公开(公告)号：CN104051519B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410096339.6

申请日：2014-03-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 张坤好 ,  冯沛杰 ,  马瑞

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7831

Abstract: 器件、高电子迁移率晶体管及控制其工作的方法。一种器件包括发送和接收电子电荷的源和漏。所述器件还包括提供所述源与所述漏之间的传导路径的至少一部分的第一叠层和第二叠层，其中，所述第一叠层包括第一极性的第一氮化镓（GaN）层，所述第二叠层包括第二极性的第二氮化镓（GaN）层，并且其中，所述第一极性不同于所述第二极性。至少一个栅在工作上连接到至少所述第一叠层以控制所述电子电荷的传导，使得在所述器件的工作期间，所述传导路径包括形成在所述第一GaN层中的第一二维电子气（2DEG）沟道以及形成在所述第二GaN层中的第二2DEG沟道。

公开(公告)号：CN104051519A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410096339.6

申请日：2014-03-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 张坤好 ,  冯沛杰 ,  马瑞

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7831

Abstract: 器件、高电子迁移率晶体管及控制其工作的方法。一种器件包括发送和接收电子电荷的源和漏。所述器件还包括提供所述源与所述漏之间的传导路径的至少一部分的第一叠层和第二叠层，其中，所述第一叠层包括第一极性的第一氮化镓（GaN）层，所述第二叠层包括第二极性的第二氮化镓（GaN）层，并且其中，所述第一极性不同于所述第二极性。至少一个栅在工作上连接到至少所述第一叠层以控制所述电子电荷的传导，使得在所述器件的工作期间，所述传导路径包括形成在所述第一GaN层中的第一二维电子气（2DEG）沟道以及形成在所述第二GaN层中的第二2DEG沟道。