公开(公告)号：CN100429770C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200510118099.6

申请日：2005-10-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  梅本光雄

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/351 ,  Y10S438/978 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。蚀刻半导体衬底(10)，形成从半导体衬底(10)到达焊盘电极(12)的通孔(16)。在此，上述蚀刻按使通孔(16)底部的开口直径A比焊盘电极(12)的平面宽度C大这样的蚀刻条件进行。其次，在包括该通孔(16)的半导体衬底(10)的背面上形成在通孔(16)底部使焊盘电极(12)露出的第二绝缘膜(17)。然后，形成与在通孔(16)底部露出的焊盘电极(12)电连接的贯通电极(20)及配线层(21)。进而形成保护层(22)、导电端子(23)。最后，通过切割将半导体衬底(10)切断分离为半导体芯片(10A)。

公开(公告)号：CN1307327C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN01112376.1

申请日：2001-02-28

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 龟山工次郎

IPC: C25D5/10 ,  C25D3/32 ,  C25D3/60

Abstract: 由于环境保护的要求，需要无铅的软钎料电镀。为了适应这种需求，提供了简便的无铅的软钎料电镀方法。将导电部件21依次浸渍在第1电镀液和第2电镀液中，施加不同金属材料的2层电镀膜22和23，所述的第1电镀液和第2电镀液，除了金属材料及溶解这些金属材料的酸性溶剂以外，形成相同的液构成。由此实现不需要水洗用液槽而且容易进行电镀液的浓度管理的电镀方法。

公开(公告)号：CN1779960A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510118098.1

申请日：2005-10-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  梅本光雄

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/10 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941

Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。在半导体衬底(10)的表面上介由第一绝缘膜(11)形成第一焊盘电极层(12)。然后，在它们的上层形成具有将第一焊盘电极层(12)局部露出的第一通孔(101)的第二绝缘膜(13)。然后，在第一通孔(101)内形成塞(14)，在第二绝缘膜(13)上形成与该塞(14)连接的第二焊盘电极层(15)。然后，形成与第二通孔(102)底部的焊盘电极(12)连接的贯通电极(20)及第二配线层(21)。再形成保护层(22)、导电端子(23)。最后，通过进行切割，将半导体衬底(10)切断分离成半导体芯片(10)。

公开(公告)号：CN1591787A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410061698.4

申请日：2004-06-30

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 龟山工次郎 ,  三田清志

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  B24D5/00

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种切削方法及其切削装置，可有效地除去毛刺。该切削方法用于切削半导体器件组的边界部而分离成各个半导体器件，其中，半导体器件组由将具有延展性的第一层和第二层叠层在周边侧的半导体器件排列多个而构成，该方法包括：切削工序，将第一旋转体从所述半导体器件组的边界部向所述第一和所述第二层的叠层方向移动，并切削所述第一和所述第二层；以及毛刺除去工序，将与所述第一旋转体相比为软质并且宽度在其同等以上的第二旋转体从所述半导体器件组的已被切削的边界部向所述叠层方向移动，以除去所述第一层中的毛刺。

公开(公告)号：CN1317825A

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN01111934.9

申请日：2001-02-28

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 龟山工次郎

IPC: H01L21/60 ,  C25D5/10 ,  C25D7/12

Abstract: 由于环境保护的要求，需要无铅的软钎料电镀。为了适应这种需求，提供简便的无铅的软钎料电镀装置。在将导电部件21依次浸渍在第1电镀液槽2的电镀液、第2电镀液槽3的电镀液中，施加不同金属材料的2层电镀膜22、23的电镀装置中，第1电镀液槽2电镀液和第2电镀液槽3的电镀液，除了金属材料及溶解这些金属材料的酸性溶剂以外，形成相同的液构成。由此实现不需要水洗用液槽而且容易进行电镀液的浓度管理的电镀方法。

公开(公告)号：CN101075554B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200710104155.X

