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公开(公告)号：CN113196479B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN201980083012.6
申请日：2019-06-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/8256
Abstract: 电路包括夹在第一缓冲层和第二缓冲层之间的铁电层，第一缓冲层与第一金属层的一部分接触，并且第一金属层延伸超过第一缓冲层。电介质层夹在第二金属层和第三金属层之间，使得第二金属层延伸超过电介质层并与第二缓冲层接触，其中，铁电电容器由第一金属层、夹在第一缓冲层和第二缓冲层之间的铁电层以及第二金属层形成。
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公开(公告)号：CN111194522B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201880065323.5
申请日：2018-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种滤波器(300)包括电路(330)，该电路(330)包括电阻器(301)、正电容器(303)和经由包括铁电层的负电容器(302)的虚拟电感器。该滤波器还包括接受电路两端的输入电压的输入端子(310)以及传送取自电阻器、正电容器或正电容器和负电容器的串联连接两端的输出电压的输出端子(320)以分别实现高通、低通或谐振特性。
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公开(公告)号：CN115298831A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022952.1
申请日：2021-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/337 , H01L29/10 , H01L21/265 , H01L29/20
Abstract: 包括源极、栅极和漏极的场效应晶体管器件的设备和方法。该晶体管包括位于源极、栅极和漏极下方的半导体区域位置。使得半导体区域可以包括氮化镓(GaN)层和III族元素氮化物(III‑N)层。其中，GaN层包括带隙，并且III‑N层包括带隙。使得III‑N层带隙高于GaN层带隙。半导体区域的子区域位于栅极下方并且在子区域中的选定位置处掺杂有Mg离子。
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公开(公告)号：CN112219354B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201980035225.1
申请日：2019-01-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 马瑞 , D·A·达科斯塔·迪尼斯 , 张坤好 , 菲利普·奥尔利克
IPC: H04B1/04
Abstract: 一种射频(RF)发送器包括：输入端口的集合，其接收要在分离频带的集合上发送的信号的基带采样；滤波器组的集合，针对每个输入端口存在一个滤波器组，每个滤波器组包括多个数字多相插值滤波器，以对基带采样的相应序列的偏移相位进行采样，并对采样的相位进行插值，以产生具有偏移相位的插值基带相控采样的多个序列；以及振荡器组的集合，每个振荡器组包括与多个数字多相插值滤波器对应的多个多相数字直接合成器(DDS)，以生成数字波形的多个采样序列。RF发送器包括：混频器组的集合，其将数字波形的相应采样序列和插值基带相控采样混合，以将插值基带相控采样的每个序列上变频至有效频率；并行数字组合器，其将不同频带的插值基带相控采样的同相序列组合在一起，以产生多频带上变频采样的多个序列；以及脉冲编码器，其对多频带上变频采样的多个序列进行调制并编码，以产生多个编码的多频带信号。RF发送器将多个编码的多频带信号转换为RF比特流并且将RF比特流作为模拟信号进行辐射。
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公开(公告)号：CN111937317A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201880091240.3
申请日：2018-08-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H04B7/0413 , H04B7/06
Abstract: 一种发送器包括射频(RF)链。每个RF链包括功率放大器、带通滤波器以及用于使用具有由RF链发送的模拟信号的相移所限定的出射角(AOD)的波束成形来发送模拟信号的天线。处理器确定用于从RF链发送的数字信号。其中，在数字信号与RF链之间存在一一对应关系。编码器用二进制码对数字信号进行编码，以产生一组已编码数字信号，并将已编码数字信号组合为组合数字信号。数模转换器将组合数字信号转换到模拟域中，以产生组合模拟信号。解码器使用二进制码将组合模拟信号解码为一组模拟信号，并将模拟信号提交到对应的RF链中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110463030A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201780088657.X
申请日：2017-10-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02S10/30
Abstract: 一种热光伏(TPV)能量转换器包括：热发射体，其响应于接收到热而生成能量光子；以及热接收器，其布置在距热发射体一定距离处。热接收器包括将所接收的光子转换为电能的光伏电池。热发射体包括布置在热发射体的最靠近热接收器的表面上的第一层的材料。热接收器包括布置在热接收器的最靠近热发射体的表面上的第二层的材料。第一层的材料和第二层的材料具有高于光伏电池的带隙的表面谐振频率。
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公开(公告)号：CN105814801B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201480058628.5
申请日：2014-10-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H04L25/4902 , H03F1/02 , H03F3/24 , H04B1/0007 , H04B1/0475 , H04B2001/0425 , H04B2001/045 , H04B2001/0491 , H04L25/4917
Abstract: 发送机包括用于将数据转换成中频(IF)信号的第一数字上变频器、用于将IF信号编码成IF脉冲串的脉冲宽度调制器(PWM)、用于将IF脉冲串转换成射频(RF)脉冲串的第二数字上变频器、用于放大RF脉冲串的功率放大器以及用于根据放大的RF脉冲串重构RF模拟信号的滤波器。
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公开(公告)号：CN106575951A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580041794.9
申请日：2015-07-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种功率编码器(600)包括用于根据阈值(620)的集合调制信号(630)以产生脉宽调制(PWM)信号的脉宽调制器(610)以及用于根据PWM信号的振幅通过切换开关器件(650)的状态来放大PWM信号(615)的开关模式功率放大器。所述集合中的电压阈值的值的分布与通过不同开关器件生成的电流的值的分布中的至少一方或其组合是非均匀的。电压阈值的集合包括至少两个正电压阈值。
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公开(公告)号：CN106464223A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580030328.0
申请日：2015-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03H7/38 , H03H7/0115 , H03H7/1758 , H03H7/1766 , H03H7/468 , H03H2007/013 , H03H2007/386 , H04M1/026
Abstract: 一种宽带谐波陷波器包括呈并联LC电路(511、512)形式的第一谐振回路(510)和呈串联LC电路(521、522)形式的第二谐振回路(520)。所述LC电路连接到共用输入端(501)，所述并联LC电路(511、512)的输出端连接至负载(502)并经由分路电容器(530)接地，并且所述串联LC电路(521、522)的输出端接地。通过所连接的电容器在输入端处的宽带功率放大器和在输出端处的天线(903)。(530)实现阻抗匹配。装置可以连接到晶体管，如
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公开(公告)号：CN103199805A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310041030.2
申请日：2013-01-09
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2200/111 , H03F2200/387
Abstract: 本发明涉及用于多频带功率放大器的阻抗匹配网络形式的装置。用于RF功率放大器的多频带匹配网络利用并联连接的多个阻抗变换器分支。每个变换器分支在一个频带实现匹配。每个变换器分支的芯连接在频率阻挡网络之间，其排除带外信号。
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