基于电子干涉的反相器
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115244707A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202180017836.0

    申请日:2021-02-02

    Abstract: 半导体器件包括至少三个臂。第一臂和第二臂的沟道延伸至第三臂的沟道。当因第一电压的施加而产生的电流从第一臂向第二臂流动时,生成从第一臂和第二臂的沟道到第三臂的沟道的弹道电子流。鳍结构位于第三臂中并且包括处于该鳍结构上方的栅极。栅极是使用第二电压来控制的。鳍结构被形成为对能量场结构进行感应,该能量场结构按第二电压的量移位,以控制栅极的弹道电子流穿过的开口,从而使弹道电子经受衍射然后经受干涉,该开口又改变耗尽宽度。

    发送器
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111937317B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN201880091240.3

    申请日:2018-08-22

    Abstract: 一种发送器包括射频(RF)链。每个RF链包括功率放大器、带通滤波器以及用于使用具有由RF链发送的模拟信号的相移所限定的出射角(AOD)的波束成形来发送模拟信号的天线。处理器确定用于从RF链发送的数字信号。其中,在数字信号与RF链之间存在一一对应关系。编码器用二进制码对数字信号进行编码,以产生一组已编码数字信号,并将已编码数字信号组合为组合数字信号。数模转换器将组合数字信号转换到模拟域中,以产生组合模拟信号。解码器使用二进制码将组合模拟信号解码为一组模拟信号,并将模拟信号提交到对应的RF链中。

    半导体器件和设计半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN109952655B

    公开(公告)日:2022-02-15

    申请号:CN201780070652.4

    申请日:2017-09-27

    Inventor: 张坤好 唐晨杰

    Abstract: 一种半导体器件包括:半导体结构,该半导体结构包括形成具有载流子电荷的载流子沟道的第一掺杂层(16);第二掺杂层(13),该第二掺杂层具有与第一掺杂层的导电类型相同的导电类型;势垒层,该势垒层隔着第二掺杂层接近所述半导体结构设置,其中,所述势垒层包括掺杂层(11),该掺杂层具有与第二掺杂层的导电类型相反的导电类型;以及一组电极,该组电极提供和控制载流子沟道中的载流子电荷。

    发送器、接收器及用于发送模拟信号的方法

    公开(公告)号:CN111602345B

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN201880086343.0

    申请日:2018-07-06

    Abstract: 发送器或接收器包括至少一个射频(RF)链。RF链包括发送元件阵列,每个发送元件包括串联连接的带通滤波器和天线,以使用具有通过由阵列内的不同发送元件接收的模拟信号的相移所限定的发射角(AOD)的波束成形来发送模拟信号。移相器使输入信号的相位移位。可变增益放大器(VGA)改变输入信号的振幅。切换器将移相器和VGA连接到阵列中的每个发送元件。其中,在给定的时间点最多一个发送元件被连接到移相器和VGA,使得切换器为单刀M掷(SPMT)模拟开关。控制器控制移相器、VGA和切换器。

    射频(RF)发送器及RF发送方法

    公开(公告)号:CN112219354A

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN201980035225.1

    申请日:2019-01-09

    Abstract: 一种射频(RF)发送器包括:输入端口的集合,其接收要在分离频带的集合上发送的信号的基带采样;滤波器组的集合,针对每个输入端口存在一个滤波器组,每个滤波器组包括多个数字多相插值滤波器,以对基带采样的相应序列的偏移相位进行采样,并对采样的相位进行插值,以产生具有偏移相位的插值基带相控采样的多个序列;以及振荡器组的集合,每个振荡器组包括与多个数字多相插值滤波器对应的多个多相数字直接合成器(DDS),以生成数字波形的多个采样序列。RF发送器包括:混频器组的集合,其将数字波形的相应采样序列和插值基带相控采样混合,以将插值基带相控采样的每个序列上变频至有效频率;并行数字组合器,其将不同频带的插值基带相控采样的同相序列组合在一起,以产生多频带上变频采样的多个序列;以及脉冲编码器,其对多频带上变频采样的多个序列进行调制并编码,以产生多个编码的多频带信号。RF发送器将多个编码的多频带信号转换为RF比特流并且将RF比特流作为模拟信号进行辐射。

    用于生成多频带信号的系统和方法

    公开(公告)号:CN107113260A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201580062209.3

    申请日:2015-10-27

    Abstract: 一种用于生成多频带信号的方法将多个基带包络信号变换成表示包括多个不相交频带的信号的一序列符号。每一个频带都对应于单个基带包络信号。每一个符号都对应于所述信号的幅度,并且是从数的有限集中选择的数。所述方法将所述一序列符号编码为多个脉冲宽度调制(PWM)信号。每一个PWM信号都包括用于编码每一个符号的多个代码,使得该组PWM信号的、对符号进行编码的所述代码的值的和与所述符号的值成比例。所述方法放大所述PWM信号以生成多个放大信号,并且组合所述放大信号以生成所述多频带信号。

    宽带射频功率放大器
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107078696A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201580050194.9

    申请日:2015-09-17

    Abstract: 宽带自包络跟踪功率放大器(PA)可以使用大于40‑MHz的信道带宽,并且将自包络跟踪PA的包络带宽限制提高十倍。PA使用包络负载网络,所述包络负载网络基于通用的多级低通滤波器。位于RF扼流圈电感器与主DC电源之间的包络负载网络提供动态调制的PA电源电压,而无需使用专用包络放大器。所述网络的输入端子经由RF扼流圈电感器将主PA连接到低通滤波器的输入端。输出端子经由包络扼流圈电感器连接到所述低通滤波器以及连接到直流(DC)电源。DC阻断器通过终端电阻器连接在所述低通滤波器的输出端和地之间。

    器件、高电子迁移率晶体管及控制其工作的方法

    公开(公告)号:CN104051519B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201410096339.6

    申请日:2014-03-14

    Abstract: 器件、高电子迁移率晶体管及控制其工作的方法。一种器件包括发送和接收电子电荷的源和漏。所述器件还包括提供所述源与所述漏之间的传导路径的至少一部分的第一叠层和第二叠层,其中,所述第一叠层包括第一极性的第一氮化镓(GaN)层,所述第二叠层包括第二极性的第二氮化镓(GaN)层,并且其中,所述第一极性不同于所述第二极性。至少一个栅在工作上连接到至少所述第一叠层以控制所述电子电荷的传导,使得在所述器件的工作期间,所述传导路径包括形成在所述第一GaN层中的第一二维电子气(2DEG)沟道以及形成在所述第二GaN层中的第二2DEG沟道。

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