申请日：2007-05-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  关克行 ,  龟山工次郎 ,  及川贵弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，特别是利用博世工艺形成有通路孔的半导体装置的制造方法，其目的是实现在通路孔内形成均匀的膜。以掩模层(2)作为掩模，利用博世工艺从半导体基板(1)的一面向另一面进行蚀刻，形成贯通该半导体基板(1)的所规定区域的通路孔(3)。接着，除去掩模层(2)。然后，利用干蚀法除去粗糙形状(4)，使通路孔(3)的内壁面平坦。接着，在通路孔(3)内使绝缘膜或阻挡层等形成均匀的膜。

公开(公告)号：CN101632155A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200880008259.3

申请日：2008-03-12

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 龟山工次郎

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/304 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在磨削晶圆而形成薄膜的半导体装置的情况下，需要分离成各芯片并对芯片的背面另外分别进行加工。在本发明中，在对晶圆(2a)的表面进行半切割而形成槽部(4)的状态下，通过粘合层(6)将具有刚性的支承体(5)与晶圆(2a)的表面粘贴。另外，在磨削晶圆(2a)的背面并单片化成各芯片(2b)以后，不将芯片(2b)从支承体(5)分离，进行伴随着形成背面电极(9a)等的热处理的背面加工。

公开(公告)号：CN101604632A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910140668.5

申请日：2009-06-12

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 关克行 ,  铃木彰 ,  小田岛庆汰 ,  冈田喜久雄 ,  龟山工次郎

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/31 ,  H01L21/306 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明的目的在于确立高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法的确立，以解决因位于PN接合部PNJC处的台沟内壁的第2绝缘膜的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的装置及方法，是对以干蚀刻形成的台沟，再以氟酸、硝酸系等蚀刻剂对该台沟的侧壁进行湿蚀刻，由此在台沟的上部形成由突出于台沟的第1绝缘膜所构成的檐部。且利用涂布法或印刷法将绝缘膜形成于台沟内、以及以台沟为中心以形成为比檐部区域还宽广的方式将绝缘膜形成于第1绝缘膜上，而该檐部成为阻止因之后的热处理而流动性变高的绝缘膜流往台沟的底部的障壁。故能以足够厚度的绝缘膜被覆位于PN接合部PNJC处的台沟侧壁，而达耐压的确保及漏电流的降低等目的。

公开(公告)号：CN100505300C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200610073803.5

申请日：2006-03-30

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 久保博稔 ,  白旗由香利 ,  松本成仁 ,  山室正伦 ,  龟山工次郎 ,  梅本光雄

IPC: H01L29/423 ,  H01L23/482 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，提高高频区域的半导体装置的特性。本发明的半导体装置(20A)在半导体衬底(25)的表面形成有与有源区域(21)连接的发射极焊盘电极(23E)、集电极焊盘电极(23C)及基极焊盘电极(23B)。另外，在半导体衬底(25)的背面形成有背面电极(26)。另外，与接地电位连接的发射极焊盘电极(23E)经由沿厚度方向贯通半导体衬底(25)的贯通电极(24A)与背面电极(26)连接。

公开(公告)号：CN100429963C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200610054752.1

申请日：2006-03-10

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  冈山芳央 ,  梅本光雄

IPC: H05K1/11 ,  H01L23/482 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，谋求提高半导体装置及其制造方法的可靠性。本发明的半导体装置，其特征在于：具有通过第1绝缘层(2)在半导体基板(1)上形成的焊盘电极(3)、和以从上述半导体基板(1)的背面到达上述焊盘电极3表面的方式形成的通孔(8)，上述通孔(8)，由以接近上述焊盘电极(3)部分的开口径比接近上述半导体基板1背面部分宽的方式形成的第1开口部分(7A)，和与上述第1开口部分(7A)连接，并以接近上述焊盘电极(3)表面部分的开口径比接近上述半导体基板(1)的表面部分窄的方式在上述第1绝缘层(2)上形成的第2开口部分(7B)构成。