公开(公告)号：CN1307718C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN03103562.0

申请日：2003-01-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 落合公 ,  武俊之 ,  福岛哲也

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在现有半导体装置中，在安装半导体装置时，在安装基板和半导体装置的安装面进入树脂溢料等垃圾，产生安装不良这一问题。在此，在作为本发明的半导体装置21中，在作为半导体装置21的安装面的树脂密封体22的内面224形成凹部25。另外，在凹部25的外周侧，引线26的露出区域和树脂密封体22的内面224，大致形成同一平面。因此，在本发明的QFN型半导体装置21中即使产生引线26溢料的碎片和树脂溢料等垃圾，也能通过使这些垃圾位于凹部25形成区域，来避免安装时的安装不良。

公开(公告)号：CN1175497C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN99104891.1

申请日：1999-04-16

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国井秀雄 ,  石川勉 ,  武俊之 ,  新井政至 ,  井野口浩 ,  小堀浩 ,  濑山浩树 ,  高田清 ,  关口智

IPC: H01L31/0236 ,  H01L27/14 ,  H01S3/18 ,  H04N5/00

CPC classification number: H01L31/0203 ,  H01L25/167 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的目的是将发光器件或受光器件的外形尽可能减薄，在组成它的模块或装置也能实现小型化。用对光为透明的材料构成密封形成发光器件、受光器件的半导体芯片23、24的树脂密封体25，并且在光从器件射出的区域上和光入射到器件的区域上，形成沟27，在这里采用构成反射面26的办法，使光通过侧面E，射出或入射。

公开(公告)号：CN1435882A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03103562.0

申请日：2003-01-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 落合公 ,  武俊之 ,  福岛哲也

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在现有半导体装置中，在安装半导体装置时，在安装基板和半导体装置的安装面进入树脂溢料等垃圾，产生安装不良这一问题。在此，在作为本发明的半导体装置21中，在作为半导体装置21的安装面的树脂密封体22的内面224形成凹部25。另外，在凹部25的外周侧，引线26的露出区域和树脂密封体22的内面224，大致形成同一平面。因此，在本发明的QFN型半导体装置21中即使产生引线26溢料的碎片和树脂溢料等垃圾，也能通过使这些垃圾位于凹部25形成区域，来避免安装时的安装不良。

公开(公告)号：CN1232297A

公开(公告)日：1999-10-20

申请号：CN99104891.1

申请日：1999-04-16

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国井秀雄 ,  石川勉 ,  武俊之 ,  新井政至 ,  井野口浩 ,  小堀浩 ,  濑山浩树 ,  高田清 ,  关口智

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00 ,  H01L25/16 ,  H01S3/18 ,  H04N5/00

CPC classification number: H01L31/0203 ,  H01L25/167 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的目的是将发光器件或受光器件的外形尽可能减薄,在组成它的模块或装置也能实现小型化。用对光为透明的材料构成密封形成发光器件、受光器件的半导体芯片23、24的树脂密封件25,并且在光从器件射出的区域上和光入射到器件的区域上,形成沟27,在这里采用构成反射面26的办法,使光通过侧面E,射出或入射。