公开(公告)号：CN1307718C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN03103562.0

申请日：2003-01-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 落合公 ,  武俊之 ,  福岛哲也

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在现有半导体装置中，在安装半导体装置时，在安装基板和半导体装置的安装面进入树脂溢料等垃圾，产生安装不良这一问题。在此，在作为本发明的半导体装置21中，在作为半导体装置21的安装面的树脂密封体22的内面224形成凹部25。另外，在凹部25的外周侧，引线26的露出区域和树脂密封体22的内面224，大致形成同一平面。因此，在本发明的QFN型半导体装置21中即使产生引线26溢料的碎片和树脂溢料等垃圾，也能通过使这些垃圾位于凹部25形成区域，来避免安装时的安装不良。

公开(公告)号：CN1435882A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03103562.0

申请日：2003-01-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 落合公 ,  武俊之 ,  福岛哲也

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在现有半导体装置中，在安装半导体装置时，在安装基板和半导体装置的安装面进入树脂溢料等垃圾，产生安装不良这一问题。在此，在作为本发明的半导体装置21中，在作为半导体装置21的安装面的树脂密封体22的内面224形成凹部25。另外，在凹部25的外周侧，引线26的露出区域和树脂密封体22的内面224，大致形成同一平面。因此，在本发明的QFN型半导体装置21中即使产生引线26溢料的碎片和树脂溢料等垃圾，也能通过使这些垃圾位于凹部25形成区域，来避免安装时的安装不良。