公开(公告)号：CN109952655A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201780070652.4

申请日：2017-09-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 张坤好 ,  唐晨杰

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/36 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体结构，该半导体结构包括形成具有载流子电荷的载流子沟道的第一掺杂层(16)；第二掺杂层(13)，该第二掺杂层具有与第一掺杂层的导电类型相同的导电类型；势垒层，该势垒层隔着第二掺杂层接近所述半导体结构设置，其中，所述势垒层包括掺杂层(11)，该掺杂层具有与第二掺杂层的导电类型相反的导电类型；以及一组电极，该组电极提供和控制载流子沟道中的载流子电荷。

公开(公告)号：CN109952655B

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN201780070652.4

申请日：2017-09-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 张坤好 ,  唐晨杰

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/36 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体结构，该半导体结构包括形成具有载流子电荷的载流子沟道的第一掺杂层(16)；第二掺杂层(13)，该第二掺杂层具有与第一掺杂层的导电类型相同的导电类型；势垒层，该势垒层隔着第二掺杂层接近所述半导体结构设置，其中，所述势垒层包括掺杂层(11)，该掺杂层具有与第二掺杂层的导电类型相反的导电类型；以及一组电极，该组电极提供和控制载流子沟道中的载流子电荷。