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公开(公告)号：CN109216346B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201810251133.4
申请日：2018-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/535 , H01L21/768
Abstract: 一种集成电路器件可以包括：鳍型有源区域，在基板上在第一方向上延伸；绝缘分隔结构，在鳍型有源区域上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；一对分开的栅线，彼此间隔开而使绝缘分隔结构在其间，并在第二方向上延伸以与绝缘分隔结构对准；一对源极/漏极区域，位于鳍型有源区域上并彼此间隔开而使绝缘分隔结构位于其间；以及跨接接触，位于绝缘分隔结构之上并且连接在所述一对源极/漏极区域之间。
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公开(公告)号：CN109326635A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810770377.3
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括第一导电元件、顺序地设置在第一导电元件上的第一绝缘层和第二绝缘层、穿过第一绝缘层和第二绝缘层的导电通路。导电通路连接到第一导电元件。该半导体器件包括设置在第二绝缘层中沿着第一绝缘层的上表面从导电通路的一个侧表面延伸的通路延伸部分、以及设置在第二绝缘层上连接到通路延伸部分的第二导电元件。
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公开(公告)号：CN107154357A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710094905.3
申请日：2017-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: G06F17/5072 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823864 , H01L21/823871 , H01L27/0207 , H01L27/0924 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66795 , H01L29/0607
Abstract: 本发明提供了半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法包括：加载第一布局，其中第一布局包括第一有源区和第一虚设区，并且第一有源区包括具有第一宽度的鳍型图案设计；通过用纳米线结构设计替代鳍型图案设计而产生第二布局；以及通过使用第二布局而形成纳米线结构设计，其中第二布局包括与第一有源区相同尺寸的第二有源区以及与第一虚设区相同尺寸的第二虚设区，纳米线结构设计的纳米线结构具有大于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN106469724A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610685667.9
申请日：2016-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L27/0207 , H01L27/092 , H01L27/11807 , H01L29/0649 , H01L29/775 , H01L2027/11859
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底，其具有第一逻辑单元、第二逻辑单元和第三逻辑单元；有源图案，其设置在第一逻辑单元至第三逻辑单元中的每一个中，以从衬底突出；以及栅极结构，其与有源图案交叉。第二逻辑单元和第三逻辑单元在第一方向上彼此间隔开，并且第一逻辑单元介于它们之间。有源图案在第一方向上排列，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。当在第一方向上测量时，分别在第一逻辑单元和第二逻辑单元中的最邻近的一对有源图案之间的距离与分别在第一逻辑单元和第三逻辑单元中的最邻近的一对有源图案之间的距离不同。
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公开(公告)号：CN110504265B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN201910202048.3
申请日：2019-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：顺序设置在衬底上的第一单元至第四单元；第一扩散中断结构至第三扩散中断结构；配置为从衬底突出的第一鳍结构，第一鳍结构包括由第一扩散中断结构至第三扩散中断结构彼此分开的第一鳍至第四鳍；第二鳍结构，配置为从衬底突出，与第一鳍结构间隔开，第二鳍结构包括由第一扩散中断结构至第三扩散中断结构彼此分开的第五鳍至第八鳍；第一栅电极至第四栅电极，分别设置在第一单元至第四单元中，并且第一单元、第二单元和第四单元中的每一个中的鳍的数量是两个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108172571B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201711283666.2
申请日：2017-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括至少一个标准单元。该至少一个标准单元包括：第一有源区和第二有源区，分别设置在虚设区域的两侧的每个上，第一有源区和第二有源区具有不同的导电类型并在第一方向上延伸；第一栅线和第二栅线，在垂直于第一方向的第二方向上平行于彼此延伸跨过第一有源区和第二有源区；第一旁路互连结构，配置为电连接第一栅线与第二栅线；以及第二旁路互连结构，配置为电连接第二栅线与第一栅线。第一旁路互连结构和第二旁路互连结构包括在第一方向上延伸的下互连层、在第二方向上延伸的上互连层以及接触通路。
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公开(公告)号：CN107154357B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201710094905.3
申请日：2017-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法包括：加载第一布局，其中第一布局包括第一有源区和第一虚设区，并且第一有源区包括具有第一宽度的鳍型图案设计；通过用纳米线结构设计替代鳍型图案设计而产生第二布局；以及通过使用第二布局而形成纳米线结构设计，其中第二布局包括与第一有源区相同尺寸的第二有源区以及与第一虚设区相同尺寸的第二虚设区，纳米线结构设计的纳米线结构具有大于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN105718623B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201510888195.2
申请日：2015-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392
Abstract: 一种产生电子电路布局数据的方法，该方法可以包括：在电子存储介质中电子地提供代表包括第一缩放增强电路布局的第一标准单元布局的数据。可以使用标注器层电子地定义在第一标准单元布局中包括的第一缩放增强电路布局。可以电子地将第一缩放增强电路布局替换为第二缩放增强电路布局以在电子存储介质中电子地产生代表第二标准单元布局的数据。可以电子地校验代表第二标准单元布局的数据。
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公开(公告)号：CN110838484A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910307666.4
申请日：2019-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种包括标准单元的集成电路包括：多个第一阱，以第一宽度沿第一水平方向延伸并具有第一导电类型；以及多个第二阱，以第二宽度沿第一水平方向延伸并具有第二导电类型，其中所述多个第一阱和所述多个第二阱在与第一水平方向正交的第二水平方向上交替布置，当m和n是大于或等于3的整数时，标准单元具有第二水平方向上的长度，该长度等于第一宽度的一半的m倍与第二宽度的一半的n倍之和。
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公开(公告)号：CN108063119A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711021953.6
申请日：2017-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体集成电路布局的设计方法和一种制造半导体装置的方法，所述设计方法包含选择包含至少一个第一栅极图案的第一单元布局；选择包含至少一个第二栅极图案的第二单元布局，所述至少一个第二栅极图案具有与所述至少一个第一栅极图案的栅极长度不同的栅极长度；从第一单元布局和第二单元布局生成图案布局；以及在图案布局上生成选择性交叠第一单元布局的掩模布局。
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