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公开(公告)号：CN100346476C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410061704.6
申请日：2004-06-30
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H05K1/0203 , H01L23/49568 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K3/3426 , H05K2201/10659 , H05K2201/10689 , H01L2924/00 , H01L2924/20754 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置及混合集成电路装置。目前难于有效地使树脂模制的半导体元件产生的热量排放，该半导体元件会因热应力而损坏。在本发明中，具有连结在岛23的通用引线24M等，通用引线24M等的一部分自树脂密封体31露出。露出的通用引线24M等具有连结部30，在固定安装半导体装置32时，通用引线24M等通过号疗5桥接。由此，固定安装在岛23上面的集成电路芯片22产生的热量通过通用引线24M等排放到树脂密封体31的外部。此时，在本发明中，通过增大通用引线24M等的表面积，可进一步提高散热性能。
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公开(公告)号：CN1307718C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN03103562.0
申请日：2003-01-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在现有半导体装置中，在安装半导体装置时，在安装基板和半导体装置的安装面进入树脂溢料等垃圾，产生安装不良这一问题。在此，在作为本发明的半导体装置21中，在作为半导体装置21的安装面的树脂密封体22的内面224形成凹部25。另外，在凹部25的外周侧，引线26的露出区域和树脂密封体22的内面224，大致形成同一平面。因此，在本发明的QFN型半导体装置21中即使产生引线26溢料的碎片和树脂溢料等垃圾，也能通过使这些垃圾位于凹部25形成区域，来避免安装时的安装不良。
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公开(公告)号：CN1702853A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073804.5
申请日：2005-05-24
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
Inventor： 落合公
IPC: H01L23/055 , H01L23/48 , H01L23/52 , H01L21/60 , H01L21/301
CPC classification number: H05K3/3442 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L29/0657 , H01L2221/6834 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/16105 , H01L2224/2919 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83851 , H01L2924/0002 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/10156 , H05K2201/0367 , H05K2201/09154 , H05K2201/2036 , Y02P70/613 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2924/013
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，可不使工序复杂，提高安装时的强度及精度。在半导体衬底(10)的背面沿切割线(DL)形成槽(14)。进而形成从半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(11)的通孔(16)。在通孔(16)内形成埋入电极(18)，和其连接，形成沿切割线(DL)附近延伸的配线层(19)。在配线层(19)的端部形成导电端子(21)。然后，通过进行沿切割线(DL)的切割，完成在背面端部具有倾斜面1s的半导体装置(1)。在半导体装置(1)通过回流处理与电路衬底(30)连接时，流动性增强的导电膏覆盖导电端子(21)及倾斜面(1s)。在此，在半导体装置(1)外缘的电路衬底(30)上形成含有侧嵌条的导电膏(40a、40b)。
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公开(公告)号：CN1531067A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410007366.8
申请日：2004-03-01
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L25/105 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2225/1029 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种电路装置及其制造方法，提供自密封树脂(16)露出第二电路元件(15B)的结构的电路装置(10)。电路装置(10A)包括：岛(12)，其上部固定第一电路元件(15A)；多条引线(11)，其在岛(12)周围延伸，且与第一电路元件(15A)电连接；密封树脂(16)，其密封第一电路元件(15A)、岛(12)及引线(11)，且形成凹入部(18)；第二电路元件(15B)，其被收纳在凹入部(18)中。从而，可外装第二电路元件(15B)，故可提高安装时的自由度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1435882A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN03103562.0
申请日：2003-01-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在现有半导体装置中，在安装半导体装置时，在安装基板和半导体装置的安装面进入树脂溢料等垃圾，产生安装不良这一问题。在此，在作为本发明的半导体装置21中，在作为半导体装置21的安装面的树脂密封体22的内面224形成凹部25。另外，在凹部25的外周侧，引线26的露出区域和树脂密封体22的内面224，大致形成同一平面。因此，在本发明的QFN型半导体装置21中即使产生引线26溢料的碎片和树脂溢料等垃圾，也能通过使这些垃圾位于凹部25形成区域，来避免安装时的安装不良。
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公开(公告)号：CN100576517C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200410007366.8
申请日：2004-03-01
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L25/105 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2225/1029 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种电路装置及其制造方法，提供自密封树脂(16)露出第二电路元件(15B)的结构的电路装置(10)。电路装置(10A)包括：岛(12)，其上部固定第一电路元件(15A)；多条引线(11)，其在岛(12)周围延伸，且与第一电路元件(15A)电连接；密封树脂(16)，其密封第一电路元件(15A)、岛(12)及引线(11)，且形成凹入部(18)；第二电路元件(15B)，其被收纳在凹入部(18)中。从而，可外装第二电路元件(15B)，故可提高安装时的自由度。
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公开(公告)号：CN100401503C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510073804.5
申请日：2005-05-24
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
Inventor： 落合公
IPC: H01L23/055 , H01L23/48 , H01L23/52 , H01L21/60 , H01L21/301
CPC classification number: H05K3/3442 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L29/0657 , H01L2221/6834 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/16105 , H01L2224/2919 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83851 , H01L2924/0002 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/10156 , H05K2201/0367 , H05K2201/09154 , H05K2201/2036 , Y02P70/613 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2924/013
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，可不使工序复杂，提高安装时的强度及精度。在半导体衬底(10)的背面沿切割线(DL)形成槽(14)。进而形成从半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(11)的通孔(16)。在通孔(16)内形成埋入电极(18)，和其连接，形成沿切割线(DL)附近延伸的配线层(19)。在配线层(19)的端部形成导电端子(21)。然后，通过进行沿切割线(DL)的切割，完成在背面端部具有倾斜面1s的半导体装置(1)。在半导体装置(1)通过回流处理与电路衬底(30)连接时，流动性增强的导电膏覆盖导电端子(21)及倾斜面(1s)。在此，在半导体装置(1)外缘的电路衬底(30)上形成含有侧嵌条的导电膏(40a、40b)。
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公开(公告)号：CN1305116C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410003863.0
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司 , 先进切割技术有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/66 , B24B49/00
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 一种切割装置，其特征在于，包括：晶片载置台，其用于载置晶片；刀片，其配置在该晶片载置台上；光源，利用该刀片向形成于所述晶片的切割线区域的切削槽之中照射检测光；识别照相机，根据来自所述切削槽的反射光检测所述切削槽的形状；位置补正装置，根据该识别照相机的检测结果进行刀片的位置补正，使切削槽的中心线位于规定位置且切削槽的深度形成规定值。
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公开(公告)号：CN1681116A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510059136.0
申请日：2005-03-24
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
Inventor： 落合公
IPC: H01L23/48 , H01L23/495 , H01L23/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/91 , H01L23/481 , H01L23/4951 , H01L23/49541 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02372 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/16245 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/73257 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/14 , H01L2924/15173 , H01L2924/15787 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
Abstract: 一种半导体装置，最大限度缩小在外部连接介质上载置半导体芯片构成的半导体装置的外形尺寸，同时，最大限度抑制其电气特性的劣化。本发明的半导体装置包括半导体芯片(10A)和具有多个引线端子(21)的引线架(20)，其特征在于，半导体芯片(10A)包括：形成于其表面上的多个焊盘电极(11)；贯通该半导体芯片(10A)的至少一个通孔(12)；通过通孔(12)与焊盘电极(11)电连接的柱状电极(13)；与柱状电极(13)电连接的突起电极(15)。另外，引线架(20)的多个引线端子(21)中的至少一个延伸到可与突起电极(15)连接的位置而形成，与突起电极(15)连接。
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