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公开(公告)号：CN110504265B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN201910202048.3
申请日：2019-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：顺序设置在衬底上的第一单元至第四单元；第一扩散中断结构至第三扩散中断结构；配置为从衬底突出的第一鳍结构，第一鳍结构包括由第一扩散中断结构至第三扩散中断结构彼此分开的第一鳍至第四鳍；第二鳍结构，配置为从衬底突出，与第一鳍结构间隔开，第二鳍结构包括由第一扩散中断结构至第三扩散中断结构彼此分开的第五鳍至第八鳍；第一栅电极至第四栅电极，分别设置在第一单元至第四单元中，并且第一单元、第二单元和第四单元中的每一个中的鳍的数量是两个。
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公开(公告)号：CN112420707A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010841469.3
申请日：2020-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，其包括：衬底；在衬底的上部上的第一至第三有源图案，有源图案在第一方向上顺序地布置并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；分别连接到第一至第三有源图案的第一至第三电源轨，其中第二有源图案在第一方向上的宽度是第一有源图案在第一方向上的宽度的至少两倍，并且是第三有源图案在第一方向上的宽度的至少两倍，第一有源图案不与第一电源轨垂直地重叠，第二有源图案与第二电源轨垂直地重叠，并且第三有源图案不与第三电源轨垂直地重叠。
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公开(公告)号：CN118073359A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310855056.4
申请日：2023-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L27/02 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件包括逻辑单元，该逻辑单元包括第一导线、第一电力线、在第一导线和第一电力线上的第二导线、以及在第二导线上的第三导线和第二电力线。第一导线、第一电力线、第三导线和第二电力线沿第一方向延伸，第二导线沿与第一方向交叉的第二方向延伸，第二导线包括靠近逻辑单元的边界的分离区域，分离区域基于逻辑单元的边界以锯齿形式交替地位于下侧和上侧。除了与第二导线的分离区域相邻的点之外，第一导线和第二导线与第一导线和第二导线能够连接到的第一命中点重叠。
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公开(公告)号：CN117116930A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310449538.X
申请日：2023-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 半导体器件包括：第一标准单元，在衬底上布置在第一行中，并且分别包括第一基底有源区；第二标准单元，布置在与第一行相邻的第二行中，并且分别包括第二基底有源区；电力线；以及器件隔离层，其中，在平面图中，第一标准单元和第二标准单元具有相同的单元高度，每个第一标准单元的第一基底有源区包括具有第一导电类型的第一有源线以及具有第二导电类型的第二有源线，每个第二标准单元的第二基底有源区包括具有第一导电类型的第三有源线以及具有第二导电类型的第四有源线，布置在第一行中的第一标准单元的第一有源线具有相同的第一宽度，布置在第二行中的第二标准单元的第三有源线具有相同的第二宽度，并且第一宽度窄于第二宽度。
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公开(公告)号：CN117096132A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310569453.5
申请日：2023-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 本申请提供一种半导体器件，包括：半导体基板，其具有电源布置区域；第一互连结构，其设置在半导体基板上并且包括第一互连图案和电源线；第二互连结构，其设置在半导体基板上并且包括第二互连图案；以及贯通电极，其穿过每个电源布置区域并且接触电源线，其中，第一互连图案包括第一互连线，其中，电源线设置在与第一互连线当中的第一条第一互连线相同的高度水平上，并且彼此平行，其中，电源布置区域彼此平行，并且其中，电源布置区域和电源线交叉的交叉区域包括顺序布置的多个第一有源交叉区域、一个虚设交叉区域和多个第二有源交叉区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117012748A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310469137.0
申请日：2023-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/50 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括彼此背对的第一侧和第二侧；电源抽头单元，在基底的第一侧上，位于第一行、与第一行邻近的第二行以及与第二行邻近的第三行中；第一电源轨和第二电源轨，在电源抽头单元上，沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此间隔开；以及电力输送网络，在基底的第二侧上。电源抽头单元包括：第一电源贯穿过孔，穿透基底并且从电力输送网络延伸到第一电源轨；以及第二电源贯穿过孔，穿透基底并且从电力输送网络延伸到第二电源轨。
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公开(公告)号：CN117855248A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311216465.6
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/417
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上的第一片图案；栅电极，在衬底上并且围绕第一片图案；第一源/漏图案和第二源/漏图案，分别连接到第一片图案的第一端和第二端；接触阻挡图案，在第二源/漏图案的下侧上；第一源/漏接触部，沿第一方向延伸并且连接到第一源/漏图案；以及第二源/漏接触部，连接到第二源/漏图案并且沿第一方向延伸以接触接触阻挡图案的上表面。从栅电极的上表面到第一源/漏接触部的最下部分的深度可以大于从栅电极的上表面到接触阻挡图案的上表面的深度。
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公开(公告)号：CN117012749A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310470739.8
申请日：2023-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L27/088 , H01L23/538
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一侧和与第一侧相对的第二侧；第一电力轨和第二电力轨，设置在衬底的第一侧上，第一电力轨和第二电力轨沿第一方向延伸并且在第二方向上分离；第一有源区和第二有源区，设置在衬底的第一侧上，第一有源区和第二有源区由第一电力轨与第二电力轨之间的元件分离膜限定并且在第二方向上分离；电力输送网络，设置在衬底的第二侧上；以及第一电力通孔，穿透元件分离膜和衬底，第一电力通孔连接电力输送网络和第一电力轨。
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公开(公告)号：CN115732512A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211023484.2
申请日：2022-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：标准单元，包括：多个有源图案，在第一方向上延伸；栅极结构，与所述多个有源图案交叉并且在第二方向上延伸；以及源/漏区，分别设置在定位在栅极结构的两侧上的所述多个有源图案上；多条信号线，在标准单元上在第一方向上延伸，在第二方向上布置，并且电连接到标准单元；以及第一电力带和第二电力带，在标准单元上在第一方向上延伸，电连接到所述源/漏区中的一些源/漏区，并且向标准单元供应电力，其中，第一电力带和第二电力带各自设置在标准单元上，同时在第一方向上与所述多条信号线中的任意一条信号线设置在同一条线上。
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公开(公告)号：CN111799252A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201911254150.4
申请日：2019-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：在第一方向上延伸的第一有源区和第二有源区；第一有源区与第二有源区之间的场区域；栅极结构，包括上部栅电极和下部栅电极，上部栅电极与第一有源区重叠并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，下部栅电极与第二有源区重叠，在第二方向上延伸，并且与上部栅电极在同一个线上；上部栅电极和下部栅电极之间的栅极隔离层；源极/漏极区，在上部栅电极的相应侧上；接触跨接线，在第二有源区中与上部栅电极交叉，并且将源极/漏极区电连接；以及第一上部触点，在场区域中沿第二方向延伸，并且与下部栅电极和栅极隔离层重叠，其中，上部栅电极是虚设栅电极。
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