平板硫化机上于150‑200℃硫化10‑30分钟，得到无卤阻燃三元乙丙橡胶；所述改性金属‑气凝胶组合物是由纳米纤维素气凝胶负载金属杂化粒子制得再经表面疏水改性制得；所述金属杂化粒子是由锌、锡杂化而成。本发明技术方案中，通过将金属‑气凝胶组合，极大的提升了无卤阻燃三元乙丙橡胶的阻燃性能，其极限氧指数最高为35，撕裂强度最高达到54.6MPa。