公开(公告)号：CN101454113B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200780019998.8

申请日：2007-05-30

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 内海淳 ,  后藤崇之 ,  井手健介 ,  船山正宏 ,  高木秀树

IPC: B23K20/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B32B38/0008 ,  B23K20/02 ,  B23K20/22 ,  B32B37/14 ,  B32B2457/00 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/032 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/58 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供常温接合的器件、器件的制造方法以及常温接合装置。该器件在第一衬底和第二衬底的界面形成生成接合强度的中间材料，在该中间材料层内存多种金属元素。根据溅射时的运转参数，该多种金属元素的界面元素存在比率为0.07以上。这样，将难接合性材料组成的衬底(例如，SiO2类材料衬底)通过常温接合，以实用的接合强度进行接合，从而得到器件。

公开(公告)号：CN102159356A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980135284.2

申请日：2009-02-19

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 津野武志 ,  后藤崇之 ,  木内雅人 ,  井手健介 ,  铃木毅典

IPC: B23K20/00 ,  B23K20/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B23K17/00 ,  B23K37/0408 ,  B23K37/047 ,  B23K2101/40 ,  B29C65/7897 ,  H01L21/187 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明的提供一种晶片接合方法和晶片接合装置。该晶片接合方法包括：通过向上侧保持机构(7)施加电压而将第一基板保持在上侧保持机构(7)的步骤；通过接合该第一基板和保持在下侧保持机构(8)的第二基板来生成接合基板的步骤；在上侧保持机构(7)施加交变衰减电压后，从上侧保持机构(7)解除装卡该接合基板的步骤。通过在上侧保持机构(7)施加交变衰减电压，能够降低该接合基板与上侧保持机构(7)之间的残留吸附力，更为可靠且在更短时间从上侧保持机构(7)解除装卡。其结果，晶片接合装置(1)能够在更短时间接合第一基板和第二基板。

公开(公告)号：CN101960557B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200880127651.X

申请日：2008-03-11

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 津野武志 ,  后藤崇之 ,  木之内雅人 ,  田原谕 ,  内海淳 ,  津村阳一郎 ,  井手健介 ,  铃木毅典

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/14

CPC classification number: H01L21/67778 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6732 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  Y10T156/1744

Abstract: 本发明提供一种常温接合装置，其具备：角度调节机构(12)，将保持第一基板的第一试料台(13)支承在第一架台(11)上并可变更所述第一试料台(13)的朝向；第一驱动装置(14)，沿第一方向驱动所述第一架台(11)；第二驱动装置(44)，沿第二方向驱动保持第二基板的第二试料台(46)；以及滑架支承台(45)，在压接所述第二基板和所述第一基板时，沿所述第一方向支承所述第二试料台(46)。此时，常温接合装置可将超过第二驱动装置(44)的耐负荷的大负荷施加于第一基板和第二基板。常温接合装置还能够利用角度调节机构(12)变更第一基板的方向以使第一基板和第二基板平行地接触，能够使接合面均匀地承载所述大负荷。

公开(公告)号：CN102598208A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080047559.X

申请日：2010-11-30

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 堤圭一郎 ,  津野武志 ,  后藤崇之 ,  木之内雅人 ,  铃木毅典 ,  井手健介

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/14 ,  B23K20/24 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/187

Abstract: 本发明具备：通过向第一基板的第一基板表面和第二基板的第二基板表面照射粒子来使第二基板表面和第一基板表面活化的活化步骤(S2)；及在第一基板的温度与第二基板的温度的温度差成为规定值以下之后，使第二基板表面与第一基板表面接触，从而将第二基板与第一基板接合的接合步骤(S4)。根据此种接合方法，与在第一基板的温度与第二基板的温度的温度差成为规定值以下之前将两基板接合的其他的接合方法相比，能够进一步降低在得到的接合基板上产生的翘曲。

公开(公告)号：CN101147149B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200680008911.2

