集成电路、制造集成电路的方法及电子装置

    公开(公告)号:CN113196479B

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN201980083012.6

    申请日:2019-06-25

    Abstract: 电路包括夹在第一缓冲层和第二缓冲层之间的铁电层,第一缓冲层与第一金属层的一部分接触,并且第一金属层延伸超过第一缓冲层。电介质层夹在第二金属层和第三金属层之间,使得第二金属层延伸超过电介质层并与第二缓冲层接触,其中,铁电电容器由第一金属层、夹在第一缓冲层和第二缓冲层之间的铁电层以及第二金属层形成。

    电路、制造电路的方法及装置

    公开(公告)号:CN113196479A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN201980083012.6

    申请日:2019-06-25

    Abstract: 电路包括夹在第一缓冲层和第二缓冲层之间的铁电层,第一缓冲层与第一金属层的一部分接触,并且第一金属层延伸超过第一缓冲层。电介质层夹在第二金属层和第三金属层之间,使得第二金属层延伸超过电介质层并与第二缓冲层接触,其中,铁电电容器由第一金属层、夹在第一缓冲层和第二缓冲层之间的铁电层以及第二金属层形成。

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