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公开(公告)号：CN107851663B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201680041948.9
申请日：2016-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件(100)包括：半导体结构(170)，其形成载流子沟道(140)；势垒层(171)，其接近半导体结构设置；以及一组电极(120、125、130)，其用于提供并控制载流子沟道中的载流子电荷。该势垒层由具有与载流子沟道的导电类型相反的导电类型的杂质至少部分地掺杂。该势垒层的材料具有比该半导体结构中的材料的带隙和热导率大的带隙和热导率。
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公开(公告)号：CN108028273B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201680040999.X
申请日：2016-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/08 , H01L29/20
Abstract: 一种半导体装置包括：分层结构，该分层结构形成在所述半导体装置的不同深度平行延伸的多个载流子沟道；以及栅电极，该栅极电极具有不同长度的多个栅极指，多个栅极指穿透所述分层结构以到达并控制处于不同深度的对应载流子沟道。所述半导体装置还包括载流子电极，该载流子电极具有不同长度的多个载流子指，多个载流子指穿透所述分层结构以接入对应的载流子沟道。所述载流子指与所述栅极指相间交错。
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公开(公告)号：CN108028273A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680040999.X
申请日：2016-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/08 , H01L29/20
CPC classification number: H01L29/7789 , H01L29/0843 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/41758 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66431 , H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/7782 , H01L29/7783 , H01L29/7788
Abstract: 一种半导体装置包括：分层结构，该分层结构形成在所述半导体装置的不同深度平行延伸的多个载流子沟道；以及栅电极，该栅极电极具有不同长度的多个栅极指，多个栅极指穿透所述分层结构以到达并控制处于不同深度的对应载流子沟道。所述半导体装置还包括载流子电极，该载流子电极具有不同长度的多个载流子指，多个载流子指穿透所述分层结构以接入对应的载流子沟道。所述载流子指与所述栅极指相间交错。
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公开(公告)号：CN107851663A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041948.9
申请日：2016-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7784 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/1083 , H01L29/1602 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/7782 , H01L29/7783 , H01L29/7786
Abstract: 一种半导体器件(100)包括：半导体结构(170)，其形成载流子沟道(140)；势垒层(171)，其接近半导体结构设置；以及一组电极(120、125、130)，其用于提供并控制载流子沟道中的载流子电荷。该势垒层由具有与载流子沟道的导电类型相反的导电类型的杂质至少部分地掺杂。该势垒层的材料具有比该半导体结构中的材料的带隙和热导率大的带隙和热导率。
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