半导体器件
    1.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN117096132A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202310569453.5

    申请日:2023-05-19

    Abstract: 本申请提供一种半导体器件,包括:半导体基板,其具有电源布置区域;第一互连结构,其设置在半导体基板上并且包括第一互连图案和电源线;第二互连结构,其设置在半导体基板上并且包括第二互连图案;以及贯通电极,其穿过每个电源布置区域并且接触电源线,其中,第一互连图案包括第一互连线,其中,电源线设置在与第一互连线当中的第一条第一互连线相同的高度水平上,并且彼此平行,其中,电源布置区域彼此平行,并且其中,电源布置区域和电源线交叉的交叉区域包括顺序布置的多个第一有源交叉区域、一个虚设交叉区域和多个第二有源交叉区域。

    半导体器件
    2.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN117116930A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202310449538.X

    申请日:2023-04-24

    Abstract: 半导体器件包括:第一标准单元,在衬底上布置在第一行中,并且分别包括第一基底有源区;第二标准单元,布置在与第一行相邻的第二行中,并且分别包括第二基底有源区;电力线;以及器件隔离层,其中,在平面图中,第一标准单元和第二标准单元具有相同的单元高度,每个第一标准单元的第一基底有源区包括具有第一导电类型的第一有源线以及具有第二导电类型的第二有源线,每个第二标准单元的第二基底有源区包括具有第一导电类型的第三有源线以及具有第二导电类型的第四有源线,布置在第一行中的第一标准单元的第一有源线具有相同的第一宽度,布置在第二行中的第二标准单元的第三有源线具有相同的第二宽度,并且第一宽度窄于第二宽度。

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