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公开(公告)号：CN102446875A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110190241.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L23/4006 , H01L23/4334 , H01L23/473 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45124 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供能够用简易的方法提高半导体封装部与散热片之间的密合性、提高散热性的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置，具备：散热片(13、14)；绝缘片(4)，以暴露散热片(13、14)上表面的一部分的方式与该上表面接合；热分流器(2)，配置在绝缘片(4)上；功率元件(1)，配置在热分流器(2)上；以及传递模塑树脂(8)，覆盖包含散热片(13、14)上表面的一部分的既定的面、绝缘片(4)、热分流器(2)以及功率元件(1)而形成，散热片(13、14)上表面具有为约束绝缘片(4)的边缘部而形成的凸起形状和/或凹陷形状。
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公开(公告)号：CN109952639B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201680090636.7
申请日：2016-11-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体芯片(2a)接合于导体基板(1a)的上表面。与半导体芯片(2a)相比控制端子(11a)配置于外侧，该控制端子通过导线(12a)与半导体芯片(2a)的控制电极连接。壳体(10)包围半导体芯片(2a)。封装材料(13)对半导体芯片(2a)进行封装。引线框架(4)具有：接合部(4a)，其接合于半导体芯片(2a)；以及垂直部(4b)，其装入于壳体(10)，从接合部(4a)引出到控制端子(11a)的外侧，相对于半导体芯片(2a)的上表面向垂直方向立起。
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公开(公告)号：CN109983571A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201680090921.9
申请日：2016-11-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供减少残留在接合材料内部的孔洞，可靠性高的半导体装置。半导体装置具备半导体芯片(1)、绝缘基板(3)、金属基座板(4)、树脂部(6)以及凸块(10)。半导体芯片(1)具有凹形状的翘曲。在绝缘基板(3)通过接合而搭载有半导体芯片(1)。在金属基座板(4)安装有绝缘基板(3)，且金属基座板(4)具有散热性。树脂部(6)将绝缘基板(3)及半导体芯片(1)进行封装。凸块(10)配置于半导体芯片(1)和绝缘基板(3)之间的接合部。半导体芯片(1)的凹形状的翘曲量为大于或等于1μm且小于所述凸块的高度。
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公开(公告)号：CN109119379A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810643210.0
申请日：2018-06-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/04 , H01L23/367
Abstract: 目的是针对半导体装置提供通过对接合材料收缩所引起的冷却板翘曲进行抑制，从而能够抑制冷却性能降低的技术。半导体装置(100)具备：冷却板(11)，具备在绝缘体之上配置的电路图案；冷却板(12)，与冷却板(11)相对地配置，具备在绝缘体上配置的电路图案；半导体芯片(15)，由接合材料接合在冷却板(11)的电路图案和冷却板(12)的电路图案之间；以及壳体(13)，对冷却板(11)及冷却板(12)的外周部进行保持，且收容冷却板(11)及冷却板(12)的一部分和半导体芯片，半导体芯片搭载于冷却板(11)和冷却板(12)之间的半导体芯片搭载部(11a、12a)，壳体的与半导体芯片搭载部及其周边对应的部分的上下宽度比壳体的其它部分的上下宽度大。
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公开(公告)号：CN104137252B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201280070502.0
申请日：2012-02-22
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/367 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/3157 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49844 , H01L23/564 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/49111 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种半导体装置，其内置散热器，在该半导体装置中具有为了抑制绝缘破坏而进行了改善的结构。半导体装置具有：具有底面的导电性的散热器、片部件、作为半导体元件的IGBT和二极管、以及模塑树脂。片部件具有表面和背面，将表面和背面电绝缘，表面与散热器的底面接触，并且该片部件具有从底面的边缘凸出的周缘部。IGBT和二极管固定在散热器上，且与散热器电连接。模塑树脂对片部件的表面、散热器、以及半导体元件进行封装，并且使片部件的背面的至少一部分露出。散热器在底面的角处具有角部，该角部在俯视观察时为倒角形状或者曲面形状，且在剖面观察时为矩形形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102194784B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201010586664.2
申请日：2010-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L23/488 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/142 , H01L23/492 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L2224/29076 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置，以解决为了控制更大的电流而加厚了接合部件的厚度时，会恶化其散热性等的问题。本发明的半导体装置，其中包括：作为半导体元件的功率半导体元件(1)；接合功率半导体元件(1)的上表面及下表面的接合部(4)；以及隔着接合部(4)而对半导体元件(1)上下接合的金属板(3、5)，接合部(4)具备配置在功率半导体元件(1)与金属板(3、5)之间的网状金属体(8)，和埋设网状金属体(8)的接合部件(2)。
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公开(公告)号：CN101378040B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810098757.3
申请日：2008-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。功率模块(101)具备：被密封部(20)，具有至少一个半导体元件(21N、21P、23N以及23P)；密封构件(10)，具有夹持被密封部(20)的第一以及第二面(P1以及P2)，并且将被密封部(20)密封。密封构件(10)在至少一个半导体元件(21N、21P、23N以及23P)上具有使被密封部(20)的所述第一面(P1)侧的表面的一部分露出的至少一个开口部(A1N以及A1P)。由此，能够提供可小型化的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101378040A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810098757.3
申请日：2008-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。功率模块(101)具备：被密封部(20)，具有至少一个半导体元件(21N、21P、23N以及23P)；密封构件(10)，具有夹持被密封部(20)的第一以及第二面(P1以及P2)，并且将被密封部(20)密封。密封构件(10)在至少一个半导体元件(21N、21P、23N以及23P)上具有使被密封部(20)的所述第一面(P1)侧的表面的一部分露出的至少一个开口部(A1N以及A1P)。由此，能够提供可小型化的半导体装置。
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公开(公告)号：CN118974898A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202280094438.3
申请日：2022-04-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供能够减少半导体装置的孔洞的技术。半导体装置具有镀膜、半导体元件和间隔件。半导体元件设置于镀膜的上方。间隔件包含第1导线凸块。间隔件在镀膜与半导体元件之间设置间隙。第1导线凸块的下表面不与镀膜接触，或者第1导线凸块的下表面中的位于比镀膜的外周部更靠外侧处的一部分不与镀膜接触。
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公开(公告)号：CN111066142A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201780094087.5
申请日：2017-08-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，对于功率半导体装置，抑制封装树脂的裂纹和半导体装置的翘曲。本发明的功率半导体装置具有：半导体元件(4、6)；端子(9)，其与所述半导体元件(4、6)的上表面接合；框体(14)，其将半导体元件(4、6)以及端子(9)收容；以及封装树脂，其在框体(14)内将半导体元件(4、6)以及端子(9)封装，封装树脂具有：第1封装树脂(21)，其至少将半导体元件(4、6)覆盖；以及第2封装树脂(22)，其形成于第1封装树脂(21)的上方，在半导体元件(4、6)的工作温度下，第1封装树脂(21)与第2封装树脂(22)相比线膨胀系数小，第1封装树脂(21)与端子(9)之间的线膨胀系数之差比第2封装树脂(22)与端子(9)之间的线膨胀系数之差小。
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