申请日：2006-03-20

Applicant: 三菱重工业株式会社 ,  株式会社PAL构造

Inventor： 三浦正美 ,  井手健介 ,  河野隆之 ,  松隈正之 ,  基志川忍 ,  串山益子 ,  中滨刚 ,  泉光彦

IPC: G06F17/50 ,  G06T17/30

CPC classification number: G06T17/30

Abstract: 从作为对象物形状测定结果而得到的多个点群中选择多个代表点，根据代表点与存在于代表点周围的点之间的位置关系，分别计算各个代表点上的主曲率，并根据代表点上的主曲率制作曲率线，利用该曲率线生成曲面。

公开(公告)号：CN101500742B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200780029959.6

申请日：2007-09-06

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 后藤崇之 ,  内海淳 ,  井手健介 ,  高木秀树 ,  船山正宏

IPC: B23K20/00 ,  B23K20/14 ,  B23K20/24 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/2007 ,  B23K20/02 ,  B23K20/16 ,  B23K20/24 ,  B23K2101/36 ,  C23C14/16 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/46

Abstract: 一种常温接合方法，是将多个基板(4)隔着中间件(20、21)在常温下接合的方法，包括物理溅射多个靶(7)从而在所述基板(4)的被接合面上形成所述中间件(20、21)的工序和将被接合面用离子束活性化的工序。这种情况下，优选是物理溅射由多种材料构成的靶(7)。从基板(4)的被接合面看，由于从沿各种方向配置的多个靶溅射中间件(20、21)的材料，因而能够往所述被接合面上均匀地形成中间件(20、21)。再有，由于以多种材料形成中间件，因此无需接合时的加热和过度压接而能够实现由单一种类材料形成中间件时很难接合的基板彼此的常温接合。

公开(公告)号：CN101147149A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680008911.2

申请日：2006-03-20

Applicant: 三菱重工业株式会社 ,  株式会社PAL构造

Inventor： 三浦正美 ,  井手健介 ,  河野隆之 ,  松隈正之 ,  基志川忍 ,  串山益子 ,  中滨刚 ,  泉光彦

IPC: G06F17/50 ,  G06T17/30

CPC classification number: G06T17/30

Abstract: 从作为对象物形状测定结果而得到的多个点群中选择多个代表点，根据代表点与存在于代表点周围的点之间的位置关系，分别计算各个代表点上的主曲率，并根据代表点上的主曲率制作曲率线，利用该曲率线生成曲面。

公开(公告)号：CN102934198B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201180026986.4

申请日：2011-07-29

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 津野武志 ,  后藤崇之 ,  木内雅人 ,  井手健介

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00

CPC classification number: B32B37/0046 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种常温接合方法，本发明的常温接合方法具备：通过将两个基板活化来制作两个活化基板的步骤、通过将两个活化基板接合来制作接合基板的步骤、将接合基板退火以使接合基板的残余应力降低的步骤。根据这种常温接合方法，能够降低接合基板的残余应力，能够进一步提高质量。

公开(公告)号：CN102934198A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180026986.4

申请日：2011-07-29

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 津野武志 ,  后藤崇之 ,  木内雅人 ,  井手健介

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00

CPC classification number: B32B37/0046 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种常温接合方法，本发明的常温接合方法具备：通过将两个基板活化来制作两个活化基板的步骤、通过将两个活化基板接合来制作接合基板的步骤、将接合基板退火以使接合基板的残余应力降低的步骤。根据这种常温接合方法，能够降低接合基板的残余应力，能够进一步提高质量。

公开(公告)号：CN101849276B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880114556.6

申请日：2008-10-14

Applicant: 三菱重工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 内海淳 ,  后藤崇之 ,  井手健介 ,  高木秀树 ,  船山正宏

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/02 ,  H01L27/14 ,  H01L31/02 ,  B23K20/00

CPC classification number: H01L21/2007 ,  C03C27/06 ,  H01L24/28 ,  H01L24/31 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的设备具备：第一基板，其主成分为二氧化硅；第二基板，其主成分为硅或化合物半导体或二氧化硅或氟化物的任一个；接合功能中间层，其配置于第一基板、和第二基板之间。第一基板通过经由接合功能中间层，使第一基板的溅射的第一表面、和第二基板的溅射的第二表面接触的常温接合，接合于第二基板。此时，接合功能中间层的材料与第一基板的主成分不同，与第二基板的主成分不同，选自氧化物或氟化物或氮化物中的具有光透过性的材料。