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公开(公告)号:CN102194784A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201010586664.2
申请日:2010-11-30
申请人: 三菱电机株式会社
IPC分类号: H01L23/492 , H01L23/488 , H01L23/367
CPC分类号: H01L23/142 , H01L23/492 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L2224/29076 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及半导体装置,以解决为了控制更大的电流而加厚了接合部件的厚度时,会恶化其散热性等的问题。本发明的半导体装置,其中包括:作为半导体元件的功率半导体元件(1);接合功率半导体元件(1)的上表面及下表面的接合部(4);以及隔着接合部(4)而对半导体元件(1)上下接合的金属板(3、5),接合部(4)具备配置在功率半导体元件(1)与金属板(3、5)之间的网状金属体(8),和埋设网状金属体(8)的接合部件(2)。
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公开(公告)号:CN102194784B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201010586664.2
申请日:2010-11-30
申请人: 三菱电机株式会社
IPC分类号: H01L23/492 , H01L23/488 , H01L23/367
CPC分类号: H01L23/142 , H01L23/492 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L2224/29076 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及半导体装置,以解决为了控制更大的电流而加厚了接合部件的厚度时,会恶化其散热性等的问题。本发明的半导体装置,其中包括:作为半导体元件的功率半导体元件(1);接合功率半导体元件(1)的上表面及下表面的接合部(4);以及隔着接合部(4)而对半导体元件(1)上下接合的金属板(3、5),接合部(4)具备配置在功率半导体元件(1)与金属板(3、5)之间的网状金属体(8),和埋设网状金属体(8)的接合部件(2)。
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公开(公告)号:CN1469469A
公开(公告)日:2004-01-21
申请号:CN03107322.0
申请日:2003-03-20
申请人: 三菱电机株式会社
CPC分类号: H01L25/071 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2924/09701 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要: 提供一种没有用导线进行的连接的功率半导体装置。IGBT121及二极管131接合在第一端子构件111的元件配置部分111a上,第二端子构件112的元件配置部分112a接合在IGBT121及二极管131上。另外,IGBT122及二极管132接合在第二端子构件112的元件配置部分112a上,第三端子构件113的元件配置部分113a接合在IGBT122及二极管132上。形成传送模外壳141,以便收容元件121、122、31、132。端子构件111、112、113的外部连接部分111b、112b、113b被引出到外壳141以外。第一及/或第三端子构件111、113的元件配置部分111a、113a从外壳露出。
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公开(公告)号:CN102446875B
公开(公告)日:2016-05-25
申请号:CN201110190241.3
申请日:2011-06-30
申请人: 三菱电机株式会社
IPC分类号: H01L23/367 , H01L23/31
CPC分类号: H01L23/3107 , H01L23/4006 , H01L23/4334 , H01L23/473 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45124 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要: 本发明提供能够用简易的方法提高半导体封装部与散热片之间的密合性、提高散热性的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置,具备:散热片(13、14);绝缘片(4),以暴露散热片(13、14)上表面的一部分的方式与该上表面接合;热分流器(2),配置在绝缘片(4)上;功率元件(1),配置在热分流器(2)上;以及传递模塑树脂(8),覆盖包含散热片(13、14)上表面的一部分的既定的面、绝缘片(4)、热分流器(2)以及功率元件(1)而形成,散热片(13、14)上表面具有为约束绝缘片(4)的边缘部而形成的凸起形状和/或凹陷形状。
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公开(公告)号:CN102446875A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201110190241.3
申请日:2011-06-30
申请人: 三菱电机株式会社
IPC分类号: H01L23/367 , H01L23/31
CPC分类号: H01L23/3107 , H01L23/4006 , H01L23/4334 , H01L23/473 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45124 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要: 本发明提供能够用简易的方法提高半导体封装部与散热片之间的密合性、提高散热性的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置,具备:散热片(13、14);绝缘片(4),以暴露散热片(13、14)上表面的一部分的方式与该上表面接合;热分流器(2),配置在绝缘片(4)上;功率元件(1),配置在热分流器(2)上;以及传递模塑树脂(8),覆盖包含散热片(13、14)上表面的一部分的既定的面、绝缘片(4)、热分流器(2)以及功率元件(1)而形成,散热片(13、14)上表面具有为约束绝缘片(4)的边缘部而形成的凸起形状和/或凹陷形状。
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公开(公告)号:CN100347857C
公开(公告)日:2007-11-07
申请号:CN03107322.0
申请日:2003-03-20
申请人: 三菱电机株式会社
CPC分类号: H01L25/071 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2924/09701 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要: 提供一种没有用导线进行的连接的功率半导体装置。IGBT121及二极管131接合在第一端子构件111的元件配置部分111a上,第二端子构件112的元件配置部分112a接合在IGBT121及二极管131上。另外,IGBT122及二极管132接合在第二端子构件112的元件配置部分112a上,第三端子构件113的元件配置部分113a接合在IGBT122及二极管132上。形成传送模外壳141,以便收容元件121、122、31、132。端子构件111、112、113的外部连接部分111b、112b、113b被引出到外壳141以外。第一及/或第三端子构件111、113的元件配置部分111a、113a从外壳露出。
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